
- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1. Трансляционная симметрия кристалла
- •Глава 2. Колебания атомов кристаллической решётки
- •2.1. Гармоническое приближение
- •2.2. Колебания атомов одномерного кристалла с одним атомом в элементарной ячейке
- •2.3. Колебания одномерного кристалла с двумя атомами в элементарной ячейке
- •2.4. Колебания атомов в трехмерном кристалле
- •Глава 3. Квантовая теория тЕплоёмкосТи кристалла
- •3.1. Модель Дебая
- •3.2. Плотность состояний фононного спектра
- •3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
- •3.4. Интерполяционная формула Дебая
- •3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
- •3.6. Физический смысл температуры Дебая
- •Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
- •4.1.Теорема Блоха
- •4.2. Понятие квазиимпульса
- •4.3. Обратная решётка
- •4.4. Неоднозначность квазиимпульса
- •4.5. Приведение к первой зоне Бриллюэна
- •4.6. Количество состояний в зоне Бриллюэна
- •Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
- •5.1. Метод сильносвязанных электронов
- •5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
- •5.1.2. Метод сильной связи с учётом симметрии кристалла
- •5.2. Метод слабосвязанных электронов
- •5.3. Классификация кристаллов на диэлектрики, полупроводники и металлы
- •Глава 6. Электронная теория металлов
- •6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
- •6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
- •6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
- •6.4. Электронная теплоёмкость металла
- •6.5. Электрон-фононное взаимодействие и электропроводность металлов
- •6.5.1. Квазиклассические уравнения движения электрона в кристалле.
- •6.5.2. Физический смысл длины свободного пробега электрона
- •6.5.3. Электропроводность нормальных металлов при высоких
- •6.6. Сверхпроводимость
- •Глава 7. Полупроводники
- •7.1. Носители заряда в полупроводниках
- •7.1.1. Законы дисперсии электронов и дырок
- •7.1.2. Статистика носителей заряда в полупроводниках
- •7.1.3. Равновесная концентрация электронов и дырок
- •7.2. Проводимость собственных полупроводников
- •7.3. Проводимость легированных полупроводников
- •7.3.1. Элементарная теория мелких центров
- •7.3.2. Электропроводность легированных полупроводников
- •Глава 8. Методы исследования электронной структуры металлов и полупроводников
- •8.1. Гальваномагнитные методы и циклотронный резонанс
- •8.1.1. Эффект Холла
- •8.1.2. Движение электрона в магнитном поле
- •8.1.3. Циклотронный резонанс в металлах
- •8.2. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
- •8.3. Квантовые осцилляционные эффекты
- •Литература
- •392008, Г. Тамбов, ул. Советская, 190г
3.2. Плотность состояний фононного спектра
Выражение для тепловой энергии кристалла (1) представляет сумму большого числа (порядка или более числа Авогадро), слагаемых, поэтому это выражение удобно записать в интегральной форме. Для того, чтобы перейти от суммы к интегралу вводится функция плотности состояния фононного спектра.
Пусть N
есть число состояний с частотами от 0
до
.
Тогда производная
,
называемая плотностью состояния
фононного спектра, есть число состояний,
приходящихся на единичный интервал
частот, а dN
– число состояний с частотами от
до
.
Энергия фононов dE
на этом бесконечно малом участке спектра
очевидно равна
, (5)
где
энергия фононного уровня,
вероятность заполнения этого уровня,
которая определяется распределением
Планка (4), а
число
квантовых состояний, приходящихся на
интервал
.
Интегрируя (5) по всем нормальным частотам,
получим тепловую энергию кристалла
(6)
Для расчёта функции
используют граничные условия Борна-Кармана
и предположения относительно линейности
и изотропности закона дисперсии фононов.
3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
Для того, чтобы исключить поверхностные эффекты для кристалла конечных размеров, используют циклические граничные условия, путем сшивания упругой волны смещения (волновой функции фонона) на границе кристалла:
(7)
где Lx, Ly, Lz – размеры кристалла в направлениях x, y, z.
В одномерном случае упругая волна смещения имеет вид
. (8)
Подставляя её в граничное условие (8), получим
. (9)
С учетом формулы
Эйлера
,
получим решение (9) в виде
,
где п=
.
Таким образом, на
одно квантовое состояние на оси kx
приходится отрезок
,
не зависящий от квантового числа п.
Повторяя эти вычисления для упругих
волн в направлениях y
и
z
получим соответственно:
.
Поэтому в трёхмерном случае на одно
квантовое состояние в k-пространстве
приходится объём
,
определяемый следующей формулой
, (10)
где V=LxLyLz – объём кристалла.
3.4. Интерполяционная формула Дебая
Для вычисления явного вида функции плотности состояния вычислим сначала количество квантовых состояний N c частотами от 0 до . Из линейного закона дисперсии фононов следует, что поверхность постоянной частоты в k-пространстве есть сфера (Рис. 3.2). Внутри этой сферы находятся все состояния с частотами от 0 до .
|
Рис. 3.2. Поверхность постоянной частоты в k-пространстве для трёхмерного кристалла с изотропным законом дисперсии фононов |
Количество таких
состояний можно подсчитать, поделив
объём k-пространства,
в котором находятся все состояния с
частотами от 0 до
,
т.е. объём шара радиусом
,
на объём
,
приходящийся на одно квантовое состояние.
В результате получим
(11)
Зависимость
можно получить из (11) с использованием
закона дисперсии фононов
:
,
(12)
откуда для функции
плотности состояний фононного спектра
,
имеем:
(13)
До сих пор мы учитывали только один тип колебаний кристалла. В трёхмерном одноатомном кристалле необходимо учитывать три моды акустических колебаний: продольную моду колебания и две поперечные моды. (Для кристалла с базисом, когда элементарная ячейка содержит два и более атома, надо ещё учитывать три моды оптических колебаний). С учётом этих рассуждений функция плотности состояний фононного спектра трёхмерного одноатомного кристалла будет иметь вид
,
(14)
где множитель 3 учитывает три моды акустических колебаний. Функция плотности состояний должна удовлетворять условию нормировки
,
(15)
где 3Nат есть число степеней свободы трёхмерного кристалла за вычетом 6-ти степеней свободы кристалла как целого: трёх степени свободы, связанных с поступательным движением кристалла, и трёх – с вращательным. Подставляя (14) в (15), получим выражение для предельной частоты фононного спектра
.
(16)
Подставим теперь полученную функцию плотности состояния (14) в выражение для тепловой энергии кристалла (6):
.
(17)
Обозначим через
х
переменную
,
тогда
.
Из условия
,
можно заключить, что существует
характеристическая температура
,
называемая температурой
Дебая, при
которой возбуждается предельная частота
в спектре
.
Следовательно, предельное значение
величины х
можно выразить как отношение дебаевской
температуры к текущей температуре, т.е.
.
Перепишем формулу для тепловой энергии,
учитывая выражение для предельной
частоты (16), в результате получим
.
(18)
Это выражение называется интерполяционной формулой Дебая. Она позволяет численным методом построить зависимость Е(Т) при любых температурах.