- •1.Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ттл вентиля.
- •2. Электрическая схема ттл вентиля со сложным инвертором.
- •3.Что такое таблица истинности. Функциональный контроль микросхем.
- •4. Способы включения биполярного транзистора как диода.
- •5.Принцип работы транзистора Шоттки.
- •7.Что такое радиочастотная идентификация. Диапазоны используемых частот в Европе.
- •8.Как влияет облучение на характеристики р-n перехода.
- •9.Что такое пинч-резистор?
- •10.Масштабирование. Основные принципы
- •11. Статическое электричество. Схема защиты от статического электричества.
- •12. Принцип работы транзистора в инверсном режиме
- •13. Первый и второй закон Мура.
- •14.Что такое потенциальные и импульсные схемы. Привести примеры.
- •15.Тиристор. Принцип работы
- •16.Туннельный диод Принцип работы.
- •17.Метод измерения динамических параметров интегральных схем.
- •18.Типы конденсаторов в интегральном исполнении
- •19. Виды полузаказных интегральных схем
- •Вентильные матрицы
- •2. Ис на основе готовых ячеек
- •1. Биполярные вентильныематрицы
- •20. Конструктивные и тепловые ограничения при проектировании интегральных схем
- •21. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора
- •22. «Положительная» и «отрицательная» логика. Привести примеры
- •23. Способы включения биполярного транзистора.
- •24. Полевой транзистор. Принцип действия
- •25. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •26. Типы помех в интегральных схемах
- •27. Биполярный транзистор. Принцип работы
- •28. Зависимость потребляемой мощности кмоп вентиля от частоты.
- •29.Современные системы автоматической идентификации.
- •30. Формула вольт-амперной характеристики диода.
- •31. Полупроводниковые приборы с n - образными характеристиками.
- •32. Система параметров логических элементов.
- •34. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.
- •35. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.
- •36. Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.
- •37. Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.
- •38.Многослойные полупроводниковые структуры
- •39.Инжекционный вентиль. Принцип работы.
- •40.Расчет параметров интегрального резистора.
- •41.Формула коэффициента усиления биполярного транзистора.
- •42. Степень насыщения биполярного транзистора.
- •43. Чем отличается реальная вольтамперная характеристика р-п перехода от теоретической.
- •44. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
- •45. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
- •46. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
- •47. Объясните принцип действия динистора.
- •48. Назовите параметры тиристоров.
- •49.Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
- •53. Нарисуйте передаточную характеристику логического вентиля, выполняющего функцию «инверсия».
- •Вопросы спиэ js_Edition
- •44. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
- •45. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
- •46. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
- •47. Объясните принцип действия динистора.
- •48. Назовите параметры тиристоров.
- •49.Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
- •50.3Ависимость емкости конденсатора (мдп - процесс) от полярности подаваемого напряжения
- •51. Зависимость емкости конденсатора (мдп - процесс) от частоты.
- •52. Зависимость емкости конденсатора (биполярный тех.Процесс) от напряжения.
- •53. Нарисуйте передаточную характеристику логического вентиля, выполняющего функцию «инверсия».
- •54.Нарисуйте график зависимости мощности потребления от частоты для кмоп-схем.
- •54.Нарисуйте вертикальную структуру биполярного транзистора с диодом Шоттки.
- •55.Типы помех в интегральных схемах.
- •56.Принцип построения кольцевого генератора.
- •57.Принцип работы логического вентиля с тремя устойчивыми состояниями.
- •58.Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора.
- •59. Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора и п-р-п транзисторов изготовленных в одном техпроцессе.
- •60.Влияние температуры на параметры биполярного транзистора.
35. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.
Существует три основные схемы включения транзисторов. При этом один из электродов транзистора является общей точкой входа и выхода каскада. Надо помнить, что под входом (выходом) понимают точки, между которыми действует входное (выходное) переменное напряжение. Основные схемы включения называются схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).
Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1. Во всех книжках написано, что эта схема является наиболее распространненой, т. к. дает наибольшее усиление по мощности.
Рис. 1 - Схема включения транзистора с общим эмиттером
Услительные свойства транзистора характеризует один из главных его параметров - статический коэффициент передачи тока базы или статический коэффициент усиления по току ?. Поскольку он должен характеризовать только сам транзистор, его определяют в режиме без нагрузки (Rк = 0). Численно он равен:
при
Uк-э = const
Этот коэффициент бывает равен десяткам или сотням, но реальный коэффициент ki всегда меньше, чем ?, т. к. при включении нагрузки ток коллектора уменьшается.
Коэффициент усиления каскада по напряжению ku равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного переменного напряжения. Входным является перемнное напряжение uб-э, а выходным - перемнное напряжение на резисторе, или что то же самое, напряжение коллектор-эмиттер. Напряжение база-эмиттер не превышает десятых долей вольта, а выходное достигает едениц и десятков вольт (при достаточном сопротивлении нагрузки и напряжении источника E2). Отсюда вытекает, что коэффициент усиления каскада по мощности равен сотням, тысячам, а иногда десяткам тысяч.
Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома:
при Uк-э = const
Этот коэффициент бывает равен десяткам или сотням, но реальный коэффициент ki всегда меньше, чем ?, т. к. при включении нагрузки ток коллектора уменьшается.
Коэффициент усиления каскада по напряжению ku равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного переменного напряжения. Входным является перемнное напряжение uб-э, а выходным - перемнное напряжение на резисторе, или что то же самое, напряжение коллектор-эмиттер. Напряжение база-эмиттер не превышает десятых долей вольта, а выходное достигает едениц и десятков вольт (при достаточном сопротивлении нагрузки и напряжении источника E2). Отсюда вытекает, что коэффициент усиления каскада по мощности равен сотням, тысячам, а иногда десяткам тысяч.
Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома:
и составляет обычно от сотен Ом до едениц килоом. Входное сопротивление транзистора при включении по схеме ОЭ, как видно, получается сравнительно небольшим, что является существенным недостатком. Важно также отметить, что каскад по схеме ОЭ переворачивает фазу напряжения на 180°
К достоинствам схемы ОЭ можно отнести удобство питания ее от одного источника, поскольку на базу и коллектор подаются питающие напряжения одного знака. К недостаткам относят худшие частотные и температурные свойства (например,в сравнении со схемой ОБ). С повышением частоты усиление в схеме ОЭ снижается. К тому же, каскад по схеме ОЭ при усилении вносит значительные искажения.
С хема с общей базой (ОБ). Схема ОБ изображена на рисунке 2.
Рис. 2 - Схема включения транзистора с общей базой
Такая схема включения не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется она не так часто, как схема ОЭ.
Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше еденицы:
т. к. ток коллектора всегда лишь немного меньше тока эмиттера.
Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ обозначается ? и определяется:
при uк-б = const
Этот коэффициент всегда меньше 1 и чем он ближе к 1, тем лучше транзистор. Коэффициент усиления по напряжению получается таким же, как и в схеме ОЭ. Входное сопротивление схемы ОБ в десятки раз ниже, чем в схеме ОЭ.
Для схемы ОБ фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует, то есть фаза напряжения при усилении не переворачивается. Кроме того, при усилении схема ОБ вносит гораздо меньшие искажения, нежели схема ОЭ.
С хема с общим коллектором (ОК). Схема включения с общим коллектором показана на рисунке 3. Такая схема чаще называется эмиттерным повторителем.
Рис. 3 - Схема включения транзистора с общим коллектором
Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен ki, т. е. нескольким десяткам.
В схеме ОК фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным - потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.
Входное сопротивление схемы ОК довольно высокое (десятки килоом), а выходное - сравнительно небольшое. Это является немаловажным достоинством схемы.
