
- •2. Полупроводниковые диоды: разновидности, их особенности функционировании, свойства, сравнительные характеристики, области применения.
- •3. Вах п./п. Диодов. Электрические модели п/п диода. Уравнение Эберса-Молла, понятие о температурном коэффициенте напряжения и температуре удвоения.
- •8. Биполярные транзисторы (бт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия, основные параметры, режимы работы бт.
- •9. 3 Схемы включения бт: сравнительные характеристики схем включения, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности.
- •10. Режимы работы бт. Способы задания режимов работы бт для каждой из 3-х схем включения (привести схемы включения)
- •11. Статические характеристики и параметры бт. Определение дифференциальных параметров бт по статическим характеристикам. Особенности реальных характеристик. Предельные характеристики и параметры.
- •12. Модели бт: т-образная (физическая модель), бт - как четырёхполюсник.
- •13. Частотные и импульсные свойства бт. Модель Джиоколлетта. Частотные свойства бт для схем включения с об и оэ. Понятие о дрейфовом транзисторе.
- •14. Составные бт (схема Дарлингтона) Примеры включения. Свойства, применение
- •15. Полевые транзисторы (пт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с управляемым р-n переходом.
- •16. Пт с изолированным затвором: условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с изолированным затвором с встроенным и индуцированным каналом.
- •1 7. Характеристики и параметры пт.
- •18. Модели пт, частотные и импульсные свойства схемы включения. Области применения.
- •19. Фотодиоды и светодиоды: режимы работы, схемы, свойства, применение.
- •20. Фототранзисторы и фототиристоры: работа, свойства, применение.
- •21.0Птопары: классификация, схемы включения, свойства, применение.
11. Статические характеристики и параметры бт. Определение дифференциальных параметров бт по статическим характеристикам. Особенности реальных характеристик. Предельные характеристики и параметры.
Т
ранзистор
в электрических схемах используется в
качестве четырехполюсника, характеризующегося
четырьмя величинами: входным и выходным
напряжениями и входным и выходным токами
( uВХ, uВЫХ, iВХ, iВЫХ). Функциональные
зависимости между этими величинами
называются статическими характеристиками
транзистора, Чтобы установить
функциональные связи между указанными
величинами, необходимо две из них взять
в качестве независимых переменных, а
две оставшиеся выразить в виде функций
этих независимых переменных. Как правило,
применительно к биполярному транзистору
в качестве независимых переменных
выбирают входной ток и выходное
напряжение.
Статические характеристики транзистора могут задаваться соответствующими аналитическим выражениями, а могут быть представлены графически. Несколько характеристик одного типа, полученные при различных значениях параметра, образуют семейство характеристик.
Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера называется отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе:
Основные параметры: Коэффициент передачи по току, Входное сопротивление, Выходная проводимость, Обратный ток коллектор-эмиттер, Время включения.
12. Модели бт: т-образная (физическая модель), бт - как четырёхполюсник.
Р
ежим
работы БТ при работе с сигналами малой
амплитуды iБ, uБЭ, iК, uКЭ, когда связь
между приращениями токов и напряжений
в нём может быть описана с помощью
линейных алгебраических уравнений,
называют режимом малого сигнала. В этом
случае модель БТ в области низких частот
представляют в виде линейного активного
четырёхполюсника, для описания свойств
которого чаще всего используют систему
h-параметров. Для БТ, включённого по
схеме с ОЭ система уравнений линейного
четырёхполюсника имеет вид:
Uбэ=h11э*Iб+h12э*Uкэ;
Iк=h21э*Iб+h22*Uкэ
Параметры четырёхполюсника имеют следующий физический смысл:
· входное сопротивление при коротком замыкании выходной цепи: h11Э = uБЭ iБ при uКЭ = 0;
· коэффициент обратной связи по напряжению при ХХ во входной цепи: h12Э = uБЭ/uКЭ при iБ = 0;
· коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи: h21Э = iК iБ при uКЭ = 0;
· выходная проводимость при холостом входе во входной цепи: h22Э = iК uКЭ при iБ = 0;
13. Частотные и импульсные свойства бт. Модель Джиоколлетта. Частотные свойства бт для схем включения с об и оэ. Понятие о дрейфовом транзисторе.
Дрейфовый транзистор, транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту. Д. т. изготовляют главным образом на основе монокристаллов германия и кремния. Д. т. применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от сотен кгц до нескольких Ггц и коммутации сигналов в электронных устройствах.
Частотные свойства определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Для биполярных транзисторов
используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ Н21Б и Н21Э. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала в схемах включения с ОБ и ОЭ. Величины Н21Б и Н21Э могут быть найдены двумя способами:
-решением дифференциальных уравнений физических процессов и определением из них токов;
-анализом Т-образной эквивалентной схемы по законам теории электрических цепей.
Транзистор можно использовать в качестве генератора или усилителя только в том случае, если его коэффициент усиления по мощности КP>1. Поэтому обобщающим частотным параметром является максимальная частота генерирования или максимальная частота усиления по мощности, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице.
Модель Джиоколетто.