7.Что такое радиочастотная идентификация. Диапазоны используемых частот в Европе.

RFID (англ. Radio Frequency IDentification, радиочастотная идентификация) — метод автоматической идентификации объектов, в котором посредством радиосигналов считываются или записываются данные, хранящиеся в так называемых транспондерах, или RFID-метках.

Любая RFID-система состоит из считывающего устройства (считыватель, ридер или интеррогатор) и транспондера (он же RFID-метка, иногда также применяется термин RFID-тег).

Диапазон частот (и применение если спросит, но в общем они различаются по дальности):

Низкие частоты (НЧ, LF) – 125-134 КГц (животные)

Высокие частоты (ВЧ, HF) – 13,56 МГц (товары на складе)

Ультра-высокие частоты (УВЧ, UHF) – 860-960 МГц (передвегающийся обьект или товары на складе)

Микроволны (SHF) – 2,4 ГГц (передвегающийся обьект и товары на складе )

И еще 5 ГГц (дальние перевозки)

8.Как влияет облучение на характеристики р-n перехода.

Реакция интегральных микросхем (ИМС) на ионизирующее излучение обусловлена, в первую очередь, зависимостью параметров её элементов от эффектов смещения и ионизации. В свою очередь, конкретный вид энерговыделения (однородное, равновесное и т.п.) может приводить к появлению различных эффектов в микросхеме, особенности проявления которых определяются специфическими для нее технологическими и схемотехническими решениями. По причине возникновения эти эффекты можно подразделить на первичные - обусловленные непосредственно энергией излучения, поглощенной в ИМС (дефекты смещения, модуляция проводимости и т.п.), и вторичные - обязанные своим происхождением инициированному излучением перераспределению энергии внутренних и сто-ронних источников (радиационное защелкивание, вторичный фототек, пробой и т.п.).

С точки зрения функционирования ИМС в аппаратуре в зависимости от соотношения между длительностью воздействия излучения Т_и и временем релаксации вызванного им возбуждения в системе Т_рел различают остаточные (долговременные Т_рел>>Т_и) и переходные (кратковременные Т_и>Т_рел) изменения параметров приборов.

  

Одним из основных параметров, характеризующих переходные ионизационные эффекты в элементах ИМС при равновесном энерговыделении, является величина ионизационного тока р-n-переходов, который можно представить в виде двух составляющих: 1)мгновенная составляющая, связанная с дрейфом избыточных носителей из обедненной области перехода;

2)запаздывающая составляющая, связанная с диффузией и дрейфом неравновесных носителей заряда из областей, прилегающих к обедненной области р-n-перехода. Соотношение амплитуд запаздывающей и мгновенной составляющих определяется параметрами р-n -перехода.

  

Долговременные изменения параметров транзисторов обусловлены эффектами смещения и ионизации.

Эффекты смещения, связанные с изменением кристаллической структуры полупроводника вследствие перемещения атомов из своего положения, вызывают изменение электрофизических свойств полупроводника: времени жизни, подвижности носителей заряда и их концентрации. Соответственно изменяются и параметры транзисторов, определяемые указанными величинами.

Эффекты ионизации, связанные с накоплением заряда в диэлектрических слоях и изменением плотности поверхностных состояний при ионизации полупроводника, также приводят к деградации параметров транзисторов.

  

Действие облучения на транзисторы удобно установить на основании его физических параметров, характеризующих процессы в транзисторной структуре.