40. Масочные пзу на диодах и транзисторах.

Масочные ПЗУ на диодах: при выборе одной из адресных шин(АШ) положительное напряжение с нее поступает только на те разрядные шины(РШ), которые связаны с выбранной АШ диодами(соединение некоторых диодов отсутствует).

Масочные ПЗУ на транзисторах: изготовление матрицы ПЗУ осуществляется травлением толстого слоя двуокиси кремния в местах расположения управляющего электрода и будущих контактов с коллектором и эмиттером транзисторов. Толстый слой травится только в местах управляющих электродов тех транзисторов, которые должны хранить код 1. Остальные управляющие электроды остаются замаскированными, т.е. подсоединенными к АШ, указанным слоем двуокиси кремния, а соответствующие им транзисторы будут хранить код 0. Отрицательный сигнал на АШ откроет соответствующие транзисторы. Открытый транзистор соединит выходную РШ с нулевым потенциалов(землей), что будет соответствовать сигналу логического 0. Транзисторы, не подсоединенные к АШ, при считывании будут формировать логическую 1(отрицательное напряжение).

41.Програмируемые пзу. Принцип действия, надежность хранения информации.

Требуемая информация записывается однократно путем разрушения плавких перемычек или восстановление связи пробоем (закорачивнием) обратно включ. диода.

Процесс разрушения перемычек или пробой диода, называется программированием и осуществляется на программаторах подачей электрич. сигналов на соответствующие выводы ППЗУ.

Требуемые токи программирования обеспечиваются повышением приложенного к микросхеме напряжения до 12-20В.

Существенными факторами влияющими на надежность хранения информации являются вероятность неполного разрушения и вероятность восстановления разруш. перемычки или пробитого диода при программировании.

42Принцип действия репрограммируемых пзу.

В репрограммируемых ПЗУ информация может записываться и стираться многократно.

Делятся на 2 типа:

1)стираемые ультрафиолетовым излучением (СППЗУ) EPROM

2)электрически стираемые (ЭСППЗУ) EEPROM.

Репрограммируемые ПЗУ строятся на основе МНОП - транзисторов с плавающим затвором. Плавающий затвор транзистора запоминающего элемента (ЗЭ)подсоединен к горизонтальной шине Х, сток – к вертикальной шине Y. В исходном состоянии на плавающем затворе заряд отсутствует, что соответствует коду 1.

Если при записи инф-и к затворам транзисторов прикладывается положительное напряжение около 25В, то под его воздействием электроны перемещаясь в сторону основного заряда оседают на плавающем затворе.

При считывании к затвору прикладывается напряжение не более 5В. Если на плавающем затворе нет электронов, то промежуток исток-сток становится проводящим, что соответствует хранению логической 1. Если есть, то промежуток остается непроводящим, что соответствует логическому 0.

При стирании все электроны с плавающего затвора стираются на подложку, то есть во все элементы записывается логическая 1.