
- •1.Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ттл вентиля.
- •2. Электрическая схема ттл вентиля со сложным инвертором.
- •3.Что такое таблица истинности. Функциональный контроль микросхем.
- •4. Способы включения биполярного транзистора как диода.
- •5.Принцип работы транзистора Шоттки.
- •7.Что такое радиочастотная идентификация. Диапазоны используемых частот в Европе.
- •8.Как влияет облучение на характеристики р-n перехода.
- •9.Что такое пинч-резистор?
- •10.Масштабирование. Основные принципы
- •11. Статическое электричество. Схема защиты от статического электричества.
- •12. Принцип работы транзистора в инверсном режиме
- •13. Первый и второй закон Мура.
- •14.Что такое потенциальные и импульсные схемы. Привести примеры.
- •15.Тиристор. Принцип работы
- •16.Туннельный диод Принцип работы.
- •17.Метод измерения динамических параметров интегральных схем.
- •18.Типы конденсаторов в интегральном исполнении
- •19. Виды полузаказных интегральных схем
- •Вентильные матрицы
- •2. Ис на основе готовых ячеек
- •1. Биполярные вентильныематрицы
- •20. Конструктивные и тепловые ограничения при проектировании интегральных схем
- •21. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора
- •22. «Положительная» и «отрицательная» логика. Привести примеры
- •23. Способы включения биполярного транзистора.
- •24. Полевой транзистор. Принцип действия
- •25. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •26. Типы помех в интегральных схемах
- •27. Биполярный транзистор. Принцип работы
- •28. Зависимость потребляемой мощности кмоп вентиля от частоты.
- •29.Современные системы автоматической идентификации.
- •30. Формула вольт-амперной характеристики диода.
- •31. Полупроводниковые приборы с n - образными характеристиками.
- •32. Система параметров логических элементов.
- •34. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.
- •35. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.
- •36. Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.
- •37. Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.
- •38.Многослойные полупроводниковые структуры
- •39.Инжекционный вентиль. Принцип работы.
- •40.Расчет параметров интегрального резистора.
- •41.Формула коэффициента усиления биполярного транзистора.
- •42. Степень насыщения биполярного транзистора.
- •43. Чем отличается реальная вольтамперная характеристика р-п перехода от теоретической.
- •44. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
- •45. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
- •46. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
- •47. Объясните принцип действия динистора.
- •48. Назовите параметры тиристоров.
- •49.Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
- •53. Нарисуйте передаточную характеристику логического вентиля, выполняющего функцию «инверсия».
- •Вопросы спиэ js_Edition
- •44. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
- •45. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
- •46. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
- •47. Объясните принцип действия динистора.
- •48. Назовите параметры тиристоров.
- •49.Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
- •50.3Ависимость емкости конденсатора (мдп - процесс) от полярности подаваемого напряжения
- •51. Зависимость емкости конденсатора (мдп - процесс) от частоты.
- •52. Зависимость емкости конденсатора (биполярный тех.Процесс) от напряжения.
- •53. Нарисуйте передаточную характеристику логического вентиля, выполняющего функцию «инверсия».
- •54.Нарисуйте график зависимости мощности потребления от частоты для кмоп-схем.
- •54.Нарисуйте вертикальную структуру биполярного транзистора с диодом Шоттки.
- •55.Типы помех в интегральных схемах.
- •56.Принцип построения кольцевого генератора.
- •57.Принцип работы логического вентиля с тремя устойчивыми состояниями.
- •58.Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора.
- •59. Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора и п-р-п транзисторов изготовленных в одном техпроцессе.
- •60.Влияние температуры на параметры биполярного транзистора.
11. Статическое электричество. Схема защиты от статического электричества.
Статическое электричество — совокупность явлений, связанных с возникновением, сохранением и релаксацией свободного электрического заряда на поверхности или в объеме диэлектриков или на изолированных проводниках.
Восприимчивые к электростатическим зарядам приборы и схемы подвергаются опасности в процессе как производства, так и эксплуатации. Неантистатическая упаковка, недостаточно грамотное обращение с устройствами на входном контроле, в ходе их монтажа при изготовлении электронных блоков и при работе аппаратуры - все эти факторы могут стать причиной выхода полупроводниковых изделий из строя.
