
- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1. Трансляционная симметрия кристалла
- •Глава 2. Колебания атомов кристаллической решётки
- •2.1. Гармоническое приближение
- •2.2. Колебания атомов одномерного кристалла с одним атомом в элементарной ячейке
- •2.3. Колебания одномерного кристалла с двумя атомами в элементарной ячейке
- •2.4. Колебания атомов в трехмерном кристалле
- •Глава 3. Квантовая теория тЕплоёмкосТи кристалла
- •3.1. Модель Дебая
- •3.2. Плотность состояний фононного спектра
- •3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
- •3.4. Интерполяционная формула Дебая
- •3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
- •3.6. Физический смысл температуры Дебая
- •Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
- •4.1.Теорема Блоха
- •4.2. Понятие квазиимпульса
- •4.3. Обратная решётка
- •4.4. Неоднозначность квазиимпульса
- •4.5. Приведение к первой зоне Бриллюэна
- •4.6. Количество состояний в зоне Бриллюэна
- •Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
- •5.1. Метод сильносвязанных электронов
- •5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
- •5.1.2. Метод сильной связи с учётом симметрии кристалла
- •5.2. Метод слабосвязанных электронов
- •5.3. Классификация кристаллов на диэлектрики, полупроводники и металлы
- •Глава 6. Электронная теория металлов
- •6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
- •6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
- •6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
- •6.4. Электронная теплоёмкость металла
- •6.5. Электрон-фононное взаимодействие и электропроводность металлов
- •6.5.1. Квазиклассические уравнения движения электрона в кристалле.
- •6.5.2. Физический смысл длины свободного пробега электрона
- •6.5.3. Электропроводность нормальных металлов при высоких
- •6.6. Сверхпроводимость
- •Глава 7. Полупроводники
- •7.1. Носители заряда в полупроводниках
- •7.1.1. Законы дисперсии электронов и дырок
- •7.1.2. Статистика носителей заряда в полупроводниках
- •7.1.3. Равновесная концентрация электронов и дырок
- •7.2. Проводимость собственных полупроводников
- •7.3. Проводимость легированных полупроводников
- •7.3.1. Элементарная теория мелких центров
- •7.3.2. Электропроводность легированных полупроводников
- •Глава 8. Методы исследования электронной структуры металлов и полупроводников
- •8.1. Гальваномагнитные методы и циклотронный резонанс
- •8.1.1. Эффект Холла
- •8.1.2. Движение электрона в магнитном поле
- •8.1.3. Циклотронный резонанс в металлах
- •8.2. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
- •8.3. Квантовые осцилляционные эффекты
- •Литература
- •392008, Г. Тамбов, ул. Советская, 190г
Глава 6. Электронная теория металлов
6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
Первая квантовая теория металлов
Классическая теория металлов Друде-Лоренца (1900г.) объяснила эмпирические законы Ома, Джоуля-Ленца и Видемана-Франца, но не смогла объяснить явление сверхпроводимости, температурную зависимость электропроводности нормальных металлов, почти полное отсутствие электронной теплоёмкости металла и т.д.. Кроме того, в классической теории не находит объяснение эмпирическое правило Матиссена, устанавливающее зависимость удельного сопротивления нормальных металлов от концентрации дефектов кристаллического строения пd, температуры Т и действия внешних механических сил Fмех, вызывающих упругую деформацию металла
. (1)
Из правила Матиссена
в частности следует, что при понижении
температуры в области криогенных
температур, удельное сопротивление
металла стремится не к нулю, а к некоторой
остаточной величине
,
которая является мерой дефектности
кристаллического строения металла.
Первая квантовая теория металлов была предложена Зоммерфельдом в 1928г. В отличие от классической теории Друде-Лоренца, рассматривающей электронную подсистему металла как классический идеальный газ, подчиняющийся статистике Максвелла-Больцмана, в теории металлов Зоммерфельда учитывается тот факт, что электроны являются фермионами (частицами с полуцелым спиновым числом) и подчиняются квантовой статистике Ферми-Дирака.
Таким образом, в
квантовой теории Зоммерфельда металл
рассматривается как ящик с идеальным
ферми-газом электронов.
Электроны считаются свободными частицами
с квадратичным законом дисперсии, т.е.
их потенциальная энергия взаимодействия
с другими электронами и с ионами решётки
предполагается пренебрежимо малой,
поэтому полная энергия электрона есть
его кинетическая энергия
,
волновые функции электрона есть
собственные функции оператора импульса,
т.е. плоские волны де Бройля:
,
а статистические свойства электронного
газа определяются функцией распределения
Ферми-Дирака
, (2)
где
вероятность
заполнения уровня Е,
Ef
– уровень Ферми, или граничная энергия,
которая при Т=0
отделяет область заполненных уровней
от области незаполненных уровней в
квазинепрерывном энергетическом спектре
электронов металла.
|
Рис. 6.1. Распределение Ферми-Дирака при температуре Т=0 К («ступенька Ферми») и температуре Т>0 К |
При нагревании металла электроны с заполненных уровней под уровнем Ферми переходят на свободные уровни Е>Ef, что приводит к размыванию «ступеньки Ферми». В этом случае граничная энергия Ферми определяется как уровень, вероятность заполнения которого равна 0.5 ( рис. 6.1.).
6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
В приближении
свободных электронов их закон дисперсии
изотропен и квадратичен
,
поэтому изоэнергетическая поверхность
в k-пространстве
есть сфера. Изоэнергетическая поверхность,
соответствующая уровню Ферми, называется
поверхностью
Ферми. При
абсолютном нуле поверхность Ферми
отделяет в k-пространстве
область заполненных электронных
состояний от незаполненных.
|
Рис. 6.2 Поверхность Ферми для электронов с изотропным и квадратичным законом дисперсии |
Для кристалла конечных размеров k-пространство электронных состояний дискретно. Это непосредственно следует из циклических граничных условий Борна-Кармана:
Подставим в первое уравнение волновую функцию электрона
,
получим
,
откуда
,
где п
– целые числа. Поэтому на одно электронное
состояние приходится отрезок
,
а в трёхмерном случае, очевидно объём:
,
где V=LxLyLz – объём кристалла.
Электронные
состояния с энергиями, меньшими энергии
Ферми Ef,
находятся в k-пространстве
в шаре радиусом
.
Их количество N
равно отношению объёма шара, ограниченного
поверхностью Ферми, к объёму
,
приходящемуся на одно квантовое состояние
.
По принципу Паули
в каждом заполненном квантовом состоянии
находятся два электрона с противоположно
направленными спиновыми угловыми
моментами, поэтому количество электронов
Nэл=2N,
а концентрация электронов
соответственно
равна
.
Для радиуса сферы
Ферми
и уровня Ферми имеем:
, (3)
. (4)
Таким образом,
уровень Ферми полностью определяется
концентрацией свободных электронов n.
Для одновалентного металла с простой
кубической решёткой очевидно
,
где а
– параметр решётки, поэтому
.
Принимая для оценки а=0.3
нм, получим
.
Для типичных металлов уровень Ферми
.
Полезны также оценки скорости и длины
волны электронов вблизи уровня Ферми:
м/с,
нм.
Фермиевская
скорость, как видно, значительно превышает
скорость звука
,
что вызывает эффект испускания электроном
фонона и специфическое взаимодействие
электронов за счёт обмена виртуальными
фононами и приводит к переходу в
сверхпроводящее состояние при охлаждении
ряда металлов в области криогенных
температур. Соизмеримость длины волны
фермиевского электрона с параметром
решётки означает, кроме того, что
фермиевский электрон является квантовым
объектом в металлическом кристалле.