- •Микромеханические тензорезистивные преобразователи
- •Аналогия между процессами получения, обработки и преобразования сигналов в биологических и технических система
- •1. Физические эффекты как основа построения сенсоров
- •Преобразователи различных видов энергии
- •2. Кристаллическая решетка кремния
- •3. Индексы миллера
- •4. Математическое описание упругих свойств кремния
- •Механические параметры кремния
- •Характеристики упругости кремния
- •6. Виды легирования тензорезисторов
- •7. Тензорезистивный эффект и его математическое описание
- •8. Главные тензорезистивные коэффициенты
- •Главные тензорезистивные коэффициенты равномерно слаболегированных слоёв кремния
- •9. Факторы, определяющие величину главных тензорезистивных коэффициентов
- •10. Произвольная ориентация тензорезисторов, расположенных на плоскостях (001), (011), (111) кристалла
- •Пьезорезистивные коэффициенты в зависимости от ориентации на плоскости и от типа проводимости
- •11. Полупроводниковые тензорезисторы в мостовых схемах постоянного тока
- •12. Метрологические характеристики мостовых тензорезистивных преобразователей
- •13. Технологические процессы производства микропреобразователей
- •14. Чувствительные элементы тензореобразователей
- •15. Интегральный измерительный преобразователь давления (иипд)
- •16. Измерительный преобразователь ускорения
- •17. Конструирование интегральных измерительных преобразователей
- •Расчёт прогиба и механических напряжений для кремниевой мембраны круглой формы
- •Расчёт прогиба и механических напряжений в кремниевой мембране квадратной формы
- •Конструирование интегральных тензорезисторов
8. Главные тензорезистивные коэффициенты
Для
кубических кристаллов того класса, к
которому принадлежит кремний, в системе
кристаллографических осей, для описания
тензорезистивного эффекта достаточно
знать три коэффициента
и
В произвольной системе координат, оси которой образуют некоторые углы с кристаллографическими осями, таких, отличных от нуля, коэффициентов может быть 21.
Коэффициенты, произвольной и кристаллографической системам координат, будем обозначать со штрихами или без штрихов, соответственно.
В
большинстве практических случаев
направление тока в тензорезисторах
совпадает с направлением электрического
поля. Кроме того, будем считать, что
такой ТР расположен в объёме упругого
элемента вдоль оси действия одного из
главных напряжений
,
тогда можно записать
,
где
относительное изменение удельного
сопротивления под действием механического
напряжения;
– значение
удельного сопротивления свободного и
напряжённого ТР,
тензокоэффициент
в произвольной системе координат,
компонента
тензора напряжения в сокращённой записи
(q
= 6).
При
расчётах, обычно, учитывают только
напряжения в плоскости упругого элемента
преобразователя. Сделав такое допущение,
изменение сопротивления
можно представить в виде
где
продольное, поперечное и сдвиговое
напряжение ТР, произвольно ориентированного
в какой-либо кристаллографической
плоскости ТР,
-
относительное изменение сопротивления
ТР.
Из
полученной формулы становится понятными
названия соответствующих тензорезистивных
коэффициентов:
– продольный коэффициент,
– поперечный и
– сдвиговый.
Рассмотрим некоторые частные случаи ориентации тензорезисторов, расположенных на кристаллографических плоскостях (001), (011), и (111), относительно направлений механических напряжений.
1. Продольный эффект имеет место, если в направлении одной кристаллографической оси действует нормальное напряжение (оно же и главное), например σ1, ток течёт тоже в направлении 1 (плотность тока j1). Тогда, при σ1 ≠ 0, σ2, …, σ6 = 0; j1 ≠ 0; j2 = j3 = 0, получаем:
2.
Поперечный
эффект.
В этом случае в направлении одной
кристаллографической оси действует
напряжение σ1
(главное напряжение),
а
ток
течёт в перпендикулярном к нему
направлении, например в направлении 2.
Тогда при σ1
≠
0, σ2,
…, σ6
=
0; j2
≠
0; j1
=
j3
=
0, так как Ei
имеет то же направление, что и j,
получаем:
3. Сдвиговый эффект. Пусть действует только сдвиговое напряжение, например σ4; ток течёт в направлении одной кристаллографической оси, например оси 1. Тогда при σ4 ≠ 0, σ1, … σ3 и σ5, σ6 = 0, j1 ≠ 0; j2 = j3 = 0 получаем:
т.е. сдвиговое напряжение σ4
не оказывает влияния на ток, протекающий
в направлении 1. Однако
при j2
≠ 0, (j1
=
j3
=
0),
сдвиговое
напряжение σ4,
хотя и не оказывает влияния на ток j2,
протекающий в направлении 2, но приводит
к появлению
электрического поля в направлении 3,
напряжённость которого будет равна:
Таким образом, сдвиговые напряжения вызывают появление напряжённости электрического поля, направленной перпендикулярно направлению протекания тока и изменяющейся прямо пропорционально величине этого сдвигового напряжения. При этом не все направления равнозначны; это можно показать, проведя расчёт всех возможных вариантов уравнения (1).
Поясним
смысл коэффициента
Компоненту тензора тензорезистивного
коэффициента
в сокращённой форме можно записать
.
По определению
причём
и
– тензоры. Тензор удельного сопротивления
определяется компонентами вектора
напряжённости
,
где i
= 1, 2, 3; k
– компоненты
вектора плотности тока, где k
= 1, 2, 3. В данном случае
Тензор напряжения
,
где l
– направление
нормали к грани, m
– ось, которой параллельна данная
компонента, в данном случае равен
.
4. Эффект всестороннего сжатия. Если действует гидростатическое давление p и протекает ток, например, в направлении 1, тогда, при σ1 = σ2 = σ3 = - p; σ4 = σ5 = σ6 = 0; j1 ≠ 0; j2 = j3 = 0, имеем:
=
Итак, коэффициенты тензосопротивления, имеющие место в приведенных случаях, называют соответственно продольными, поперечными, сдвиговыми коэффициентами и коэффициентами сжатия. Приведенные примеры показывают, что соответствующие коэффициенты можно определить экспериментально, прикладывая определенное механическое напряжение, зная удельное сопротивление, измеряя силу тока и электрическое напряжение.
Главные тензорезистивные коэффициенты для кремния приведены в табл. 4 для температуры 300К и указанных значений удельных сопротивлений.
Т а б л и ц а 4
