Билет №27

1. Стабилитрон. Арналуы, сипаттамасы, көрсеткіштері. .

 Стабилитрон және стабистор тұрақты токтың сызықты емес тізбектерде кернеуді тұрақтандыру үшін қолданылады. Стабилитронның стабистордан айырмашылығы кернеуді тұрақтандыру үшін ВАС-тың қай тармағы алынатығында.

Шамасы жоғары кернеулерді (U>3В) тұрақтандыру үшін ВАС-тың кері тармағын (АВ участкісін) пайдаланады. Міне, осы мақсатпен қолданылатын диодтар стабилитрондар деп аталады.Стабилитронның негізгі параметрлеріне жататындар келесі: - берілген ток мәнінде номиналды тұрақтандыру кернеуі; - берілген ток мәніндегі дифференциалдық кернеуі; - тұрақтандырудың минималь жарамды тоғы; - максималь жарамды шашырайтын қуат; -тұрақтандырудың кернеуінің температуралық коэффициенті [K^-1] өлшем бірлігімен беріледі де өтіп кеткен дәрежесі (2.3) өрнек бойынша:

,бұл жерде - аралықта температура өзгергендегі U_{тұрақ ном.}- номинал мәнінен U_тұрақ кернеуінің ауытқуы.Кернеудің екі полярлы тұрақтандыру схемаларында симметриялы стабилитрон қолданылады, оның белгіленуі келесі:      

8- Сурет. ШӨ стабилитронның ВАС-ы:U- аспаптың шықпаларындағы кернеу;U_тұрақ- тұрақтандыру кернеуі;I- стабилитрон арқылы жүретін ток.ШӨ стабилитронда ВАС-тың жұмысшы учаскесі оның е^—ды – кемтіктік өткелінің электрлік тесіп өтілуіне сәйкесті болатын кері кернеулердің тар аймағында жатыр. Тесіп өту механизм туннельдік эффектпен, немесе соққы иондау және көшкіндік тесіп өтумен түсінідіріледі. Сонымен, ШӨ стабилитронда U_тұрақ шамасы тәжірибе жүзінде электрлік тесіп өту кернеудің шамасымен дәлдеседі.

2.Транзисторларды схемаға ортақ эмиттермен қосу. Көрсеткіштері, сипаттамалары.

5.7.3 Ортақ эмиттерлі сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері

Іс жүзінде транзисторды ортақ эмиттермен жалғау сұлбасы жиі қолданылады. Мұндай жалғау кезінде база кіріс электрод  болып табылады, эмиттер жерге жалғанады (ортақ электрод), ал коллектор шығыс электрод болып табылады (сурет 5.5,б).Ортақ эмиттерлі сұлбада:

а) ток бойынша күшейту еселігі |U_кэ=const ондаған және жүздеген бірліктер.     параметрі эмиттер тогының беріліс еселігімен келесі қатынас арқылы байланысады

;     ;

б) кернеу бойынша күшейту еселігі, ,

ө йткені R_ж>>R_кір,  β>>1, онда K_u>>1 (жүздеген);

в) қуат бойынша күшейту еселігі - ондаған мыңдықтар;

г) кіріс кедергісі - жүздеген Ом және бірнеше кОм. Ортақ эмиттерлі сұлбаның кіріс кедергісі ортақ базалы сұлбаның кіріс кедергісінен үлкен;

д) шығыс кедергісі  ондаған кОм.

Осылайша, R _{шығ оэ} < R _{шығ об},  R _{кір оэ} > R_{кір об};

е) шығыс кернеудің фазалы ығысуы φ =π.

3.h – параметрлер.

Измерение h-параметров биполярных транзисторов.Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используется так называемые h-параметры транзистора, включение по схеме с ОЭ.

Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: Iб, Uбэ, Iк, Uкэ. Две из них можно считать независимыми, а две могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбрать величины Iб и Uкэ. Тогда

Uбэ=F1(Iб,Uкэ) (1.18)

Iк=F2(Iб,Uкэ) (1.19)