9.Что такое пинч-резистор?
Пинч-резистор - высокоомный диффузионный резистор с суженным проводящим каналом.
При необходимости создания резисторов больших номиналов используют так называемые пинч-резисторы (по другому – канальные, закрытые). Их формирование осуществляется в донной части базовой области. Сопротивление таких резисторов может достигать 200...300 кОм при сравнительно невысокой точности (≈ 50 %). Конструкция такого резистора на основе базовой области представлена на рис. 2.1.10, а. Существуют также
конструкции пинч-резисторов на основе эпитаксиальной области, которая имеет наименьшую концентрацию и более однородное распределение легирующей примеси. Эпитаксиальные резисторы имеют высокое напряжение пробоя (>100 В), большой ТКС, но значительный разброс номиналов.
Пинч-резистора n+- и p-слои закорочены металлизацией и соединены с выводом резистора, находящимся под большим положительным потенциалом в сравнении с остальными областями структуры. Это соединение обеспечивает обратное смещение на всех переходах пинч-резистора и линейную вольтамперную характеристику при 1...1,5 В, пробивное напряжение составляет 5...7 В.
10.Масштабирование. Основные принципы
Даже при одинаковом минимальном размере нормы проектирования обычно отличаются у различных компаний и процессов. Это превращает задачу переноса существующей разработки на другой процесс в весьма трудоемкую процедуру. Одним из подходов является использование совершенных систем автоматизированного проектирования, которые позволяют осуществить миграцию между современными процессами. Другой подход заключается в использовании масштабируемых норм проектирования. В соответствии с последним подходом, известность которому дали подходы Мида и Конвейя, все нормы задаются в виде функции одного параметра, часто обозначаемого λ. Нормы выбираются таким образом, что разработка с легкостью переносится на весь срез промышленных процессов. Масштабирование минимального размера выполняется путем простого изменение значения параметра λ. Это приводит к линейному масштабированию размеров. Для данного процесса устанавливается конкретное значение λ, и все конструктивные размеры последовательно переводятся в абсолютные цифры. Обычно величина минимальной ширины линии для процесса устанавливается равной 2 λ. Например, для 0,25-микронного процесса(мин.ширина линии 0,25) значение λ равно 0,125 мкм.
Данный подход имеет 2 недостатка:
1.Линейнок масштабирование возможно только в ограниченном диапазоне размеров(напр.0,25..0,18 мкм). При масштабировании в более широком диапазоне отношение между различными слоями обычно изменяются линейным образом, что не может быть адекватно отражено при линейном масштабировании норм.
2.Масштабируемые нормы проектирования консервативны: они отражают срез различных технологий и поэтому должны представлять нормы для наихудшего случая всего набора. Вследствие имеем завышение размеров и меньшую плотность интеграции разработки.
Нормы проектирования обеспечивают набор указаний для следования при проектировании различных масок, необходимых в процессах формирования рисунка. Они включают в себя ограничения и требования к минимальному размеру и минимальному расстоянию между объектами в пределах одного или разных слоях.