Обычно носители зарядов обеих полярностей распределены в материале равномерно, поэтому он электрически нейтрален. Разрушение этого нейтрального состояния и локальное накопление частиц одной полярности приведет к тому, что тело станет заряженным. Статическое электричество определяется как явление, вызываемое электрическим зарядом в состоянии покоя. Такие заряды возникают при переносе электронов (или других видов носителей заряда) с одной части тела в другую (поляризация) или же при переходе заряда от одного тела к другому (переносимый заряд). Они могут быть как отрицательными, например, если на предмете электроны присутствуют в избытке, так и положительными, если, наоборот, имеется недостаток электронов .
Существует три основных процесса электризации материалов: добавление зарядов, удаление зарядов и разделение зарядов. Заряды на предмете могут появиться под действием электрического поля, но не только.
Когда в контакте находятся материалы, обладающие высоким сопротивлением, только носители зарядов в непосредственной близости к области соприкосновения принимают участие в электризации, и они останутся в той же точке, в которой изначально сформировались, даже если материал будет заземлен. Статические же заряды на незаземленных проводниках распространяются практически мгновенно по всей поверхности контактирующих тел (с заземленного проводника заряд стечет на землю). Общее условие электризации какого-либо тела - электрический заряд при разделении (или другом способе получения) должен возрастать быстрее, чем компенсироваться из окружающей среды (компенсации заряда способствует, например, влажная атмосфера).
При производстве полупроводниковых изделий электростатический заряд чаще всего возникает из-за трения поверхностей различных материалов, что называется трибоэлектрическим эффектом. Если осуществить контакт двух материалов трибоэлектрической серии, то более высокий в серии материал заряжается положительно, другой получит такой же отрицательный заряд. Величина заряда зависит от силы сжатия при контакте и от способа и качества контакта между материалами.
Значительные по величине заряды могут возникать непосредственно на поверхности прибора. Характер воздействия разряда на полупроводниковые изделия в производственных условиях зависит от ряда случайных факторов: емкости, величины накопленного заряда, сопротивления человека, величины переходных сопротивлений в цепи разряда и др
При технологических процедурах, сопровождающихся трением или нарушением контакта между различными материалами (например, на сборочных автоматах), возникают разности потенциалов, вызванные появлением электростатических зарядов.
Катастрофические отказы можно разделить на отказы под действием напряжения, когда пробивается насквозь диэлектрик или разрушается поверхность кристалла, и отказы под действием мощности или тока, которые часто опознают по горячим точкам или расплавленным участкам на кристалле. Разряд может вызвать такую высокую плотность тока на границе оксид-полупроводник, что происходит локальное расплавление полупроводникового материала, а в оксиде образуется точечное отверстие диаметром около 1 мкм.
Элементы, чувствительные к напряжению (тонкий диэлектрик структур металл-диэлектрик-полупроводник, изолирующий оксид и т.д.), отказывают вследствие электрического пробоя. Отказы внутри прибора под действием напряжения происходят из-за разницы постоянных времени разряда в смежных или пересекающихся участках, что приводит к появлению напряжений, превышающих электрическую прочность диэлектрика. Другие элементы (р-n-переходы, металлизированные дорожки и т.д.) чувствительны к мощности. В этом случае критическими параметрами оказываются форма импульса тока, протекающего при разряде, его длительность и амплитуда, которые при соответствующем сочетании могут создать уровень мощности, приводящий к термическому пробою. Отказы под действием мощности или тока происходят обычно между схемной частью и землей или питающей шиной. Шины питания и заземления, как правило, являются проводниками с наибольшей площадью и способны хранить наибольший заряд, высвобождая при разряде максимальную энергию.
Считается, что есть шесть наиболее распространенных и связанных с электростатическим разрядом механизмов отказов: тепловой вторичный пробой, расплавление металлизации, объемный пробой, пробой диэлектрика, поверхностный пробой и газовый дуговой разряд.
К общим способам по снижению возможности образования и накопления зарядов статического электричества на рабочих поверхностях, изделиях, одежде и теле работающих относятся:
- заземление электропроводных (в том числе и неметаллических) элементов оборудования и инструментов;
- общее и местное увлажнение воздуха и его ионизация;
- увеличение поверхностной и объемной проводимости обрабатываемых материалов;
- подбор контактирующих материалов, при которых уровень электризации минимален;
- ограничение скорости переработки и транспортирования электризующихся материалов (уменьшение скорости перемешивания и переливания жидкостей, возможности вскубливания, разбрызгивания и т.п.).