
- •Диод. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы
- •2. Дрейфтік биполяр транзистор. Құрылысы, жұмысы, шектiк жиiлiгi.
- •Тұрақты ток күшейткіштері (ттк)
- •1. Фотодиодтар. Жұмысы. Көрсеткіштері. Сипаттамалары. Таңбалануы.
- •2. Шалаөткізгіштердің өткізгіштігі. Олардың аймақтық теория бойынша құрылымы. Ферми деңгейі.
- •3. Біртактлі каскадтар. Жүктемелік сипаттамаларды сызу. Қисытық бұзылыстарды анықтау.
- •23 Сурет – Эберс–Моллдың математикалық нобайы
- •19 Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы а)
- •3. Аналогты сигналдар қосуыштары. Интеграторлар және дифференциаторлар.
- •Диод. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы.
- •1.Биполярлық транзисторлар. Жұмысы, көрсеткіштері, сипаттамалары, таңбалануы.
- •19 А)Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы
- •20 Сурет б)
- •2.Тіректі диодтар. Құрылысы, жұмысы.
- •Билет №27
- •2.Транзисторларды схемаға ортақ эмиттермен қосу. Көрсеткіштері, сипаттамалары.
- •Билет №28
- •Донорлық және акцепторлық қоспалар.
- •Шалаөткізгіш стабилитрон. Құрылысы, жұмысы.
- •6.1 Басқарушы p-n өткелі бар өрістік транзистор
- •Билет №29
- •Билет №30
- •Оқшауланған жаппасы бар өрістік транзисторлар немесе мтш транзисторлар. Сипаттамалары, көрсеткіштері, белгіленуі.
- •31 Сурет Басқарушы «p-n»- өткелі бар «n» арналы «р» өт.
- •3. Дифференциалдық күшейткіштер.
- •1) Стабилитрон. Вольтамперлік сипаттамасы, көрсеткіштері. Стабистор.
- •3) Дифференциалдік күшейткіштер.
- •1) Диодтық оптрон. Құрылысы, таңбалануы, көрсеткіштері.
- •2) Өрісті транзистордың жұмыс істеу принципі.
- •3) Операциалық күшейткіштер. Оларға қойылған талаптар.
- •1) Транзистордың т-әрпі тәрізді физикалық эквивалент схемасы, h – параметрлер.
- •Малосигнальная эквивалентная схема транзистора для включения с об
- •2) Диодтар. Таңбалануы, құрылысы.
- •3) Биполярлық транзистордың жұмыс атқару принципі.
- •19 Сурет – Биполярлық транзистордың құрылысы а)
- •2) Транзистрлардың құрылысы, вольтамперлік сипаттамасы, жұмысы.
- •3) Қүймалық және қүйма- тиектік сипаттамалар.
- •3) Қушейткіштер.
Шалаөткізгіш стабилитрон. Құрылысы, жұмысы.
Стабилитрон және стабистор тұрақты токтың сызықты емес тізбектерде кернеуді тұрақтандыру үшін қолданылады. Стабилитронның стабистордан айырмашылығы кернеуді тұрақтандыру үшін ВАС-тың қай тармағы алынатығында.
Стабилитронның негізгі параметрлеріне жататындар келесі:
- берілген ток мәнінде номиналды тұрақтандыру кернеуі;
- берілген ток мәніндегі дифференциалдық кернеуі;
- тұрақтандырудың минималь жарамды тоғы;
- максималь жарамды шашырайтын қуат;
- тұрақтандырудың кернеуінің температуралық коэффициенті
[K-1] өлшем бірлігімен беріледі де өтіп кеткен дәрежесі (2.3) өрнек бойынша:
,
бұл жерде - аралықта температура өзгергендегі Uтұрақ ном.- номинал мәнінен Uтұрақ кернеуінің ауытқуы.
Кернеудің екі полярлы тұрақтандыру схемаларында симметриялы стабилитрон қолданылады, оның белгіленуі келесі:
8- Сурет. ШӨ стабилитронның ВАС-ы:
U- аспаптың шықпаларындағы кернеу;
Uтұрақ- тұрақтандыру кернеуі;
I- стабилитрон арқылы жүретін ток.
