
- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1. Трансляционная симметрия кристалла
- •Глава 2. Колебания атомов кристаллической решётки
- •2.1. Гармоническое приближение
- •2.2. Колебания атомов одномерного кристалла с одним атомом в элементарной ячейке
- •2.3. Колебания одномерного кристалла с двумя атомами в элементарной ячейке
- •2.4. Колебания атомов в трехмерном кристалле
- •Глава 3. Квантовая теория тЕплоёмкосТи кристалла
- •3.1. Модель Дебая
- •3.2. Плотность состояний фононного спектра
- •3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
- •3.4. Интерполяционная формула Дебая
- •3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
- •3.6. Физический смысл температуры Дебая
- •Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
- •4.1.Теорема Блоха
- •4.2. Понятие квазиимпульса
- •4.3. Обратная решётка
- •4.4. Неоднозначность квазиимпульса
- •4.5. Приведение к первой зоне Бриллюэна
- •4.6. Количество состояний в зоне Бриллюэна
- •Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
- •5.1. Метод сильносвязанных электронов
- •5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
- •5.1.2. Метод сильной связи с учётом симметрии кристалла
- •5.2. Метод слабосвязанных электронов
- •5.3. Классификация кристаллов на диэлектрики, полупроводники и металлы
- •Глава 6. Электронная теория металлов
- •6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
- •6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
- •6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
- •6.4. Электронная теплоёмкость металла
- •6.5. Электрон-фононное взаимодействие и электропроводность металлов
- •6.5.1. Квазиклассические уравнения движения электрона в кристалле.
- •6.5.2. Физический смысл длины свободного пробега электрона
- •6.5.3. Электропроводность нормальных металлов при высоких
- •6.6. Сверхпроводимость
- •Глава 7. Полупроводники
- •7.1. Носители заряда в полупроводниках
- •7.1.1. Законы дисперсии электронов и дырок
- •7.1.2. Статистика носителей заряда в полупроводниках
- •7.1.3. Равновесная концентрация электронов и дырок
- •7.2. Проводимость собственных полупроводников
- •7.3. Проводимость легированных полупроводников
- •7.3.1. Элементарная теория мелких центров
- •7.3.2. Электропроводность легированных полупроводников
- •Глава 8. Методы исследования электронной структуры металлов и полупроводников
- •8.1. Гальваномагнитные методы и циклотронный резонанс
- •8.1.1. Эффект Холла
- •8.1.2. Движение электрона в магнитном поле
- •8.1.3. Циклотронный резонанс в металлах
- •8.2. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
- •8.3. Квантовые осцилляционные эффекты
- •Литература
- •392008, Г. Тамбов, ул. Советская, 190г
4.1.Теорема Блоха
Из трансляционной
симметрии кристалла следует, что при
трансляции кристалла на вектор решётки
кристалл совмещается сам с собой. Поэтому
волновые функции электрона до трансляции
и после трансляции на вектор решётки
описывают физически эквивалентные
состояния. Из квантовой механики
известно, что физически эквивалентные
состояния определены с точностью до
фазового множителя
.
Действительно, для эквивалентных
состояний плотности вероятности должны
быть одинаковы
, (1)
откуда следует, что
. (2)
Поскольку левая
часть этого равенства зависит от
и
,
то фаза
должна быть функцией вектора решётки,
т.е.
.
Для исследования этой зависимости
представим произвольный вектор решётки
в виде суммы векторов
и
,
тогда
.
С другой стороны,
.
Откуда получаем условие линейной связи между и
.
Так как
– величина скалярная и безразмерная,
то линейную связь между
и вектором решётки
можно представить в виде скалярного
произведения вектора
на некоторый вектор
с размерностью, обратной размерности
вектора решётки, т.е. м-1:
. (3)
Подставляя в (2), окончательно имеем
. (4)
Теорема Блоха
(1-ая формулировка):
для любой волновой функции
,
удовлетворяющей уравнению Шрёдингера,
существует такой вектор
,
что трансляция на вектор решётки
эквивалентна умножению этой функции
на фазовый множитель
.
Часто используют другую, эквивалентную формулировку.
Теорема Блоха (2-ая формулировка): состояние электрона в кристалле описывается плоской волной, амплитуда которой есть периодическая функция с периодом, равным вектору решётки:
, (5)
где амплитуда
.
Докажем эквивалентность
2-ой и 1-ой формулировок теоремы Блоха.
Запишем формулу (2) для состояния электрона
в точке
:
.
Откуда следует 1-ая формулировка теоремы Блоха: .
Поскольку правая часть формулы (5) зависит от вектора , то волновую функцию также необходимо обозначить индексом « ».
4.2. Понятие квазиимпульса
Итак, соответствие с теоремой Блоха, состояние электрона в кристалле описывает «блоховская» волна:
.
(
)
Как видно, блоховская волна отличается от состояния свободно движущейся частицы
, (6)
тем, что в последнем случае амплитуда волны не зависит от координат, т.е. А=const.
«Обычная» плоская
волна де Бройля (6), как известно, является
собственной функцией оператора импульса
и оператора Гамильтона для однородного
пространства, т.е.
,
при
Поэтому
в состоянии
сохраняется импульс частицы
и полная энергия
,
которая совпадает с её кинетической
энергией.
Силовое поле
кристалла является периодической
функцией координат, т.е.
,
поэтому импульс электрона в кристалле
не сохраняется. Но из теоремы Блоха (5)
следует, что сохраняется некоторый
вектор с размерностью импульса
.
Этот вектор называется квазиимпульсом,
а
квазиволновым
вектором.
По определению
квазиимпульс
есть вектор
,
сохранение
которого следует из трансляционной
симметрии кристалла, т.е. из инвариантности
гамильтониана относительно трансляции
на вектор решётки.
Это отличает его
от обычного импульса
,
сохранение которого следует из полной
трансляционной симметрии однородного
пространства, т.е. из инвариантности
гамильтониана относительно трансляции
на любой
вектор.
Очевидно, что при
выглаживании потенциального рельефа
кристалла, например, при стремлении к
нулю параметра решётки
,
,
пространство станет однородным и
квазиимпульс станет равным импульсу,
который теперь будет хорошим интегралом
движения электрона.
Поэтому оператор
квазиимпульса удобно представить в
виде суммы оператора импульса
и некоторого оператора
,
который должен стремиться к нулю при
выглаживании потенциального рельефа
кристалла, т.е.
. (7)
Так как в кристалле
сохраняется квазиимпульс электрона
,
то блоховские волны
будут собственными функциями оператора
квазиимпульса
. (8)
Подставляя в (8)
формулы (7) и (
),
получим
,
откуда:
. (9)
Окончательно оператор квазиимпульса запишем в виде:
.
(10)
При выглаживании
потенциального рельефа амплитуда
блоховской волны
будет стремиться к константе, т.е.
и
,
поэтому оператор квазиимпульса будет
иметь вид
,
что совпадает с оператором импульса и
соответственно квазиимпульс перейдёт
в импульс
.
Отличительной чертой квазиимпульса является его неоднозначность. Для рассмотрения этого свойства квазиимпульса необходимо использовать понятие обратной решётки.