- •Курс лекций
- •Учебное пособие
- •Введение
- •Глава I. Строение и механические свойства кристаллических тел
- •Классификация кристаллов
- •1.2 Физические типы кристаллических решеток
- •1.2.1 Ионные кристаллы
- •Атомные кристаллы
- •Металлические кристаллы
- •1.2.4 Молекулярные кристаллы
- •1.2.5 Водородная связь
- •1.3. Методы определения атомной структуры кристаллических тел
- •Вещества с кубической решеткой
- •Некоторые соединения со структурой хлорида натрия
- •1.4. Дефекты в кристаллах
- •1.4.1 Виды дефектов
- •1.4.2 Точечные дефекты и их влияние на электрические свойства кристалла
- •1.4.3 Дислокации – возникновение и перемещение
- •Механические свойства кристаллических тел
- •Глава II. Электрические и тепловые свойства кристаллических тел
- •2.1 Основные положения теории Друде
- •2.2. Статическая электропроводность и теплопроводность металлов по Друде
- •2.3. Квантовые явления и теории проводимости металлов на их основе
- •2.3.1 Основные положения квантовой механики
- •2.3.2 Теория Зоммерфельда
- •2.3.3 Статистика фермионов
- •2.2.4 Недостатки модели Зоммерфельда
- •2.2.5 Проблемы составления уравнение Шредингера для твердого тела
- •2.4 Основы зонной теории твердого тела Блоха
- •2.4.1 Функции Блоха
- •2.4.2 Качественное рассмотрение поведения почти свободных электронов в кристалле
- •2.4.3 Модель Кронига-Пенни
- •2.4.4 Статистика фермионов в зонной теории
- •2.5 Эффективная масса электрона
- •2.6 Работа выхода электрона в металлах
- •2.7 Автоэлектронная эмиссия: туннельный эффект
- •2.8. Контактные явления
- •2.9. Колебания решетки и акустические волны (фононный газ)
- •2.10. Сверхпроводимость
- •Глава III. Полупроводниковые гомоструктуры
- •3.1 Зависимость собственной проводимости полупроводника от температуры
- •3.2. Примесная проводимость как основная в легированных полупроводниках
- •3.4 Полупроводниковый биполярный транзистор
- •3.5 Полевые транзисторы
- •3.6 Физические технологии создания полупроводниковых структур
- •Глава IV. Гетероструктуры
- •4.1. Физические основы формирования гетероструктур
- •4.4. Практическое применение наноразмерных гетероструктур.
- •Глава V. Аморфные тела
- •Глава VI. Оптические свойства твердых тел.
- •6.1 Поглощение света в кристаллах
- •6.2. Фотопроводимость и фотоэффект в p-n-переходах и гетероструктурах
- •Заключение
- •Дополнительная литература
2.8. Контактные явления
2.9. Колебания решетки и акустические волны (фононный газ)
При всех своих достоинствах теории Зоммерфельда и Блоха предсказывают парадоксальный результат, а именно, что все металлы с идеальной кристаллической решеткой при нормальных условиях должны обладать свойством сверхпроводимости. Поскольку это совершенно не так, то ясно, что представленные теории не учитывают какие-то важнейшие взаимодействия. Анализ показывает, что все дело в постулировании неподвижности ионов или атомов в кристаллической решетке. Современный взгляд на проблему проводимости состоит в том, что атомы и ионы в узлах кристаллической решетки находятся в непрерывных колебаниях относительно равновесного положения, образуя распространяющиеся волны этих отклонений (т.н. акустические волны – фононы). Интенсивность этих колебаний и волн возрастает с температурой. В конечном итоге, сопротивление металлов определяется именно взаимодействием электронов с этими тепловыми колебаниями (в виде рассеяния электронов на флуктуациях электрических полей, создаваемых акустическими колебаниями). Снижение интенсивности колебаний с понижением температуры объясняет хорошо известный эффект понижения сопротивления металлов при уменьшении температуры проводника. Однако это сопротивление не снижается до нуля при Т = 0 из-за сохранения нулевых колебаний при этой температуре, а также вследствие наличия в кристаллической решетки металла различных дефектов. Вопрос сверхпроводимости, возникающий в некоторых металлах и сплавах при температуре около нуля, требует отдельного обсуждения, которое проведено в разделе 2.6..
