5.2 Кернеу деңгейін жылжыту сұлбасы

Е_к коллекторлық көзінің келесі каскад кірісіне жоғары кернеудің жіберілуін болдырмас үшін кернеу деңгейін жылжыту сұлбалары қолданылады (5.2сурет).

Бұл жерде = 0,7 В – эмиттерлік өткізуде және диодта кернеудің төмендеуі;

n – диодтар саны;

5.3 Фазоинверстік каскад

Ф азоинверстік немесе бөлінген жүктемелі каскад (5.3 - сурет) R_н1 және R_н2 жүктемелеріне ие. R_к резисторы (осы шығыс бойынша транзистор ОЭ сұлбасы бойынша қосылған) шығыс сигналын түсіру үшін қызмет етеді, R_э ‑ (ОК сұлбасы бойынша транзистор қосылған) шығыс сигналын түсіру үшін.

Күшейту коэффициенті

.

Күшейту коэффициенті

.

Әдетте қарсыфазада амплитуда бойынша бірдей сигналдар түсіріледі.

болуы үшін болуы керек.

5.4 Күшкейткіштердің шығыс каскадтары

Шығыс каскадтар – бұл қуат күшейткіштері. Олар максималды ПӘК мәнінде және минималды бейсызықтық ығысуларда жүктемеде ең жоғары максималды деңгейге жету үшін қолданылады.

Микроэлектроникада А классы ПӘК-тің төменгі мәні әсерінен сирек қолданылады. Көбінесе екітактілі В және АВ класстарының күшейткіштері қолданысқа ие.

5.4.1 Қарапайым екітактілі сұлба

Комплементарлық транзисторлардағы В классының қарапайым екітактілі сұлбасын қарастырайық ( 5.4 - сурет).

Т ранзистор VT₁ – n-p-n, VT₂ – p-n-p –типті

R_н жүктемесі эмиттерлік тізбекте қосылған, яғни транзистор ОК сұлбасы бойынша қосылады, сонымен бірге бұл ЭҚ ток күшейтілуінің жоғары коэффициентіне негізделген қуат бойынша күшейтуді жоғары деңгейде береді.

Тыныштық режімінде екі транзисторда жабық, өйткені (В класында) U_эб = 0.

Айнымалының оң жартылай толқынын жіберу кезінде VT₁ кернеуі – ашылады, VT₂ –жабылады. Ток +Е₁ ‑ КЭ₁ ‑ R_н ‑ – Е₁-ден беріледі.

Айнымалының теріс жартылай толқынын жіберу кезінде VT₁ кернеуі – жабылады, VT₂ –ашылады.Ток +Е₂ ‑ R_н ‑ЭК₂ ‑ – Е₂-ден келеді. Осы сияқты сұлба екі тактіде жұмыс жасайды: бірінші тактіде ашық болады, екіншіде ‑ VT₂, яғни, күшейткіш шығысында екіполярлы сигнал болады. Қуат бойынша күшейту коэффициенті .

Б ірақ, сұлбаның кемшілігі – ол бейсызықтық ығысулардың жоғары коэффициентіне ие. 5.5 – суретте біріктірілген передаточная мінездеме көрсетілген . Оң және теріс жартылайтолқындарының ұзақтығы шығысында сигналдың жартылайпериодынан аз болады (синусоиданың бөлігі күшейтілмейді). шығыс тогы импульстік мінездемеге ие, яғни,өзінің спектрінде жоғары гармоникалар саны бар.Бұл әсіресе U* өлшенетін кішкентай кезінде маңызды.

5.4.2 Бастапқы бөлінген ығысуы бар қуат күшейткіші

Бейсызықтық ығысуларды болдырмау үшін транзисторлар базаларына бөлінген ығысулар енгізіледі. ( 5.6 – сурет) және диодтарында U* кернеуінің төмендеуі құрылады,ол бастапқы координаттан транзисторының жұмыс нүктесін солға, ал –оңға ығыстырады. (5.7– сурет). Жіберу мінездемесі түзу сызықты көрсетеді.Сонымен бірге, бейсызықтық ығысулар төмендейді. Бұл диодтар әрқашан ашық болады, өйткені қорек көзінің суммалық кернеуі кіріс сигналына қарағанда көбірек болады.

Базалық тізбектегі кернеулік бөлгіші бар трансформаторсыз қуат күшейткішінің әртүрлілігін қарастырайық (5.8 – сурет). Бұндай сұлба қосымша симметриялы сұлба деп те аталады. Бұл жерде – В классында ығысу құру үшін кернеу бөлгіштері.

Келесі шарт орындалуы керек .

R₂ орталық нүктесі нөлдік потенциялға ие екені белгілі. Екі транзистордың базасын айнымалы ток бойынша қысқартылған деп есептеп, базалардың біріне кіріс кернеуін жіберуге болады. Сигнал бір фазада екі транзисторға берілетін болғандықтан, олар кезектесіп жұмыс жасайды. Әдетте, R₂ орнына диодтарды қояды. Әр диодта U*= 0,7 В төмендейді, ол В классының режимін қамтамасыз ететін ығысу құрады.

Транзисторды қосу сұлбасы – ортақ коллекторлы.