
- •Назначение, структура и основные функции рпу.
- •Общая структурная схема радиоприемного устройства. Назначение отдельных блоков рпу.
- •Основные параметры и качественные показатели радиоприемных устройств.
- •Искажение сигналов в рпу. Внутренние шумы рпу.
- •Способы построения радиотракта рпу. Приемники прямого детектирования, прямого усиления и супергетеродинный.
- •Способы построения радиотракта рпу. Супергетеродинный и синхронный приемники
- •Входные цепи рпц. Схемы и характеристики. Эквиваленты приемных антенн.
- •Анализ одноконтурной входной цепи. Коэффициент передачи.
- •Входные устройства с ненастроенными антеннами.
- •Преобразователи частоты. Общая теория преобразователя частоты.
- •Побочные каналы преобразователей частоты.
- •Транзисторные преобразователи частоты. Крутизна преобразования.
- •Балансный транзисторный преобразователь частоты. Схема с компенсацией помех зеркального канала.
- •Свч смесители на полевых транзисторах с затвором Шотки.
- •Диодные преобразователи частоты. Крутизна преобразования.
- •Резистивный и емкостной режимы работы диода в преобразователе частоты.
- •Резонансные усилители. Назначение и виды.
- •Коэффициент усиления и ачх одноконтурного резонансного усилителя.
- •Устойчивость одноконтурного резонансного усилителя.
- •Методы повышения устойчивости резонансного усилителя.
- •Усилители промежуточной частоты. Основные показатели.
- •Схемы усилителей промежуточной частоты и их характеристики.
- •Переходные процессы в усилителях высокой частоты.
- •Амплитудные детекторы. Квадратичный и линейный режимы детектирования.
- •Квадратичный режим детектирования
- •6.1.2 Линейный режим детектирования
- •Параллельный диодный детектор.
- •Искажения при амплитудном детектировании.
- •Разновидности амплитудных детекторов.
- •Амплитудные ограничители.
- •Фазовые детекторы. Схемы, характеристики.
- •Фазовые детекторы на логических элементах
- •Частотные детекторы. Схемы, характеристики.
- •Принципы регулирования усилителя.
Резистивный и емкостной режимы работы диода в преобразователе частоты.
Резистивный режим диода преобразователя частоты соответствует диапазону напряжений гетеродина преимущественно в области прямого тока. В таком преобразователе применяется диод с малой емкостью. Главную роль в этом режиме диода играет нелинейная зависимость тока диода от напряжения – нелинейная «резистивность». Применяя общую теорию к случаю резистивного режима и пренебрегая емкостями, – из (4.38) получаем параметры Y11 = Y22 = G(0),
Y12 = Y21 = Gпр. Учитывая пренебрежимо малое влияние емкостного сопротивления в (4.54), найдем модуль резонансного коэффициента передачи напряжения:
K0*= – m1m2 GпрGГ/ (GЭ1GЭ2 – Gпр2), (4.55)
где GЭ1 = Gк1 + G(0) + m12 GГ; GЭ2 = Gк2 + G(0) + m22GН – эквивалентные резонансные проводимости соответственно входного и выходного контуров.
Из (4.55) видно, что K0* зависит от m1, m2 и есть оптимальные значения этих коэффициентов, при которых значение K0* будет максимальным. При исследовании K0* на экстремум можно пренебречь собственными резонансными проводимостями контуров, что соответствует реальным схемам.
В сантиметровом и миллиметровом диапазонах волн часто используют балансные ПЧ, которые способны ослаблять шумы гетеродина. Балансный ПЧ состоит из двух небалансных. Два варианта схем балансных ПЧ приведены на рис.4.29: двухтактное включение фильтра промежуточной частоты – рис. 4.29, а) и «однотактное» – рис.4.29,б). При двухтактном включении фильтра напряжение гетеродина действует на диоды vd1 и VD2 с одинаковой фазой, а напряжение сигнала через трансформатор Tp1 — с противоположными фазами. Токи промежуточной частоты в цепях диодов – противофазные. В первичной обмотке трансформатора Tp2 эти токи текут в противоположных направлениях (встречное включение обмоток) и выходное напряжение определяется их суммарным действием. Составляющие токов с частотой гетеродина в половинах обмоток входного и выходного трансформаторов противоположны и взаимно компенсируются, поэтому напряжения гетеродина и шумов гетеродина не проникают во входную и выходную цепи балансного преобразователя.
а |
|
Рис.4.29 – Варианты балансных преобразователей частоты
Емкостный режим диода
В емкостном преобразователе применяется элемент с большой нелинейной емкостью (например, варикап) – рис. 4.24, б). Обратным напряжением смещения Е диод закрыт. В этом случае, пренебрегая активными проводимостями, из (4.38) получаем параметры преобразования:Y11=jCC0;Y12=jПРCПР;Y12= jCCПР; Y22 = jПРC0. (4.60)
Согласно (4.46) с
учетом (4.60) входная проводимость ПЭ в
точках 1—1 (см. рис.9.28) для неинвертирующего
ПЧ YВХ
= jCC0
+ CПР
(YНЭ
+ jПРC0).
(4.61)
При настройке цепи нагрузки в резонанс на частоту fПР= ПР 2 реактивность выходного контура вместе с реактивностью диода равна нулю, тогда (4.61) имеет вид
YВХ = jCC0 + CПР GНЭ, (4.62)
где
GНЭ
= Gк2
+
GН
– эквивалентная
резонансная проводимость выходного
контура с нагрузкой.
|
||
|
Для инвертирующего ПЧ входная проводимость ПЭ из (7.47) с учетом (7.60) при резонансе в выходной цепи определяется выражением
YВХ = jCC0 – CПР GНЭ. Отсюда видно что инвертирующий ПЧ имеет отрицательную активную составляющую входной проводимости GНЭ = – CПР GНЭ. (7.64)
Это происходит вследствие прямого и обратного инвертирующего преобразований, в результате во входной контур поступают колебания с частотой сигнала в фазе с принятым колебанием, что приводит к регенеративному усилению колебаний на частоте принимаемого сигнала.