Итак, колебания кристаллической решетки можно представить как совокупность упругих волн, распространяющихся в разные стороны, и которые можно рассматривать как газ особых квазичастиц - фононов. Такая картина фононного газа, заключенного в пределах образца кристалла, подобна известной из квантовой оптики ситуации, когда электромагнитное излучение можно представить как некий фотонный газ, заполняющий полость. Формально оба представления схожи – и фотоны, и фононы подчиняются одной и той же статистике, а именно, т.н. статистике бозонов (т.е. частиц с нулевым или целым спином). Эта статистика описывается распределением Бозе-Эйнштейна
где μ – химический потенциал (в
пересчете на одну частицу), а f(E)
указывает среднее число фононов с
энергией
,
соответствующих данной волне (с частотой
ω и определенной поляризацией).
Применив к фононному газу распределение Бозе-Эйнштейна, можно получить выражение для энергии колебаний кристаллической решетки, а, следовательно, и для теплоемкости кристаллов. Число фононов непостоянно (они могут возникать и исчезать), но их число определяется термодинамическими характеристиками системы, а не обменом с окружающей средой. Поэтому надо взять упомянутое распределение с условием равенства нулю химического потенциала μ (аналогично рассмотрению распределения по энергии фотонов в замкнутой полости).
Следует подчеркнуть, что в данном рассмотрении фононного газа слабо взаимодействующими считаются не атомы решетки (они как раз взаимодействуют очень сильно при взаимных перемещениях в ходе упругих колебаний), а собственно распространяющиеся упругие колебания. Отличие фононов от реальных частиц состоит, прежде всего, в том, что для существования и распространения таких квазичастиц нужна особая среда, в данном случае решетка кристалла.
Поскольку, как уже было сказано, атомы решетки связаны очень жестко, то они не могут осуществлять поступательного и вращательного движения: имеется только колебательное движение относительно неких центров равновесия в кристалле. Поэтому вся внутренняя энергия кристалла сосредоточена в энергии упругих колебаний атомов (как было показано выше в процессе изучении движения валентных, фактически свободных электронов в кристалле, они не вносят сколько-нибудь заметного вклада в теплоемкость в силу ряда квантовых эффектов).
Вычисление энергии кристалла, т.е. энергии фононного газа, в основном аналогично соответствующему вычислению энергии для фотонного газа. Но есть и отличия.
В твердом теле вдоль некоторого
направления могут распространяться
три разные волны с одним и тем же значением
ωi ,
различающиеся направлением поляризации:
одна продольная волна и две поперечные
с взаимно перпендикулярными направлениями
колебаний. Поэтому соответствующий
элемент фазового объема надо утраивать
(а не удваивать, как для фотонов). Другими
словами, gi
= 3. Кроме того, вместо скорости света
с надо использовать скорость
распространения упругих колебаний v
в кристалле. С другой стороны, частота
колебаний не может быть произвольно
велика, как в случае фотонов. Это связано
с тем, что длина волны не может быть
меньше среднего расстояния между атомами
в решетке, т.е. меньше чем n-1/3,
где n – концентрация
атомов в кристалле. Поэтому
максимальная частота нормальных
колебаний кристаллической решетки
зависит от ее параметров и равна, как
показывает более точный анализ, ωmax
= v
.
И, наконец, квантовомеханическое
рассмотрение для упругого осциллятора
(т.е. решение уравнение Шредингера с
выражением для потенциальной энергии
в виде U=kx2/2)
дает следующее распределение всех
возможных для осциллятора колебательных
уровней энергии En
=
,
где ω2 = k/m,
а значения n
= 0, 1, 2,… Значит, в таком осцилляторе
наименьшая энергия не равна нулю и даже
при температуре абсолютного нуля
существуют т.н. нулевые колебания
(n = 0) с энергией
E0 =
.
