Свойства полупроводников (п.2.)

Полупроводник

Ширина запрещенной зоны

Эффективная масса

Подвижность

Работа выхода, эВ

E_G

(0 К), эВ

E_G

(300 К), эВ

m*_n / m_e

m*_p / m_e

μ_n,

см²·В^‑1·с^‑1

μ_p,

см²·В^‑1·с^‑1

Si

1.166

1.11

m_l 0.98

m_t 0.19

m*_pт 0.5

m*_pл 0.16

1350

480

4.83

Ge

0.74

0.67

m_l 1.58

m_t 0.082

m*_pт 0.3

m*_pл 0.04

3900

1900

4.80

GaAs

1.52

1.43

0.07

m*_pт 0.5

m*_pл 0.12

8600

400

4.71

GaSb

0.81

0.69

0.045

0.39

4000

650

4.76

InAs

0.43

0.36

0.028

0.33

30000

240

4.90

InSb

0.235

0.17

0.0133

m*_pт 0.6

m*_pл 0.012

76000

5000

(78 К)

4.75

InP

1.42

1.28

0.07

0.4

4000

650

4.45

AlSb

1.6

1.6

0.11

0.39

50

400

4.86

№ п / п

Физическая величина

Значение

1

Элементарный заряд, e

1.602177·10^-19 Кл

2

Электрон-вольт (эВ)

1.602177·10^-19 Дж

3

Масса покоя протона, m_p

1.672623·10^-27 кг

4

Масса покоя электрона, m_e

9.109389·10^-31 кг

5

Удельный заряд электрона, - e / m_e

-1.758819·10¹¹ Кл/кг

6

Постоянная Планка, h

6.626075·10^-34 Дж·с

7

Постоянная Планка,

1.054572·10^-34 Дж·с

8

Постоянная Авогадро, N_A

6.022136·10²³ моль^‑1

9

Постоянная Больцмана, k

1.380658·10^-23 Дж/К

10

Универсальная газовая постоянная, R

8.314 Дж/(моль·К)

11

Скорость света, с

2.997925·10⁸ м/c

12

Боровский радиус

0.529117·10^-10 м

13

Магнитная постоянная, μ₀

12.566371·10^-7 Гн/м

14

Электрическая постоянная, ε₀

8.854187·10^-12 Ф/м