- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1. Трансляционная симметрия кристалла
- •Глава 2. Колебания атомов кристаллической решётки
- •2.1. Гармоническое приближение
- •2.2. Колебания атомов одномерного кристалла с одним атомом в элементарной ячейке
- •2.3. Колебания одномерного кристалла с двумя атомами в элементарной ячейке
- •2.4. Колебания атомов в трехмерном кристалле
- •Глава 3. Квантовая теория тЕплоёмкосТи кристалла
- •3.1. Модель Дебая
- •3.2. Плотность состояний фононного спектра
- •3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
- •3.4. Интерполяционная формула Дебая
- •3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
- •3.6. Физический смысл температуры Дебая
- •Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
- •4.1.Теорема Блоха
- •4.2. Понятие квазиимпульса
- •4.3. Обратная решётка
- •4.4. Неоднозначность квазиимпульса
- •4.5. Приведение к первой зоне Бриллюэна
- •4.6. Количество состояний в зоне Бриллюэна
- •Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
- •5.1. Метод сильносвязанных электронов
- •5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
- •5.1.2. Метод сильной связи с учётом симметрии кристалла
- •5.2. Метод слабосвязанных электронов
- •5.3. Классификация кристаллов на диэлектрики, полупроводники и металлы
- •Глава 6. Электронная теория металлов
- •6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
- •6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
- •6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
- •6.4. Электронная теплоёмкость металла
- •6.5. Электрон-фононное взаимодействие и электропроводность металлов
- •6.5.1. Квазиклассические уравнения движения электрона в кристалле.
- •6.5.2. Физический смысл длины свободного пробега электрона
- •6.5.3. Электропроводность нормальных металлов при высоких
- •6.6. Сверхпроводимость
- •Глава 7. Полупроводники
- •7.1. Носители заряда в полупроводниках
- •7.1.1. Законы дисперсии электронов и дырок
- •7.1.2. Статистика носителей заряда в полупроводниках
- •7.1.3. Равновесная концентрация электронов и дырок
- •7.2. Проводимость собственных полупроводников
- •7.3. Проводимость легированных полупроводников
- •7.3.1. Элементарная теория мелких центров
- •7.3.2. Электропроводность легированных полупроводников
- •Глава 8. Методы исследования электронной структуры металлов и полупроводников
- •8.1. Гальваномагнитные методы и циклотронный резонанс
- •8.1.1. Эффект Холла
- •8.1.2. Движение электрона в магнитном поле
- •8.1.3. Циклотронный резонанс в металлах
- •8.2. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
- •8.3. Квантовые осцилляционные эффекты
- •Литература
- •392008, Г. Тамбов, ул. Советская, 190г
6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
Энергия Ферми (4)
значительно превышает среднюю тепловую
энергию, приходящуюся на одну частицу.
При температуре
К
эта энергия
составляет величину
эВ,
что на два порядка меньше граничной
энергии Ферми. Это означает, что в
тепловом движении участвуют не все
электроны металла как в классическом
газе, а лишь небольшая часть электронов,
находящихся вблизи уровня Ферми.
При комнатной температуре количество тепловых электронов составляет около 1% всех электронов в зоне проводимости. Такое состояние электронного газа называется вырожденным, так как его свойства значительно отличаются от свойств классического газа.
Для того, чтобы
все электроны участвовали в тепловом
движении средняя энергия теплового
движения, приходящаяся на один электрон,
должна превысить энергию Ферми, а
следовательно температура электронного
газа – превысить так называемую
температуру
Ферми
. (5)
Подставляя типичное
значение энергии Ферми
эВ
Дж,
получим
типичные значения температуры Ферми
К,
что значительно превышает температуру
плавления металлов. Поэтому электронный
газ в металле вплоть до температуры
плавления находится в вырожденном
состоянии, так как при любой температуре
кристаллического металла выполняется
условие
, (6)
которое называют критерием вырождения электронного газа.
6.4. Электронная теплоёмкость металла
Вследствие
вырожденного состояния электронного
газа его свойства, как отмечалось,
существенно отличаются от свойств
классического газа. В частности, энергия
теплового движения одного моля
классического газа равна
,
а молярная теплоёмкость соответственно:
, (7)
где
– число Авогадро,
– универсальная газовая постоянная.
Теплоёмкость металла, однако, не
подчиняется формуле (7). Эксперимент
показывает, что при температуре выше
температуры Дебая теплоёмкость металла
определяется законом Дюлонга-Пти
,
а при криогенных температурах теплоёмкость
линейно растет с температурой, а не по
закону Дебая
,
который хорошо объясняет температурную
зависимость теплоёмкости диэлектриков.
Поскольку энергия
Ферми значительно превышает тепловую
энергию электронов металла при любой
температуре
,
то в k-пространстве
область тепловых возбуждений электронного
газа находится в тонком шаровом слое
радиусом
и толщиной
вблизи поверхности Ферми. Поверхность
Ферми таким образом является «каркасом»
возбужденных электронных состояний в
пространстве волновых векторов.
Электронную
теплоёмкость электронного газа
можно представит в виде произведения
классической теплоёмкости
,
которая предполагает участие в тепловом
движении всех электронов газа, на долю
электронов
,
реально участвующих в тепловом движении
при заданной температуре, т.е.:
. (7)
|
Рис. 6.3. Область тепловых электронных состояний в k-пространстве.
Сплошные линии
изоэнергетические поверхности,
соответствующие уровням
|
Долю тепловых электронов можно приблизительно оценить как отношение объёма шарового слоя, в котором находится квантовые состояния тепловых электронов, к объёму k-пространства, занимаемого системой, т.е. объёму, ограниченному поверхностью Ферми:
. (8)
Выражение (8) можно
записать в энергетической форме. Для
этого используем закон дисперсии
электронов
,
откуда получим
, (9)
. (10)
Подставляя эти формулы в выражение (8), получим:
. (11)
Как видно из рис.
6.3., область тепловых возбуждений
.
Поэтому доля тепловых электронов с
учетом определения температуры Ферми
как
будет определяться простой формулой
. (12)
Подставим (12) в выражение для теплоёмкости электронов (7) и получим
. (13)
Более строгий расчет дает следующую формулу для молярной электронной теплоёмкости металла
. (14)
Таким образом,
электронная теплоёмкость металла
линейно растет с температурой. Решеточная
теплоёмкость при криогенных температурах
определяется законом Дебая
,
а при температурах выше дебаевской
– законам Дюлонга-Пти:
.
Поэтому при низких температурах
электронная теплоёмкость металла дает
основной вклад в теплоёмкость металла,
а при высоких температурах электронный
вклад определяется небольшой добавкой
к решеточной, которая составляет величину
решеточной теплоёмкости.
Рис. 6.4. Температурные зависимости
электронной
и решеточной
теплоёмкостей в области низких температур
