
- •Диод. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы
- •2. Дрейфтік биполяр транзистор. Құрылысы, жұмысы, шектiк жиiлiгi.
- •Тұрақты ток күшейткіштері (ттк)
- •1. Фотодиодтар. Жұмысы. Көрсеткіштері. Сипаттамалары. Таңбалануы.
- •2. Шалаөткізгіштердің өткізгіштігі. Олардың аймақтық теория бойынша құрылымы. Ферми деңгейі.
- •3. Біртактлі каскадтар. Жүктемелік сипаттамаларды сызу. Қисытық бұзылыстарды анықтау.
- •23 Сурет – Эберс–Моллдың математикалық нобайы
- •19 Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы а)
- •3. Аналогты сигналдар қосуыштары. Интеграторлар және дифференциаторлар.
- •Диод. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы.
- •1.Биполярлық транзисторлар. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы.
- •19 А)Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы
- •20 Сурет б)
- •2.Тіректі диодтар. Құрылысы, жұмысы.
- •Билет №27
- •2.Транзисторларды схемаға ортақ эмиттермен қосу. Көрсеткіштері, сипаттамалары.
- •Билет №28
- •Донорлық және акцепторлық қоспалар.
- •Шалаөткізгіш стабилитрон. Құрылысы, жұмысы.
- •6.1 Басқарушы p-n өткелі бар өрістік транзистор
- •Билет №29
- •Билет №30
- •Оқшауланған жаппасы бар өрістік транзисторлар немесе мтш транзисторлар. Сипаттамалары, көрсеткіштері, белгіленуі.
- •31 Сурет Басқарушы «p-n»- өткелі бар «n» арналы «р» өт.
- •3. Дифференциалдық күшейткіштер.
- •1) Стабилитрон. Вольтамперлік сипаттамасы, көрсеткіштері. Стабистор.
- •3) Дифференциалдік күшейткіштер.
- •1) Диодтық оптрон. Құрылысы, таңбалануы, көрсеткіштері.
- •2) Өрісті транзистордың жұмыс істеу принципі.
- •3) Операциалық күшейткіштер. Оларға қойылған талаптар.
- •1) Транзистордың т-әрпі тәрізді физикалық эквивалент схемасы, h – параметрлер.
- •Малосигнальная эквивалентная схема транзистора для включения с об
- •2) Диодтар. Таңбалануы, құрылысы.
- •3) Биполярлық транзистордың жұмыс атқару принципі.
- •19 Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы а)
- •2) Транзистрлардың құрылысы, вольтамперлік сипаттамасы, жұмысы.
- •3) Қүймалық және қүйма- тиектік сипаттамалар.
- •3) Қушейткіштер.
Оқшауланған жаппасы бар өрістік транзисторлар немесе мтш транзисторлар. Сипаттамалары, көрсеткіштері, белгіленуі.
Өрістік транзисторлар шықпаларының аталымдары: құйма (D), бастау (S), және жаппа (G). ӨТ- лер кернеумен басқарылатын құраушылар болып табылады. Құйма-бастау тоғы жаппа-бастау кернеуімен анықталады. Төменгі түрлерін біледі:
басқарушы p-n өткелі бар ӨТ(JFET) және
оқшауланған жаппасы бар ӨТ(IGFET)
Сонғы ӨТ-нің аталымы келесі де болуы мүмкін:
құрылымы металл-тотық-шала-өткізгіш (MOSFET) немесе
МОШ (MТШӨ)-транзисторлар
МОШ-транзисторлар байытылған және де кедейленген болады. Транзистордың байытылған түрінде
=0 болғанда құйма бастау арнасы жабық болады. Транзистордың кедейленген түрінде
болғанда құйма-бастау арнасы ашық болады.
ӨТ-лер n-арналы және p-арналы болып та бөлінеді.
31 Сурет Басқарушы «p-n»- өткелі бар «n» арналы «р» өт.
n-арналы транзисторларда жаппа тоғы жаппаның ішіне бағытталып ағады, яғни бұндай ӨТ-лер жаппаның оң (таңбалы) ығысуымен қосылады (оң жаппа-бастау кернеумен). p-арналы транзисторларда жаппа тоғы жаппаның ішінен сыртқа бағытталып ағады, яғни бұндай ӨТ-лер жаппаның теріс ығысуымен қосылады (теріс таңбалы жаппа-бастау кернеумен).
P.S n-арналы ӨТ-нің және n-p-n-типті БПТ-нің арасындағы ұқсастығы көруге болады.
2-кестеде өрістік транзисторларының (ӨТ) негізгі түрлерінің шолуы келтірілген.
Басқарушы p-n өткелі бар өткелі бар ӨТ-ні, яғни JFET-транзисторды пайдаланғанда жаппа-бастау (G-S) арна кері ығысқан) Si-диоды болып табылады. Бұл диодтың тура ығысуы ӨТ тоғының қатты артуына келтіруі мүмкін де, ол жұмыс істей алмауы мүмкін (тура ығысқан диодтың сипаттамаларын қара).
МОП-транзисторлардың жаппасы (G), құйма (D) мен бастаудан оқшауланған. Жаппа (G)-бастау (S) кедергісінің минималь кедергісі
кілтінің тұйықталған күйіне («қосылған» күйге),
кернеудің шамасына жеткендегі, сәйкесті болады.
Жиі МОП-транзисторларға параллель етіп Si-диодтар (кері ток диодтары ) жалғанады. Өткізбейтін күйде бастау-құйма арнасы кері ауытқыған Si-диоды сияқты жұмыс істейді де, жиілік түрлендіргіштерінде және екітактілі күшейткіштерде қолданыла алады (түзеткіш рөлін атқарады)
МОП-транзисторларда қосымша шықпа болады. Ол төсекіш (B) деп аталады да, диод арнасымен қосылып жаппа сияқты ӨТ-ні басқарады.
PS Ескерту. МОП-транзистордың электр тізбектерінің үзілуін тестермен тексереді. Ол үшін 10B кернеу көзіне қосылған бастау(S)-құйма (D) арнасына тестер жаппа (G)-бастау (S) басқарушы кернеумен қосылады. Егер ӨТ дұрыс жұмыс істейтін болса, арнаның күйі өзгермей қалуы тиіс (ашылған немесе жабылған күйде), басқарушы кернеуді өшіргеннің өзінде де.
2 К е с т е
Түрі
Белгіленуі
Сипаттамасы
Басқарушы
p-n-өткелі бар n-арналы өрістік тран- зистор ӨТ
Басқарушы p-n-өткелі бар p-арналы ӨТ
n-арналы кедейленген МОП- транзистор
n-арналы байытылған МОП –транзистор
p-Арқылы кедейленген МОПтранзистор
p-Арқылы байытылған МОП- транзистор