ШӨ стабилитронда ВАС-тың жұмысшы учаскесі оның е—ды – кемтіктік өткелінің электрлік тесіп өтілуіне сәйкесті болатын кері кернеулердің тар аймағында жатыр. Тесіп өту механизм туннельдік эффектпен, немесе соққы иондау және көшкіндік тесіп өтумен түсінідіріледі. Сонымен, ШӨ стабилитронда Uтұрақ шамасы тәжірибе жүзінде электрлік тесіп өту кернеудің шамасымен дәлдеседі.
3. Өрісті транзисторлар, сипаттамалары.
Өрістік транзистор дегеніміз жұмыс істеу принципі шала өткізгіштің кедергісін көлденең электр өрісімен модуляциялауға негізделген, :
а)шала өткізгішті аспап. Оның күшейткіштік қасиеттері, өткізуші арнасы арқылы өтетін бір таңбалы негізгі заряд тасушылардың (униполюсті) ағынымен анықталады.
Транзисторлар мына түрлерге бөлінеді:
а) Басқарушы p-n өткелі бар (ПТУП-АБӨТ);
б) оқшауланған тиегі бар (МДЖ, МОЖ);
в) диэлектрлік табандағы шел тәрізді өрістік (ҚӨТ).
6.1 Басқарушы p-n өткелі бар өрістік транзистор
Мұндай транзисторлардың бірнеше түрі бар. Транзистордағы өткізуші арна тиектен, кері бағытта ығысқан p-n өткелдермен, оқшауланған. Құйма және бастау электродтары арасындағы арна бойынша негізгі тасушылардың тогы ағады.Бастау (Б) деп арнадағы негізгі заряд тасушылардың қозғалысы басталатын электродты атайды. Заряд тасушылар жиналатын (құйылатын) электрод құйма (Қ) деп аталады. Басқарушы кернеу үшінші электрод – тиекке (Т) беріледі. Мұндай транзистордың құрылымы кернеу беру сұлбасымен және токтардың бағытымен 6.1-суретте бейнеленген.
делік:
а)
егер
болса,
онда біркелкі р-п
өткел
пайда болады, |UТБ
| кернеуі өскен сайын, өткел кеңейеді,
ал өткізуші арна тарылады;
б)
егер
кернеуі
нөлге тең болмаса, онда арнаның ені,
құйма тогының Iқ
әсерінен арна кедергісіндегі кернеудің
түсуі себебінен әркелкі болады. а
нүктесінде
кернеу Uа=UТБ
-ға
тең,
б
нүктесінде –
Uб
=
UТБ
+
UҚБ.
Арнаның қимасы бастаудан құймаға қарай тарылады.
Б
асқарушы
р-п
өткелді
транзистордың жұмыс істеу принципі,
кері кернеудің әсерінен р-п
өткелдің
заряд тасушылар үлесі азайған облысының
енінің өзгеруі себебінен, арна кедергісінің
өзгеруіне негізделген. UТБ
артқан
кезде р-п
өткел арнаға қарай өседі, арнаның
көлденең қимасы және құйма тогы азаяды.
Тиекте кернеу Uтб
үлкен болған кезде арна жабылады
(қабысады) да, ток нөлге ұмтылады. Тиек
пен бастау арасындағы бұл кернеу UТБ
ток
токтату кернеуі UТТ
деп аталады.
Транзистордың негізгі сипаттамалары Uқб = const болғандағы құйма тиектік Iқ = f(Uтб) (сурет 6.3,а) және Uтб = const болғандағы құймалық немесе шығыс сипаттамалары Iқ = f(Uқб) (сурет 6.3,б). Шығыс сипаттамаларды екі облысқа бөлуге болады: I-облыс токтың күрт өзгеруі (сипаттаманың сызықты омдық бөлігі) және қанығу режиміне сәйкес келетін П облысы (бейсызықты жазық, жұмыстық бөлік). Аз Uқб кезінде жабушы қабаттың кеңеюі мардымсыз. Uқб артқан кезде құйма тогы Ом заңы бойынша өседі, динамикалық тепе-теңдік туындайды: құйма тогының артуы р-п өткелдегі кернеудің түсуіне және құйма тогын азайтатын, арнаның тарылуына әкеледі.