
- •Курс лекций
- •Учебное пособие
- •Введение
- •Глава I. Строение и механические свойства кристаллических тел
- •Классификация кристаллов
- •1.2 Физические типы кристаллических решеток
- •1.2.1 Ионные кристаллы
- •Атомные кристаллы
- •Металлические кристаллы
- •1.2.4 Молекулярные кристаллы
- •1.2.5 Водородная связь
- •1.3. Методы определения атомной структуры кристаллических тел
- •Вещества с кубической решеткой
- •Некоторые соединения со структурой хлорида натрия
- •1.4. Дефекты в кристаллах
- •1.4.1 Виды дефектов
- •1.4.2 Точечные дефекты и их влияние на электрические свойства кристалла
- •1.4.3 Дислокации – возникновение и перемещение
- •Механические свойства кристаллических тел
- •Глава II. Электрические и тепловые свойства кристаллических тел
- •2.1 Основные положения теории Друде
- •2.2. Статическая электропроводность и теплопроводность металлов по Друде
- •2.3. Квантовые явления и теории проводимости металлов на их основе
- •2.3.1 Основные положения квантовой механики
- •2.3.2 Теория Зоммерфельда
- •2.3.3 Статистика фермионов
- •2.2.4 Недостатки модели Зоммерфельда
- •2.2.5 Проблемы составления уравнение Шредингера для твердого тела
- •2.4 Основы зонной теории твердого тела Блоха
- •2.4.1 Функции Блоха
- •2.4.2 Качественное рассмотрение поведения почти свободных электронов в кристалле
- •2.4.3 Модель Кронига-Пенни
- •2.4.4 Статистика фермионов в зонной теории
- •2.5 Эффективная масса электрона
- •2.6 Работа выхода электрона в металлах
- •2.7 Автоэлектронная эмиссия: туннельный эффект
- •2.8. Контактные явления
- •2.9. Колебания решетки и акустические волны (фононный газ)
- •2.10. Сверхпроводимость
- •Глава III. Полупроводниковые гомоструктуры
- •3.1 Зависимость собственной проводимости полупроводника от температуры
- •3.2. Примесная проводимость как основная в легированных полупроводниках
- •3.4 Полупроводниковый биполярный транзистор
- •3.5 Полевые транзисторы
- •3.6 Физические технологии создания полупроводниковых структур
- •Глава IV. Гетероструктуры
- •4.1. Физические основы формирования гетероструктур
- •4.4. Практическое применение наноразмерных гетероструктур.
- •Глава V. Аморфные тела
- •Глава VI. Оптические свойства твердых тел.
- •6.1 Поглощение света в кристаллах
- •6.2. Фотопроводимость и фотоэффект в p-n-переходах и гетероструктурах
- •Заключение
- •Дополнительная литература
1.2 Физические типы кристаллических решеток
В зависимости от природы частиц, находящихся в узлах кристаллической решетки, и от характера сил взаимодействия между частицами различают четыре основных типа кристаллических решеток и, соответственно, четыре типа кристаллов, а именно, ионные, атомные, металлические и молекулярные.
1.2.1 Ионные кристаллы
В узлах кристаллической решетки помещаются ионы разных знаков. Силы взаимодействия между ними являются в основном электростатическими (кулоновскими). Связь, обусловленная электростатическими силами притяжения между разноименно заряженными ионами, называется гетерополярной (или ионной). Типичным примером ионной решетки может служить решетка каменной соли NaСl, которая принадлежит к кубической системе (см. рис. 4).
Рис. 4. Кубическая решетка соли NaCl.
Белые кружки – положительные ионы натрия, черные кружки - отрицательные ионы хлора.
Как видно из рисунка, ближайшими соседями иона данного знака будут ионы противоположного знака. Ионный кристалл состоит не из молекул NaCl, а из ионов. Иногда весь такой кристалл в целом рассматривают как одну гигантскую молекулу.
Ионная связь возникает обычно между атомами, одни из которых (как правило, атом металла) способны легко отдавать, а другие (например, галогены) – легко принимать электроны. Энергия такой связи U0 значительна и в кристалле она даже превышает таковую для соответствующей уединенной молекулы. Так, для упомянутой молекулы NaCl энергия U0 = 5,5 эВ, а в кристалле она соответствует U0 = 8,9 эВ, что связано с увеличенным количеством ионов, соседствующим с ионом противоположного знака.
Вследствие больших значений U0 твердые тела с таким видом связи высокопрочны и тугоплавки, причем это не только соединения металлов с галогенами (NaCl, KCl, CsJ, RbBr и т.д.), но и сульфиды, неорганические окислы и ряд других материалов.
Атомные кристаллы
В узлах кристаллической решетки помещаются нейтральные атомы. Связь, объединяющая в данном случае атомы, называется гомеополярной (или ковалентной).
В ковалентную связь чаще всего вступают однородные атомы. Очевидно, что в этом случае невозможно создание ионной связи. Однако валентные электроны обоих атомов могут переходить от одного атома к другому, образуя таким образом новое состояние – систему атомов с локально обобществленными электронами. Если валентные электроны атомов имеют противоположно направленные спины, то квантово-механический расчет показывает увеличение модуля волновой функции электронов в области пониженной потенциальной энергии между атомами. Следовательно, каждая пара электронов находится преимущественно между ядрами соседних атомов, притягивая их к себе, а значит, и друг к другу.
Гомеополярная (ковалентная) связь может осуществляться только валентными, т.е. наименее связанными с атомом электронами. Поскольку каждый электрон может обеспечить связь только с одним атомом, то число связей, в которых может участвовать данный атом, равно его валентности.
Следует отметить, что ковалентная связь реализуется не только в твердых телах, но и в газах при образовании двухатомных молекул из однородных атомов, например, H2, O2, N2 и т.п.
Энергия ковалентной связи U0 обычно составляет несколько электронвольт. Поэтому твердые тела с ковалентной связью оказываются прочными, имея к тому же высокую температуру плавления (алмаз, кварц, кремний).
Поскольку одни и те же атомы могут, в принципе, образовывать различные пространственные комбинации ковалентных связей (т.н. полиморфизм), то соответствующие твердые тела могут существенно различаться по своим свойствам.
Типичными примерами подобных атомных кристаллов могут служить алмаз и графит. Оба эти вещества тождественны по химической природе, поскольку построены только из атомов углерода, но различаются кристаллическим строением. На рис. 5 показана слева решетка алмаза, а справа – решетка графита.
Разница в механических свойствах алмаза и графита общеизвестна. Причину этого наглядно демонстрирует особенности их кристаллического строения. В частности, у графита плоскости решетки легко перемещаются и отрываются друг от друга. Эта же разница в кристаллическом строении определяет и их различные электрические свойства – графит довольно хорошо проводит электрический ток, а алмаз – полупроводник, причем с очень слабой даже для полупроводников собственной проводимостью.
Рис. 5. Атомные кристаллы – алмаз (слева), графит (справа)
Интересно отметить, что в последние два десятилетия обнаружены новые виды углерордных кристаллов, а именно, фуллерены (ячейка в форме баскетбольного мяча), нанотрубки и графен (т.е., соответственно, сферический, трубатый и плоский кристалл одноатомной толщины), свойства которых, а также возможные области применения сейчас очень широко изучаются.
В заключение этого раздела необходимо указать, что широко используемые в электронной технике кремний Si и германий Ge, являющиеся типичными полупроводниками, имеют решетку типа алмаза.