- •Диод. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы
- •2. Дрейфтік биполяр транзистор. Құрылысы, жұмысы, шектiк жиiлiгi.
- •Тұрақты ток күшейткіштері (ттк)
- •1. Фотодиодтар. Жұмысы. Көрсеткіштері. Сипаттамалары. Таңбалануы.
- •2. Шалаөткізгіштердің өткізгіштігі. Олардың аймақтық теория бойынша құрылымы. Ферми деңгейі.
- •3. Біртактлі каскадтар. Жүктемелік сипаттамаларды сызу. Қисытық бұзылыстарды анықтау.
- •23 Сурет – Эберс–Моллдың математикалық нобайы
- •19 Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы а)
- •3. Аналогты сигналдар қосуыштары. Интеграторлар және дифференциаторлар.
- •Диод. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы.
- •1.Биполярлық транзисторлар. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы.
- •19 А)Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы
- •20 Сурет б)
- •2.Тіректі диодтар. Құрылысы, жұмысы.
- •Билет №27
- •2.Транзисторларды схемаға ортақ эмиттермен қосу. Көрсеткіштері, сипаттамалары.
- •Билет №28
- •Донорлық және акцепторлық қоспалар.
- •Шалаөткізгіш стабилитрон. Құрылысы, жұмысы.
- •6.1 Басқарушы p-n өткелі бар өрістік транзистор
- •Билет №29
- •Билет №30
- •Оқшауланған жаппасы бар өрістік транзисторлар немесе мтш транзисторлар. Сипаттамалары, көрсеткіштері, белгіленуі.
- •31 Сурет Басқарушы «p-n»- өткелі бар «n» арналы «р» өт.
- •3. Дифференциалдық күшейткіштер.
- •1) Стабилитрон. Вольтамперлік сипаттамасы, көрсеткіштері. Стабистор.
- •3) Дифференциалдік күшейткіштер.
- •1) Диодтық оптрон. Құрылысы, таңбалануы, көрсеткіштері.
- •2) Өрісті транзистордың жұмыс істеу принципі.
- •3) Операциалық күшейткіштер. Оларға қойылған талаптар.
- •1) Транзистордың т-әрпі тәрізді физикалық эквивалент схемасы, h – параметрлер.
- •Малосигнальная эквивалентная схема транзистора для включения с об
- •2) Диодтар. Таңбалануы, құрылысы.
- •3) Биполярлық транзистордың жұмыс атқару принципі.
- •19 Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы а)
- •2) Транзистрлардың құрылысы, вольтамперлік сипаттамасы, жұмысы.
- •3) Қүймалық және қүйма- тиектік сипаттамалар.
- •3) Қушейткіштер.
1. Фотодиодтар. Жұмысы. Көрсеткіштері. Сипаттамалары. Таңбалануы.
Фотодиод – жұмыс істеуі бекітуші қабаттағы фотоэффектіге негізделген фотоэлектрондық аспап, p-n өткелде жарық ағынының әсерінен ЭҚК пайда болады.
Құрылымы қарапайым p-n өткелдегідей. Германий немесе кремнийден жасалады, көбінесе кремнийден, өйткені оның түрлендіру еселігі жоғары.
Жарықпен екі бағытта әсер етуге болады:
а) p-n өткелге параллель, бірақ бұл жағдайда барлық процестер бетіндегі кішігірім облыста жүреді;
б) p-n өткелге перпендикуляр, облыстардың бірі сәулелерге арналып мөлдір етіп жасалады.
. Фотодиодтар екі түрлі жұмыс әлпінде пайдаланылады: сыртқы қорек көзінсіз фотогенератор ретінде және сыртқы қорек көзімен фототүрлендіргіш ретінде.
Фотодиод, қарапайым диод секілді, бір р-п өтпесінен тұрады. Бірақ түйістің ауданы басқа диодтарға қарағанда әлдеқайда үлкен болады, өйткені сәуле осы ауданға перпендикуляр түсуі керек . р-п өтпесіне түскен сәуле фотондары қоздыратын валенттік электрондар өткізгіштік аймаққа өтеді. Осының салдарынан екі шала өткізгіште де заряд тасушы қос бөлшектердің (электрондар мен кемтіктердің) саны көбейеді.
2. Шалаөткізгіштердің өткізгіштігі. Олардың аймақтық теория бойынша құрылымы. Ферми деңгейі.
Шала өткізгіштер – қалыпты температурадағы меншікті электр кедергісі = 10-3 109 Ом∙см болатын заттар, өткізгіштерде бұл сипаттама 10-3 10-6 Ом∙см арасында, ал диэлектриктерде 1091018 Ом∙см.
Шала өткізгіштерге элементтердің периодтық кестесінің төртінші тобындағы элементтер, интерметалдық қоспалар, тотықтар, сульфидтер, карбидтер жатады.
Шала өткізгіштердің металлдардан негізгі айырмашылықтары:
а) таза шала өткізгіштердің электр кедергісі температураға тәуелдігі жоғары болып келеді. Олардағы кедергінің температуралық еселігі КТЕ = − (56) % / ºС, металдарда КТЕ = (0,4 0,6) % / ºС;
б) шала өткізгішке қоспа қосылса оның меншікті кедергісі азаяды. Мысалы, германийге 10-5 % мышьякты қосу оның кедергісін 200 есе азайтады, ал қорытпалардың кедергісі қорытпа құрамына кіретін жеке металлдардың кедергісінен әрқашан үлкен болады.
Т=0 К кезінде электрондары жоқ рұқсат етілген аймақ бос деп аталады. Қозу кезінде электрондар бар болатын бос аймақ өткізгіштік аймағы деп аталады.
Шала өткізгіште әдетте валенттік және өткізгіштік аймақ арасындағы рұқсат етілмеген аймақ қарастырылады. Рұқсат етілмеген аймақтың ені ЕЗ төмен деңгей немесе өткізгіштік аймақтың түбі ЕТ мен жоғарғы деңгей немесе валенттік аймақ төбесі ЕВ арасындағы айырмаға тең
ЕЗ = ЕТ - ЕВ.
Рұқсат етілмеген аймақтың ені ЕЗ қатты дененің электрлік қасиеттерін анықтайтын негізгі параметр болып табылады.
Ферми тарату функциясы
Т*-ға тең температурада Е энергетикалық деңгейдің электронмен толықтық ықтималдығы Ферми-Дирак тарату функциясымен анықталады
fn(E) = 1 / {exp[(E-Ef) / kT]+ 1},
мұндағы
k = 1,38∙10-23 Дж/К – Больцман тұрақтысы,
Еf – Ферми деңгейі, бұл деңгейде электронның бар болу ықтималдығы Т0 күйде 0,5-ке тең.
Таза шала өткізгіште Ферми деңгейі рұқсат етілмеген аймақтың орта шенінде орналасады және өткізгіштік аймағындағы электрондардың таралуы Ферми функциясының «құйырығымен» сипатталады және Е-Еf 3кТ болғанда, жоғарыдағы теңдеудің бөліміндегі бірді экспонентамен салыстырғанда ескермеуге болады.