3.2.4 Жұмыс нүктесінің термокомпенсациясы

Ү лкен тұрақтылыққа ие болу және таратылатын қуатты азайту үшін бейсызықтық термосезімтал кедергілерді қолдануға болады: термисторлар, диодтар және басқа да кедергінің температуралық коэффициенті (КТК)байқалатын бейсызықтық элементтер.

3.8-суретте режимнің термокомпенсациясы қолданылған. Базалық бөлгіш тізбегіндегі R_t термисторының кедергісі температураға(t) тәуелді. Температура жоғарылағанда коллекторлық өткізгіштің I_к0 жылу тогы ұлғаяды, сонымен бірге коллектор тогы I_к да жоғарылайды. Осы уақытта R_t кедергісі азаяды, U_б ығысу және коллектор тогы төмендейді.

4 Дәріс 4. Ортақ база мен ортақ эмиттер тжк транзисторы

Дәріс мазмұны:

–ортақ эмиттер ТЖК транзисторымен. Ортақ база күшейткіші.

Дәріс мақсаты:

• ОБ мен ОЭ күшейткіш каскадын меңгеру;

– эквиваленттік сұлбалары, негізгі параметрлері, осы сұлбалардың ерекшелігі.

4.1 Ортақ эмиттер тжк транзисторы. Эквиваленттік сұлбасы

Эквиваленттік сұлбаларда күшейткішті есептеу және анализдеу қолданылады. Күшейткіштің эквиваленттік сұлбасын (4.1- сурет) көрейік.

Ә детте қорек көзі E_к айнымалы құраушыдан оған түсетін кернеу басқа ТЖК элементтеріндегі түсетін кернеуден әлдеқайда төмен болатындай етіп таңдалынады. Сонда E_к ішкі кедергісін ескермеуге болады. Базалық бөлгіштің кедергісі . Транзисторды эквиваленттік сұлба ретінде келтіруге болады. Транзистор сұлбасын ескермеймиз:

а) эмитторлық өткелді диффузиялық сыйымдылық пен С_эб өйткені сыйымдылық кедергісі әлдеқайда жоғары дифференциялдық кедергіге ЭҚ қарағанда ;

б) R_э, С_э – эмиттерлік тізбектегі кедергі мен сыйымдылық, өйткені .

ОБ сұлбасымен салыстырғанда дифференциялдық кедергі төмендейді, ал коллектор өткеліндегі барьерлік сыйымдылық ұлғаяды. .

Жоғарыда айтылғанды ескере отырып, барлық жиілік диапазоны үшін _, күшейткіштің эквивалентті сұлбасын аламыз (4.2-сурет).

4.2 Ортақ жиіліктегі оэ - дің тжк транзисторының эквиваленттік сұлбасы

Орташа жилікте күшейткітің күшею коэффициенті К₀ максималды мәнге тең және фаза бұрылысы  = 0 тең, өйткені сыйымдылық сұлбасы әсер етпейді. Шынымен бөлгіш С_р1 сыйымдылығы үлкен болса онда кедергінің сыйымдылығы тізбектей қосылған, орташа жиілікте аз сондықтан С_р2 тең. С_р1 және С_р2 ны ескермеймиз. Барьерлік сыйымдылығы С_кэ аз , ал кедергісінің сыйымдылығы жоғары және олар шыңысына параллель қосылған. Сондықтан С_кэ ны ескермеуге болады. Бұл сұлбадан (4.2 - сурет) ортақ жиілікті сұлбаны аламыз, мұнда барлық сыйымдылық алынады.

Күшейткіштің негізгі параметрлерін анықтайық . Күшейткіштің ішкі кедергісі . Өйткені , то .

Шығыс кедергісі . Өйткені , онда жуық.

Кернеу бойынша күшейту коэффициенті Өйткені және , ескермеймиз және

аламыз.

Ток бойынша күшейту коэффициенті .

Қуат бойынша күшейту коэффициенті .

4.3 Төменгі жиіліктегі оэ тжк транзисторының эквиваленттік сұлбасы

Күшейту коэффициенті төменгі жиілікте (ТЖ) азаяды, өйткені С_р1 және С_р2 -ге әсері болады. Сыйымдылық кедергісі және жиіліктің азаюынан өседі және мөлшерлес болып қалыптасады және . сонымен қатар өседі, ол шығысқа паралель қосылған орташа жиілікке қарағанда оның әсері аз. Эквивалентік сұлбада ТЖ-те тек С_кэ болмайды (4.2 - сурет). С_э–ны дұрыс таңдамағанда термостабилизация тізбегін ТЖ бұрмалау жиілігін қосымша кіргізеді.

, мұнда – орташа жиілік күшейту коэффициенті,

‑ бұрмалау жиілік коэффициенті .

мұнда – сыйымдылық қайтазарядтталу уақыт тұрақтысы.

С_р1, С_р2 және С_э конденсаторлары үшін уақыт тұрақтысы мынадай: ; ; .