В результате проведения рассуждений и расчетов, аналогичных использованных для случая фотонов, и учитывая сделанные замечания по отличию фононов от фотонов, можно получить применительно к объему V следующую формулу для той части энергии фононных колебаний ΔUi, которая соответствует интервалу частот Δωi в окрестности ωi
=
Полученное выражение отличается от известного выражения для фотонного газа лишь тем, что в нем имеется множитель 3/2 и вместо скорости света стоит скорость упругих волн v. Кроме того, учтен факт существования нулевых колебаний добавочным слагаемым ½ в квадратных скобках.
Суммирование предыдущего выражения по индексу i даст энергию кристалла. Однако математически удобнее заменить суммирование интегрированием (ввиду малости разности между энергетическими уровнями) и, выделяя отдельно полную энергию нулевых колебаний, можно в результате получит выражение для энергии в виде
Дифференцируя это выражение по температуре Т, а затем, разделив результат на объем кристалла, после ряда преобразований придем к довольно сложной формуле для теплоемкости единицы объема кристалла (т.н. удельной теплоемкости С)
Здесь n – концентрация
атомов кристалла. Для общего анализа
полученной формулы для теплоемкости
удобно ввести величину Ө, определяемую
условием
= kӨ. Ее называют
характеристической температурой
Дебая. Температура Дебая указывает
для каждого вещества ту область, где
становится существенным квантование
энергии колебаний.
Можно показать, что при T << Ө теплоемкость С окажется пропорциональной кубу температуры, т.е. С~T 3 . Эта приближенная зависимость известна как закон T 3 Дебая. При достаточно низких температурах этот закон выполняется во многих случаях очень хорошо. В частности, при приближении к абсолютному нулю температуры теплоемкость всех систем стремится к нулю.
При T >> Ө можно получить для внутренней энергии следующее приближение
что дает значение для удельной теплоемкости (теплоемкости единицы объема) C = 3nk. Если заменить концентрацию n на число Авогадро NA, то получим известное классическое выражение для молярной теплоемкости Cm = 3R, составляющее суть закона Дюлонга и Пти. Статистическая физика показывает, что этот закон независимости молярной теплоемкости от температуры и ее одинаковости для всех веществ начинает асимптотически выполняться при достаточно высоких температурах. Например, для алюминия Ө = 396 К, а для меди Ө = 309 К.
Рис. 2-16. Теплоемкость С по Дебаю - кривые на графиках как функция температуры.
Кружками показаны экспериментальные точки. С∞ - классическое значение теплоемкости,
равное 3R для молярной теплоемкости.
На рис. 2-16 приведена экспериментальная зависимость теплоемкости металла от температуры, подтверждающая основные выводы теории Дебая.
Справедливости ради надо заметить, что формула Дебая хорошо передает ход теплоемкости с температурой лишь для тел с простыми кристаллическими решетками, т.е. для кристаллов из однородных химических элементов и для некоторых простых соединений. К телам с более сложной структурой формула Дебая неприменима, хотя качественно зависимость передается правильно, в. т.ч. в окрестности Т = 0. Наблюдаемые отличия от формулы Дебая связаны с гораздо более богатым спектром колебаний в сложных системах, где наряду с акустической ветвью появляется и оптическая ветвь колебаний (инфракрасного диапазона).
Еще раз отметим, что сопротивление металлов определяется именно взаимодействием электронов с этими тепловыми колебаниями в виде рассеяния электронов на флуктуациях электрических полей, создаваемых сложением акустических волн с различными частотами и поляризациями. Снижение интенсивности колебаний с понижением температуры объясняет хорошо известный эффект понижения сопротивления металлов при уменьшении температуры проводника. Однако это сопротивление не снижается до нуля даже при Т = 0 из-за сохранения нулевых колебаний при этой температуре, а также вследствие наличия в кристаллической решетки металла различных дефектов. Вопрос сверхпроводимости, возникающий в некоторых металлах и сплавах при температуре около нуля, требует отдельного обсуждения, проведенного в следующем разделе.
