- •Микромеханические тензорезистивные преобразователи
- •Аналогия между процессами получения, обработки и преобразования сигналов в биологических и технических система
- •1. Физические эффекты как основа построения сенсоров
- •Преобразователи различных видов энергии
- •2. Кристаллическая решетка кремния
- •3. Индексы миллера
- •4. Математическое описание упругих свойств кремния
- •Механические параметры кремния
- •Характеристики упругости кремния
- •6. Виды легирования тензорезисторов
- •7. Тензорезистивный эффект и его математическое описание
- •8. Главные тензорезистивные коэффициенты
- •Главные тензорезистивные коэффициенты равномерно слаболегированных слоёв кремния
- •9. Факторы, определяющие величину главных тензорезистивных коэффициентов
- •10. Произвольная ориентация тензорезисторов, расположенных на плоскостях (001), (011), (111) кристалла
- •Пьезорезистивные коэффициенты в зависимости от ориентации на плоскости и от типа проводимости
- •11. Полупроводниковые тензорезисторы в мостовых схемах постоянного тока
- •12. Метрологические характеристики мостовых тензорезистивных преобразователей
- •13. Технологические процессы производства микропреобразователей
- •14. Чувствительные элементы тензореобразователей
- •15. Интегральный измерительный преобразователь давления (иипд)
- •16. Измерительный преобразователь ускорения
- •17. Конструирование интегральных измерительных преобразователей
- •Расчёт прогиба и механических напряжений для кремниевой мембраны круглой формы
- •Расчёт прогиба и механических напряжений в кремниевой мембране квадратной формы
- •Конструирование интегральных тензорезисторов
11. Полупроводниковые тензорезисторы в мостовых схемах постоянного тока
Для высокочувствительных прецизионных измерений с помощью полупроводниковых ТР большой интерес приобретают мосты постоянного напряжения. Они не требуют фазовой балансировки и последующего выпрямления, что уменьшает затраты и повышает точность. При питании постоянным напряжением, кроме того, значительно проще, чем при питании несущей частотой получить высокостабильное и обладающее малым уровнем пульсаций питающее напряжение. Эти преимущества способствуют все более широкому применению мостов постоянного напряжения, и в первую очередь при использовании полупроводниковых ТР, которые во многих случаях позволяют проводить измерения без усиления.
ТР в преобразователях чаще всего соединяют в схему так называемого моста Уитстона (рис. 17).
Рис. 17. Тензометрический мост с четырьмя активными плечами
К одной диагонали моста подключается напряжение питания Uп. Если мост не сбалансирован, т. е. не находится в состоянии равновесия, на другой диагонали появляется напряжение UmL. Между этими двумя напряжениями существует следующая зависимость:
Сопротивление ТР можно представить себе состоящим из постоянной и переменной составляющих, т. е.
где
Если все сопротивления моста равны, мост при ΔRν= 0 уравновешен, а в случае рассогласования моста имеет место соотношение
Д ля малых значений rv в первом приближении можно записать
Отсюда
следует, что выходное напряжение моста
UmL
пропорционально
напряжению питания Un
и
алгебраической сумме относительных
изменений сопротивлений. Коэффициент
пропорциональности равен 1/4. При
достаточно больших относительных
изменениях сопротивлений отношение
UmL/Uп
моста
нелинейно, т. е. выходное напряжение
зависит не только от значений в первой
степени, но и от rv
с
более высокими степенями.
Преимущество мостовых устройств можно пояснить на ряде специальных примеров:
1. Мост с одним активным плечом r1 ≠ 0, r2 = r3 = r4 == 0 (четвертьмост).
В этом случае
После разложения в степенной ряд и ограничения этого ряда линейным членом получим следующее выражение:
При достаточно большом разбалансе у четвертьмоста наблюдается нелинейность отношения UmL/Uп..
2. Мост
с двумя активными, одинаково изменяющимися
пле-
чами (так
называемый чистый полумост).
Полумост
характеризуется тем, что r1
= -r2
,
r3
= r4
= 0.
Для
него действительно условие
Выходное напряжение такого моста, при одинаковых значениях r, в два раза выше, чем у четвертьмоста; чистый полумост не обнаруживает нелинейности.
3. Мост с четырьмя активными, одинаково изменяющимися плечами (так называемый чистый полный мост).
Полный мост характеризуется тем, что r1 = r3 = - r2 = - r4. Для него справедливо следующее отношение:
Выходное напряжение этого моста при равных rv в четыре раза больше, чем у четвертьмоста, к тому же отсутствует нелинейность моста.
Связь с тензометрией получается более очевидной, если ввести простейшую (линейную) зависимость между сопротивлением ТР Rv и продольной деформацией ξ:
R = Rv0(l + Kξv),
или
При этом вначале предполагается, что коэффициенты К всех ТР одинаковы. Из уравнений (5) - (9) следует, что изменения каждого из сопротивлений моста должны иметь определённую направленность с тем, чтобы не было взаимной компенсации измерительного сигнала.
На рис. 17 показан тензометрический мост с четырьмя активными плечами, включенными так, что все четыре ТР вызывают положительное приращение выходного напряжения.
Как следует из вышеизложенного, для полного тензометрического моста действительно выражение
)
откуда
при
имеем
У
полупроводниковых ТР нелинейность
настолько велика, что она должна быть
учтена наряду с нелинейностью моста;
в совокупности нелинейность в целом
уменьшается. Без учета нелинейности ТР
погрешность от нелинейности в случае
четвертьмоста, равна Kξ/2;
для К
=
120 и
ξ
= 5
10-4
она составляет 3%.
Уравнения (7) -(9) в общем виде можно представить как
где
–
отнесенный к величине напряжения питания
моста коэффициент относительной
тензочувствительности моста.
Наряду с мостами постоянного напряжения применяются также мосты постоянного тока. Питание постоянным током при длинных соединительных линиях обладает тем преимуществом, что исключается влияние изменения сопротивления этих линий (например, вследствие изменения температуры). Кроме того, питание током нередко используется потому, что при этом достигается более благоприятная температурная зависимость коэффициента относительной чувствительности моста.
