Заключение
В рамках данной
курсовой
работе был проведён: расчет диффузионного
электронно-дырочного перехода с помощью
решения уравнений Фика применительно
к стандартным технологическим условиям
диффузии из газового источника с
постоянной концентрацией на поверхности
с последующей разгонкой до требуемой
глубины залегания перехода, построен
график функции распределения согласно
заданным параметрам.
Библиографический список
Методические
указания по выполнению курсовой работы
для студентов, обучающихся по направлению
211000 «Проектирование и технология
электронных средств» Физические основы
микро- и наноэлектроники - МИРЭА
Гременок
В.Ф., Тиванов М.С., Залесский В.Б. Солнечные
элементы на основе полупроводниковых
материалов -
Минск.
БГУ. 2007. 222 с.
Алиев
Р., Мухтаров Э., Олимов Л. Неразрушающий
метод измерения глубины залегания
p-n-перехода
полупроводниковых фотоэлектрических
структур. - Андижанский
Государственный университет им. З.М.
Бабура
