33. Микросхемы памяти статического озу . Временные диаграммы работы .

На адрес подаётся сигнал с задержкой . CS разрешает работу микросхеме . Затем подаётся сигнал wr/rd и на данных получается 0 или 1.CEO всегда должен быть разрешающим.

34. Микросхемы памяти динамического озу . Принцип действия по структурной схеме.

При поступлении на входы микросхемы адреса ячейки памяти производится одновременная запись и чтение всех ячеек находящихся по данному адресу но в различных матрицах . В этом случае одновременно считываются и записываются сразу несколько бит информации . Количество бит информации которое хранится в ячейках каждой матрицы называется глубиной адресного пространства . Общая ёмкость микросхемы опеделяется произведением глубины адресного пространства на кол-во линий ввода/вывода.Когда ЦП или другое устройство обращается к памяти для записи или чтения информации то информация считывается со всей строки запомин.элементов, помещяется в буфер ввода/вывода и производится перезапись инф-ии . При чтении данные выбираются из буфера ввода/вывода ив соответствии с адресом столбца . При записи инф-я подаётся со входа микросхемы (а не из буфера ) в соответствии с адресом столбца .

35Элемент памяти динамического озу.

В режиме хранения транзистор VT закрыт . При подаче напряжения на адресную шину транзитор открывается и при этом элемент памяти оказывается подготовленным для записи/считывания информации . Запись логической 1 осуществляется зарядом , а 0 разрядом запоминающего конденсатора . При подаче на разрядную шину соотв. Высокого или низкого потенуиала. Состояние элемента памяти при считывании информации оределяется по наличию или отсутствию тока счит. На разрядной шине . Для обеспечения сохранности инф-ии в Эл. Памяти необходима пеиодическая регенерация заряда конденсатора т.к. из – за токов утечки запомин.конденсатор может разряжаться.

38.Виды динамической памяти: fpm, edo, bedo, sdram, drdram.

FPM – память быстрого статического режима. В этой памяти адрес строки выставляется на шине только один раз и сигнал RAS удерживает на низком уровне на время всех последующих циклов, которые могут быть как цикл записи, так и чтения.

EDO – асинхронная память. Эта память имеет регистр-защелку выходных данных, что позволяет сократить длительность импульса CAS.

BEDO – в этих микросхемах кроме регистра-защелки выходных данных есть еще внутренний счетчик адреса столбцов для пакетного цикла. Это позволяет выставлять адрес столбца только в начале пакетного цикла, а во 2, 3, 4 передачах импульсы CASтолько запрашивают очередные данные.

SDRAM – синхронная динамическая память работает по переднему фронту.

DRDRAM - синхронная динамическая память.

39. Классификация и виды пзу.

ПЗУ в рабочем режиме ЭВМ позволяют только считывать информацию. Запись информации в него в процессе работы ЭВМ невозможна. Бывают масочные, программируемые и репрограммируемые ПЗУ. В масочных ПЗУ информация заносится изготовителем однократно с помощью маски на одном из этапов технологического процесса изготовления кристаллов. После изготовления информацию изменить нельзя. В программируемых ПЗУ программируемые матрицы при изготовлении заполняются однородной информацией, которая изменяется после изготовления изготовителем или потребителем лишь однократно. В репрограммируемых ПЗУ информация записывается и стирается многократно.