
- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1. Трансляционная симметрия кристалла
- •Глава 2. Колебания атомов кристаллической решётки
- •2.1. Гармоническое приближение
- •2.2. Колебания атомов одномерного кристалла с одним атомом в элементарной ячейке
- •2.3. Колебания одномерного кристалла с двумя атомами в элементарной ячейке
- •2.4. Колебания атомов в трехмерном кристалле
- •Глава 3. Квантовая теория тЕплоёмкосТи кристалла
- •3.1. Модель Дебая
- •3.2. Плотность состояний фононного спектра
- •3.3. Циклические граничные условия Борна-Кармана
- •3.4. Интерполяционная формула Дебая
- •3.5. Законы Дебая и Дюлонга-Пти
- •3.6. Физический смысл температуры Дебая
- •Глава 4. ЭлЕктронные состояния в кристалле
- •4.1.Теорема Блоха
- •4.2. Понятие квазиимпульса
- •4.3. Обратная решётка
- •4.4. Неоднозначность квазиимпульса
- •4.5. Приведение к первой зоне Бриллюэна
- •4.6. Количество состояний в зоне Бриллюэна
- •Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
- •5.1. Метод сильносвязанных электронов
- •5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
- •5.1.2. Метод сильной связи с учётом симметрии кристалла
- •5.2. Метод слабосвязанных электронов
- •5.3. Классификация кристаллов на диэлектрики, полупроводники и металлы
- •Глава 6. Электронная теория металлов
- •6.1. Основные недостатки классической теории металлов.
- •6.2. Уровень Ферми. Поверхность Ферми
- •6.3. Температура Ферми. Критерий вырождения ферми-газа
- •6.4. Электронная теплоёмкость металла
- •6.5. Электрон-фононное взаимодействие и электропроводность металлов
- •6.5.1. Квазиклассические уравнения движения электрона в кристалле.
- •6.5.2. Физический смысл длины свободного пробега электрона
- •6.5.3. Электропроводность нормальных металлов при высоких
- •6.6. Сверхпроводимость
- •Глава 7. Полупроводники
- •7.1. Носители заряда в полупроводниках
- •7.1.1. Законы дисперсии электронов и дырок
- •7.1.2. Статистика носителей заряда в полупроводниках
- •7.1.3. Равновесная концентрация электронов и дырок
- •7.2. Проводимость собственных полупроводников
- •7.3. Проводимость легированных полупроводников
- •7.3.1. Элементарная теория мелких центров
- •7.3.2. Электропроводность легированных полупроводников
- •Глава 8. Методы исследования электронной структуры металлов и полупроводников
- •8.1. Гальваномагнитные методы и циклотронный резонанс
- •8.1.1. Эффект Холла
- •8.1.2. Движение электрона в магнитном поле
- •8.1.3. Циклотронный резонанс в металлах
- •8.2. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
- •8.3. Квантовые осцилляционные эффекты
- •Литература
- •392008, Г. Тамбов, ул. Советская, 190г
Глава 5. Элементы зонной теории кристаллов
5.1. Метод сильносвязанных электронов
5.1.1 Метод сильной связи без учёта симметрии кристалла
В методе сильной связи электроны кристалла предполагаются сильно связанными с атомами, что соответствует случаю диэлектрика. Для нахождения энергетического спектра электронов рассмотрим задачу о конденсации одноатомного газа. В нулевом приближении теории возмущения будем считать атомы невзаимодействующими, т.е. разнесёнными на большие расстояния.
Запишем уравнение Шрёдингера для валентного электрона в атоме под номером l=1,2…Nат (где Nат – число атомов в системе)
. (1)
Здесь Н0
– оператор Гамильтона электрона в
отдельном атоме, Е0
– атомный уровень,
волновая
функция электрона в этом атоме, п
– совокупность внутриатомных квантовых
чисел. Таким образом, каждый атомный
уровень Е0
в газе оказывается Nат-кратно
вырожден, так как собственным функциям
соответствует одно собственное значение
энергии Е0.
Согласно теории возмущения в случае
вырождения возмущение со стороны
соседних атомов в ходе конденсации газа
в кристалл снимает вырождение, и каждый
атомный уровень расщепится в разрешённую
энергетическую зону, количество
подуровней в которой равно кратности
вырождения, т.е. числу атомов кристалла.
Таким образом, в методе сильносвязанных
электронов необходимо решить уравнение
Шрёдингера
, (2)
где
–
оператор Гамильтона электрона в
кристалле,
– оператор возмущения со стороны
соседних атомов, Е
и
энергия и волновая функция электрона
в кристаллической решётке.
Учитывая сильную связь электронов с атомами кристалла, будем пренебрегать в явном виде интегралом перекрывания
при
.
Учитывая также,
что атомные состояния нормированы, т.е.
,
получим, что атомные орбитали
образуют ортонормированную систему
функций
, (3)
что даёт возможность
разложить искомую волновую функцию
электрона в кристалле в ряд по атомным
орбиталям, т.е. по собственным функциям
атомного гамильтониана
:
. (4)
Такое разложение аналогично методу линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО), используемого в квантовой химии. Подставим разложение (4) в уравнение (2):
. (5)
Умножим это
уравнение слева на функцию
,
проинтегрируем по всему пространству
(
)
и приведём к каноническому виду
,
где
– матричные элементы оператора Гамильтона
Н,
соответствующие переходу между
состояниями
и
,
а
– матричные элементы оператора
межатомного взаимодействия.
Будем отсчитывать
энергию электрона в кристалле от атомного
уровня Е0
и обозначим
,
тогда
. (6)
Система (6) совместна, если равен нулю определитель, составленный из коэффициентов при сl.
. (7)
Это алгебраическое
уравнение степени Nат
относительно переменной
имеет Nат
различных корней:
.
Таким образом, при конденсации одноатомного газа каждый атомный уровень расщепляется в энергетическую зону, состоящую из Nат уровней по числу атомов в кристалле. Положение каждого уровня в зоне даётся вековым уравнением (7) теории возмущения в случае вырождения.