Модуль статичної пам’яті

Умовне графічне зображення мікросхем SRAM серій К132РУ9 та К541РУ2 показане на рис.12.

Побудова модуля пам’яті з організацією 1 К х 16 біт на основі чотирьох мікросхем К132РУ9 показана на рис. 12.

Для побудови даного модуля пам’яті необхідно:

підключити десятирозрядну ША (10) до адресних входів всіх мікросхем;
на входи всіх мікросхем подавати сумісні керуючі сигнали , ;
до двонаправлених входів-виходів підключити відповідні розряди з ШД (16).

К132РУ9, К541РУ2

а б

Рис. 12. Умовні графічні зображення мікросхем

Sram типу к132ру9 та к541ру2.

а – повне; б – спрощене

Розглянутий спосіб побудови блоку пам’яті з більшою розрядністю називають розширенням по горизонталі.

Американська електронна промисловість випускає мікросхеми типу SRAM з організацією 8 К х 8, 16 К х 8, 32 К х 8, 64 К х 8, 128 К х 8 біт та часом доступу 8-20 нс.

Рис. 13 Побудова модуля пам’яті 1 К х 16 біт

Модуль динамічної пам’яті

Динамічні ЗП вітчизняного виробництва (1990р.) в основному представлені мікросхемами К565РУ1 – К565РУ9, які характеризуються такими параметрами:

ємністю – від 4 Кбіт до 4 Мбіт;
організацією – 4 К х 1, 16 К х 1, …, 256 к х 1;
часом доступу – 150 – 500 нс;
споживаною потужністю: при зберіганні інформації 20 – 40 мВт, при обміні 150-400 мВт.

Покоління мікросхем динамічної пам’яті змінюються через п’ять років. Недавно група фірм ІВМ, Siemens та інші представили свої ультра-ВІС пам’яті з параметрами:

технологічні норми – 0,25 мкм;
кількість транзисторів на кристалі площею 286 мм² – 280 млн.;
час доступу в пакетному режимі – 26 нс.

Модуль динамічної пам’яті ємністю 64 Мбіт, побудований на чотирьох мікросхемах типу 2100 фірми Motorola з організацією 4 М х 4 біт, показаний на рис. 14.

Рис. 14 Схема модуля динамічної пам’яті

Довжина адресного коду k = 22. Код поділений на дві рівні частини, які подаються мультиплексним способом одночасно на адресні входи мікросхем. По стробу подається старша частина адреси, по стробу - молодша.

Сигнал дозволяє записувати інформацію, а дозволяє записування вихідного буфера при читанні. Інформаційні входи DI і виходи DO об’єднані у спільну шину DIO. Мікросхему випускають у корпусі з 26 виводами.