- •Микромеханические тензорезистивные преобразователи
- •Аналогия между процессами получения, обработки и преобразования сигналов в биологических и технических система
- •1. Физические эффекты как основа построения сенсоров
- •Преобразователи различных видов энергии
- •2. Кристаллическая решетка кремния
- •3. Индексы миллера
- •4. Математическое описание упругих свойств кремния
- •Механические параметры кремния
- •Характеристики упругости кремния
- •6. Виды легирования тензорезисторов
- •7. Тензорезистивный эффект и его математическое описание
- •8. Главные тензорезистивные коэффициенты
- •Главные тензорезистивные коэффициенты равномерно слаболегированных слоёв кремния
- •9. Факторы, определяющие величину главных тензорезистивных коэффициентов
- •10. Произвольная ориентация тензорезисторов, расположенных на плоскостях (001), (011), (111) кристалла
- •Пьезорезистивные коэффициенты в зависимости от ориентации на плоскости и от типа проводимости
- •11. Полупроводниковые тензорезисторы в мостовых схемах постоянного тока
- •12. Метрологические характеристики мостовых тензорезистивных преобразователей
- •13. Технологические процессы производства микропреобразователей
- •14. Чувствительные элементы тензореобразователей
- •15. Интегральный измерительный преобразователь давления (иипд)
- •16. Измерительный преобразователь ускорения
- •17. Конструирование интегральных измерительных преобразователей
- •Расчёт прогиба и механических напряжений для кремниевой мембраны круглой формы
- •Расчёт прогиба и механических напряжений в кремниевой мембране квадратной формы
- •Конструирование интегральных тензорезисторов
Аналогия между процессами получения, обработки и преобразования сигналов в биологических и технических система
Функция |
Биологическая система |
Техническая система |
|
Чувства |
Датчики |
Получение сигнала |
Обоняние |
Газоанализатор |
Вкус |
pH-метр |
|
Слух |
Микрофон |
|
Осязание |
Датчики температуры, перемещения, усилия, потока и т. д. |
|
Зрение |
Телекамера, датчики положения, излучения и т.д. |
|
Обработка сигнала |
Мозг |
ЭВМ |
Преобразование сигнала
|
Органы |
Исполнительные устройства |
Движения |
Двигатель |
|
Речь |
Динамик |
|
Жестикуляция |
Индикация |
|
Письмо |
Принтер |
1. Физические эффекты как основа построения сенсоров
Практическая реализация робота связана с открытием (или отысканием) такого физического эффекта, конструктивного решения и технологии, при котором обеспечиваются требования по точности, надежности и стоимости. «Узким» местом было и в определённом смысле остается первое звено в цепи преобразований – это датчик.
Датчиком называют обычно дешевый, но надежный приёмник и преобразователь измеряемой величины, обладающий достаточной точностью и пригодный для серийного изготовления.
Техника конструирования и применения датчиков, или, как её можно кратко назвать сенсорика, за последние годы развилась в самостоятельную ветвь измерительной техники (ощутимо это стало проявляться примерно с 1970 года). С ростом автоматизации, к датчикам физических величин стали предъявляться все более высокие требования. При этом особое значение придается следующим показателям: миниатюрность (возможность встраивания); дешевизна (серийное производство); механическая прочность.
В последнее время распространились такие понятия, как "эффекты твердого тела", "твердотельные датчики", "микромеханика", "интегральные датчики", "полупроводниковые датчики" и т.д. – всё это результат бурного прогресса в создании сенсоров на базе технологии производства электронных микросхем. Это технологическое направление в зарубежной технике получило название iMEMS (integrated Micro Electro Mechanical System). Такое устройство может состоять из механических микроструктур, микродатчиков, микроактюаторов и микроэлектроники, объединяемых на одном кремниевом чипе. Ассортимент видов преобразований энергии (следовательно, и видов преобразователей) оказывается достаточно широким (табл. 2)
Т а б л и ц а 2
Преобразователи различных видов энергии
Вид входной энергии |
Микроэлектронные преобразователи |
Механическая |
Тензорезисторы, тензодиоды, тензотранзисторы, диоды Ганна, микроэлектронные параметрические преобразователи (R, L, C, резонансные, струнные, ПАВ) |
Акустическая |
Пьезо-, тензо-, ПАВ-преобразователи |
Электрическая |
Микроэлектроды, ионочувствительные датчики |
Магнитная |
Датчики Холла, магниторезисторы, магнитодиоды, магнитотранзисторы, магнитотиристоры |
Тепловая |
Терморезисторы, диоды, транзисторы, тиристоры, термоэлементы и термопары |
Световая |
Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, фотоумножители, диоды Шоттки, ПЗС |
Химическая |
Микроэлектроды, химотронные приборы, ионочувствительные приборы, биосенсоры |
Ядерная |
Полупроводниковые детекторы излучения, pin-фотодиоды, ПЗС-камеры для рентгеновского излучения |
Интегральные преобразователи позволяют осуществить и обратное преобразование электрической энергии в другие виды энергии. Например, светодиоды и полупроводниковые лазеры; интегральные балочные и струнные приборы.
Преимущества микромеханических датчиков по сравнению с датчиками, изготавливаемыми по традиционной технологии механообработки, таких как резка, шлифование, сверление:
Размер чувствительных и упругих элементов датчиков находится в интервале от долей до нескольких миллиметров, что почти на два порядка меньше традиционных (габариты, материалопотребление, точность, надежность, стоимость).
Возможность применения групповой технологии изготовления, подобно электронным микросхемам, изготавливаемым сотнями и тысячами на одной пластине (малый разброс параметров в партии, производительность, надежность, стоимость).
Высокая стабильность параметров в связи с использованием кристаллических структур вместо поликристаллических, а также в связи с отсутствием прослоек в упругом элементе (большие пределы прочности и пластичности, отсутствие ползучести, гистерезиса – всё это приводит к повышению точности измерений).
Возможность интеграции чувствительного элемента датчика (или датчиков) с электронными схемами.
Возможность интеграции ряда одинаковых или различных чувствительных элементов датчиков на одной пластине. Использование системы датчиков для перекрытия всего диапазона в случае, когда его невозможно перекрыть одним ЧЭ.
Таким образом, использование новой технологии приводит к повышению
– точности измерения, чувствительности и к расширению частотного диапазона, снижению нелинейности и расширению амплитудного диапазона измерения, а также к повышению прочности датчика. Происходит повышение стабильности параметров датчика, снижение эффекта усреднения внешнего воздействия и эффекта искажения измеряемой величины за счёт воздействия на объект массы датчика;
– повышение надёжности измерений;
– уменьшение материалопотребления;
– увеличение производительности и снижение стоимости.
Микромеханические приборы обладают большой коммерческой привлекательностью.
Развитие MEMS-производства связано с быстропрогрессирующими областями их использования – это мобильные роботы гражданского и военного назначения.
Авиационная промышленность, где требования к датчикам и контрольно-измерительным и управляющим устройствам особенно высоки, потребляет большое количество одноимённых датчиков. Например, в зависимости от типоразмеров самолётов общее число только датчиков давления на одном самолёте составляет 50-90 штук. В Европе за 1998-2008 гг. должно было быть произведено 8000 гражданских самолётов, т. е. одних лишь датчиков давления необходимо более 500 тыс. шт.
Так как у MEMS - компонентов в направлении миниатюризации в обозримом будущем не будет конкурентов, а их точность и эксплуатационные характеристики имеют устойчивую тенденция к улучшению показателей, можно ожидать прогрессирующего внедрения микромеханических приборов в изделия гражданского и военного назначения.
