1) Транзистордың т-әрпі тәрізді физикалық эквивалент схемасы, h – параметрлер.

Из малосигнальных эквивалентных схем биполярного транзистора наиболее часто встречается Т-образная. Такая схема для включения транзистора с ОБ может быть легко получена из «Эквивалентной схемы транзистора в виде модели Эберса-Молла» (см.рис. выше) заменой эмиттерного и коллекторного диодов их дифференциальными сопротивлениями r_э и r_к, а статистических коэффициентов α_ОN и α_OI передачи тока — дифференциальными коэффициентами при нормальном α_N и инверсном α_I включении перехода. Если транзистор работает в нормальном режиме, то из эквивалентной схемы можно исключить источник тока α_1I2 и α_N обозначить через α_.

При этом учет сопротивления R_Б базового слоя не усложняет анализ малосигнальной схемы. Таким образом, малосигнальная эквивалентная схема транзистора для схемы с ОБ принимает вид:

Малосигнальная эквивалентная схема транзистора для включения с об

Положительное направление тока эмиттера выбрано произвольно, поскольку знак приращения Δ (обозначение Δ на схеме для простоты опущено) может быть любым. Коллекторная и эмиттерная емкости изображены штриховыми линиями, так как они учитываются только при высоких частотах, а в низкочастотных схемах их можно не показывать.

Эквивалентная схема в h-параметрах отражает зависимость выходного тока I₂ и входного напряжения U₁ от его входного тока I₁ и выходного напряжения U₂ транзистора. Эта зависимость определяется системой уравнений:

ΔU₁ = h₁₁ΔI₁ + h₁₂ΔU₂

ΔI₂ = h₂₁ΔI₁ + h₂₂ΔU₂

где ΔU₁ и ΔU₂ — изменения входного и выходного напряжений соответственно; ΔI₁ и ΔI₂ — изменения соответствующих токов.

2) Диодтар. Таңбалануы, құрылысы.

Шала өткізгішті диод – бұл екі шықпасы бар және жұмыс істеу принципі  р-n өткелдің қасиеттерін пайдалануға негізделген шала өткізгішті аспап (бірақ р-n өткелді пайдаланбайтын да диодтар бар).

Дискреттік диод әйнектен, металдан немесе керамикадан жасалған корпусқа орналастырылады.

Түзеткіш диод айнымалы токты тұрақты токқа түрлендіруге арналған аспап.  р-n өткелдің бір жақты өткізгіштік қасиеті пайдаланылады. Негізгі заряд тасушылардың концентрациясы жоғары электрод эмиттер (Э), ал негізгі заряд тасушылардың концентрациясы аз электрод – база (Б) деп аталады.

Импульстік диодтар импульстік режимде жұмыс істеуге арналғандықтан, ондағы өтпелі процесстердің ұзақтығы аз болуы қажет. Негізгі параметрі – шапшаңдық, яғни диодтың ашық күйден жабық күйге ауысып қосылуы және керісінше өту уақыты.

Жарық диоды. Жартылай өткізгішті жарық диодтары деп p-n ауысуы арқылы тура ток өткенде жарық шығаратын диодтарды атаймыз (сурет 1). p-n ауысуына тура кернеу бергенімізде негізгі емес заряд тасушылардың интенсивті түрде инжекциялануы байқалады. Осы инжекциялану кезінде рекомбинация құбылысы бір жүріп, зарядтар компенсацияланады. Осы процесте энергия босап шығады. Жартылай өткізгішті диод схемаларда стрелка белгісіне ұқсас үшбұрышпен белгіленеді де стрелка бағыты токтың өту бағытын көрсетеді. Үшбұрыштың үш жағы катод, ал сырт жағы анод деп аталады. Ток әрқашанда анодтан катодқа ағады. Идеалдық тұрғыдан қарағанда диодтың вентильдік вольт-амперлік сипаттамасы болуы керек: егер де анод пен катод аралығының кернеуі оң болса, ток шексіздікке ұмтылады, яғни Ua>0 болса, I→∞ ;Ua≤0 болса, I=0.

Атауы	Белгіленуі
Түзеткіш диод
Стабилитрон
Туннельдік диод
Кері диод
Варикап
Шоттки диоды
Екі жақты стабилитрон