
- •1.Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ттл вентиля.
- •2. Электрическая схема ттл вентиля со сложным инвертором.
- •3.Что такое таблица истинности. Функциональный контроль микросхем.
- •4. Способы включения биполярного транзистора как диода.
- •5.Принцип работы транзистора Шоттки.
- •7.Что такое радиочастотная идентификация. Диапазоны используемых частот в Европе.
- •8.Как влияет облучение на характеристики р-n перехода.
- •9.Что такое пинч-резистор?
- •10.Масштабирование. Основные принципы
- •11. Статическое электричество. Схема защиты от статического электричества.
- •12. Принцип работы транзистора в инверсном режиме
- •13. Первый и второй закон Мура.
- •14.Что такое потенциальные и импульсные схемы. Привести примеры.
- •15.Тиристор. Принцип работы
- •16.Туннельный диод Принцип работы.
- •17.Метод измерения динамических параметров интегральных схем.
- •18.Типы конденсаторов в интегральном исполнении
- •19. Виды полузаказных интегральных схем
- •Вентильные матрицы
- •2. Ис на основе готовых ячеек
- •1. Биполярные вентильныематрицы
- •20. Конструктивные и тепловые ограничения при проектировании интегральных схем
- •21. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора
- •22. «Положительная» и «отрицательная» логика. Привести примеры
- •23. Способы включения биполярного транзистора.
- •24. Полевой транзистор. Принцип действия
- •25. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •26. Типы помех в интегральных схемах
- •27. Биполярный транзистор. Принцип работы
- •28. Зависимость потребляемой мощности кмоп вентиля от частоты.
- •29.Современные системы автоматической идентификации.
- •30. Формула вольт-амперной характеристики диода.
- •31. Полупроводниковые приборы с n - образными характеристиками.
- •32. Система параметров логических элементов.
- •34. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.
- •35. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.
- •36. Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.
- •37. Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.
- •38.Многослойные полупроводниковые структуры
- •39.Инжекционный вентиль. Принцип работы.
- •40.Расчет параметров интегрального резистора.
- •41.Формула коэффициента усиления биполярного транзистора.
- •42. Степень насыщения биполярного транзистора.
- •43. Чем отличается реальная вольтамперная характеристика р-п перехода от теоретической.
- •44. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
- •45. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
- •46. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
- •47. Объясните принцип действия динистора.
- •48. Назовите параметры тиристоров.
- •49.Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
- •53. Нарисуйте передаточную характеристику логического вентиля, выполняющего функцию «инверсия».
- •Вопросы спиэ js_Edition
- •44. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
- •45. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.
- •46. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
- •47. Объясните принцип действия динистора.
- •48. Назовите параметры тиристоров.
- •49.Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
- •50.3Ависимость емкости конденсатора (мдп - процесс) от полярности подаваемого напряжения
- •51. Зависимость емкости конденсатора (мдп - процесс) от частоты.
- •52. Зависимость емкости конденсатора (биполярный тех.Процесс) от напряжения.
- •53. Нарисуйте передаточную характеристику логического вентиля, выполняющего функцию «инверсия».
- •54.Нарисуйте график зависимости мощности потребления от частоты для кмоп-схем.
- •54.Нарисуйте вертикальную структуру биполярного транзистора с диодом Шоттки.
- •55.Типы помех в интегральных схемах.
- •56.Принцип построения кольцевого генератора.
- •57.Принцип работы логического вентиля с тремя устойчивыми состояниями.
- •58.Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора.
- •59. Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора и п-р-п транзисторов изготовленных в одном техпроцессе.
- •60.Влияние температуры на параметры биполярного транзистора.
19. Виды полузаказных интегральных схем
Полузаказная интегральная микросхема - микросхема, разработанная на основе базовых кристаллов (в том числе матричных).ПИС могутбыть построены на основе вентильных матриц либо ИС, представляющих собой наборстандартных ячеек. Приборы данного типамогут разрабатываться заказчиком при технической поддержке производителя ИС.
Полузаказные ИС на основе КМОП
Вентильные матрицы
Структура вентильной матрицы состоитиз так называемых базисных ячеек (вентилей) и связей между ними, реализованныхна кристалле посредством канальной технологии. Ячейкисодержатот 2 до 8 транзисторов. В ИС на основе КМОП вентильных матриц применяется другая структура,которая позволяет отказаться от технологииканальных логических матриц. Вместо этого используются межэлементные соединения ячеек (логические ячейки). Данная технология называется ≪море вентилей≫, и еёприменение позволяет уменьшить поверхность кремниевого кристалла (следовательно, и его стоимость).Пользователь программирует полузаказные ИС с помощью персонального компьютера или рабочей станции. При этом вентилисоединяются друг с другом таким образом,чтобы получить требуемые логические функции. В процессе производства полузаказной ИС изготавливается кремниевая пластина, содержащая нескоммутированные вентильные матрицы. Изготовление такого ≪полуфабриката≫ обходится дешевле, чем производствоготовой полнофункциональной ИС. На последнем этапе производства осуществляется≪персонализация≫ базового кристалла путёмвыполнения требуемых соединений как внутри ячеек, так и однихячеек с другими. Такимобразом, заказная схема разрабатывается наоснове универсального базового кристалла.
2. Ис на основе готовых ячеек
При проектировании структуры ячеекполузаказных ИС больше не применяютсятехнологии, использующие готовые шаблоны. Расположение и размеры ячеек выбираются индивидуально. Применяется такжеопция восстановления макроструктуры, сохранённой в библиотеке стандартных элементов (такая макроструктура может включать в себя DRAM, SRAM, процессорноеядро, АЦП/ЦАП и т.п.).На Рис. 12.2 показаны различные типыполузаказных модулей.
Фактор цены
Для сопоставимых проектов разработкаИС навентильныхматрицах стоит в два слишним раза дешевле, чем разработка ИСна готовых ячейках. При массовом производстве продукции ситуация меняется.В случае мелкосерийного производства(приблизительно 1000…10 000 шт.) стоимости ИС обоих типов одинаковы (либоИС на вентильных матрицах обходятся чутьдешевле вследствие небольшой стоимостиполуфабрикатов базовых кристаллов).При средних объёмах производства(10 000…100 000 шт.) благодаря меньшейплощади поверхности кристалла преимущество оказывается у ИС на готовых ячейках, поэтому в данном случае выгоднее использовать именно такие ИС.
Биполярные полузаказные ИС
Биполярные (вентильные) матрицы особенно хорошо подходят для работы на высоких частотах и с малыми задержками переключения вентилей (порядка 30…100 пс).
Максимальное количество элементовбиполярных вентильных матриц семействаSH100G производства Infineon составляетприблизительно 10 000 вентилей