Литература
Аксенович Л. А. Физика в средней школе: Теория. Задания. Тесты: Учеб. пособие для учреждений, обеспечивающих получение общ. сред, образования / Л. А. Аксенович, Н.Н.Ракина, К. С. Фарино; Под ред. К. С. Фарино. — Мн.: Адукацыя i выхаванне, 2004. — C. 300-308.
Буров Л.И., Стрельченя В.Μ. Физика от А до Я: учащимся, абитуриентам, репетиторам. — Мн.: Парадокс, 2000. — С. 219-228.
Мякишев Г. Я. Физика: Электродинамика. 10 – 11 кл.: учебник для углубленного изучения физики/ Г.Я. Мякишев, А.З. Синяков, Б.А. Слободсков. — М.: Дрофа, 2005. — С. 309-320.
Яворский Б. М., Селезнев Ю. А. Справочное руководство по физике для поступающих в вузы и самообразования. — М.: Наука, 1984. — С. 165-169.
1. Температурная зависимость сопротивления полупроводников совершенно иная, чем у металлов: с ростом температуры сопротивление полупроводников убывает, т.е. проводимость увеличивается. У металлов же наблюдается противоположная закономерность.
2. Сопротивление полупроводников может быть сильно увеличено добавлением небольшого количества определенных примесей.
3. Если в германий (элемент IV группы) ввести в. качестве примеси элемент V группы (например, Р или As), то он становится полупроводником n-типа. Если же ввести примесь элемента III группы (например, Аl или In), то германий становится полупроводником р-типа.
4. Контактная поверхность между полупроводником и металлом (например, между закисью меди и медью, между селеном и пленкой золота) образует фотоэлектрогенератор, преобразуют энергию света в энергию электрического тока.
5. Сопротивление полупроводников очень сильно зависит от освещенности.
