
- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1. Трансляционная симметрия кристалла
- •Глава 2. Колебания атомов кристаллической решётки
- •2.1. Гармоническое приближение
- •2.2. Колебания атомов одномерного кристалла с одним атомом в элементарной ячейке
- •2.3. Колебания одномерного кристалла с двумя атомами в элементарной ячейке
- •2.4. Колебания атомов в трехмерном кристалле
- •Глава 3. Квантовая теория тЕплоёмкосТи кристалла
- •3.1. Модель Дебая
- •3.2. Плотность состояний фононного спектра
- •3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
- •3.4. Интерполяционная формула Дебая
- •3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
- •3.6. Физический смысл температуры Дебая
- •Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
- •4.1.Теорема Блоха
- •4.2. Понятие квазиимпульса
- •4.3. Обратная решётка
- •4.4. Неоднозначность квазиимпульса
- •4.5. Приведение к первой зоне Бриллюэна
- •4.6. Количество состояний в зоне Бриллюэна
- •Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
- •5.1. Метод сильносвязанных электронов
- •5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
- •5.1.2. Метод сильной связи с учётом симметрии кристалла
- •5.2. Метод слабосвязанных электронов
- •5.3. Классификация кристаллов на диэлектрики, полупроводники и металлы
- •Глава 6. Электронная теория металлов
- •6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
- •6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
- •6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
- •6.4. Электронная теплоёмкость металла
- •6.5. Электрон-фононное взаимодействие и электропроводность металлов
- •6.5.1. Квазиклассические уравнения движения электрона в кристалле.
- •6.5.2. Физический смысл длины свободного пробега электрона
- •6.5.3. Электропроводность нормальных металлов при высоких
- •6.6. Сверхпроводимость
- •Глава 7. Полупроводники
- •7.1. Носители заряда в полупроводниках
- •7.1.1. Законы дисперсии электронов и дырок
- •7.1.2. Статистика носителей заряда в полупроводниках
- •7.1.3. Равновесная концентрация электронов и дырок
- •7.2. Проводимость собственных полупроводников
- •7.3. Проводимость легированных полупроводников
- •7.3.1. Элементарная теория мелких центров
- •7.3.2. Электропроводность легированных полупроводников
- •Глава 8. Методы исследования электронной структуры металлов и полупроводников
- •8.1. Гальваномагнитные методы и циклотронный резонанс
- •8.1.1. Эффект Холла
- •8.1.2. Движение электрона в магнитном поле
- •8.1.3. Циклотронный резонанс в металлах
- •8.2. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
- •8.3. Квантовые осцилляционные эффекты
- •Литература
- •392008, Г. Тамбов, ул. Советская, 190г
3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
При низких и высоких температурах интерполяционная функция Дебая выражается через простые функции.
Рассмотрим область
низких температур,
.
В этой области
хпр>>1
и верхний предел в интеграле формулы
(18) можно положить равным бесконечности,
тогда для интеграла получим табличное
значение
(19)
Для тепловой энергии одного моль вещества соответственно получим
,
(20)
а для молярной теплоёмкости
(21)
Формула (21) выражает закон Дебая в области криогенных температур.
Рассмотрим теперь
область высоких температур,
,
хпр<<1,
а следовательно и переменная х<<1,
что позволяет разложить функцию ех
в ряд Маклорена по малому параметру х:
.
Интеграл в правой части выражения (18)
будет равен
,
а само выражение для тепловой энергии
будет линейной функцией температуры
Е(Т)=9NатkBT.
Для теплоёмкости одного моля вещества
в твёрдом состоянии получается закон
Дюлонга-Пти:
(22)
|
Рис. 3.3. Температурная зависимость теплоёмкости кристалла по теории теплоёмкости Дебая
|
На рис. 3.3 представлена зависимость от температуры молярной теплоёмкости кристалла в соответствии с квантовой теорией теплоёмкости Дебая, которая хорошо объясняет экспериментальную зависимость теплоёмкости диэлектриков за исключением области предплавильных температур, где наблюдается отклонение от закона Дюлонга-Пти из-за сильного ангармонизма колебаний атомов решётки.
Экспериментальные данные по температурной зависимости теплоёмкости металлов хорошо аппроксимируются следующей формулой:
.
(23)
Первый член, линейный по температуре, обусловлен вкладом в теплоёмкость электронов проводимости, а второй – кубический, обусловлен колебаниями атомов решётки.
3.6. Физический смысл температуры Дебая
Температура Дебая
разделяет температурную область, при
которой существует кристалл (от 0 К до
температуры плавления
)
на две области: при
нагревание кристалла носит дискретный,
квантовый характер; в кристалле
последовательно с ростом температуры
заполняются фононами частотные уровни
от 0 до предельной частоты
.
При температурах
в основном возбуждаются дебаевские
фононы, т.е. фононы с предельной частотой
,
что соответствует представлениям
классической теории теплоёмкости
кристалла. Таким образом, при высоких
температурах
нагревание кристалла носит квазиклассический
характер. Для количественной оценки
температуры Дебая в формулу для дебаевской
температуры
подставим выражение (16) для предельной
частоты и получим:
.
(24)
Для одноатомного
кристалла с простой кубической решёткой
атомный объём
равен объёму
элементарной ячейки, т.е. а3.
В этом случае имеем:
.
Полагая, для примера
а
0.3
нм,
3
км/с, получим
К.
Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
Уравнение Шрёдингера для кристалла представляет многочастичную задачу. Проблема многих тел – одна из трудных проблем теоретической физики. С помощью адиабатического приближения и приближения самосогласованного поля уравнение Шрёдингера для кристалла сводится к одночастичному уравнению Шрёдингера. Оно состоит в нахождении собственных функций и значений энергии электрона в самосогласованном поле. Явный вид потенциала этого поля построить невозможно из-за большого количества частиц, участвующих в его формировании, включая рассматриваемый электрон.
Самосогласованное (эффективное) поле, однако обладает трансляционной симметрией кристалла, что позволяет исследовать основные свойства электронных состояний и дисперсионных соотношений для электрона в кристалле. С симметрией потенциального рельефа всегда связаны некоторые законы сохранения. Из трансляционной симметрии кристалла следует сохранение величины с размерностью импульса, называемой квазиимпульсом. Квазиимпульс является интегралом движения электрона в идеальном кристалле и выполняет роль квантового числа, классифицирующего собственные функции и собственные значения энергии электрона.