9. 3 Схемы включения бт: сравнительные характеристики схем включения, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности.
Схема включения с общей базой
Ki=Iвых/Iвх=Iк/Iэ, Ki<1, Ku>>1, Kp>1, Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ, Rвых=Uкэ/Iк
Достоинства: Входное сопротивление мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов.
Недостатки: Малое усиление по току, Малое входное сопротивление, Два разных источника напряжения для питания.
Достоинства: Хорошие температурные и частотные свойства, Высокое допустимое напряжение
Схема включения с общим эмиттером.
Ki=Iк/Iб, Ki>1; Ku>1, Kp>>1, Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iб, Rвых=Uкэ/Iк
Достоинства: Большой коэффициент усиления по току, Большой коэффициент усиления по напряжению,
Наибольшее усиление мощности, Можно обойтись одним источником питания, Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.
Недостатки: Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой
Схема с общим коллектором
Iвых = Iэ
Iвх = Iб
Uвх = Uбк
Uвых = Uкэ
Ki=Iэ/Iб, Ki>>1, Ku<1, Kp>1, Rвх=(Uбэ+Uкэ)/Iб, Rвых=Uкэ/Iэ
Достоинства: Большое входное сопротивление, Малое выходное сопротивление
Недостатки: Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.
10. Режимы работы бт. Способы задания режимов работы бт для каждой из 3-х схем включения (привести схемы включения)
Нормальный активный режим. Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;
Инверсный активный режим. Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный — прямое.
Режим насыщения Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
Режим отсечки. Оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).
С
хема
с ОБ.
В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной - цепь коллектора. Схема ОБ наиболее проста для анализа, поскольку в ней каждое из внешних напряжений прикладывается к конкретному переходу: напряжение uЭБ прикладывается к эмиттерному переходу, а напряжение uКБ - к коллекторному. Следует заметить, что падениями напряжений на областях эмиттера, базы и коллектора можно в первом приближении пренебречь, поскольку сопротивления этих областей значительно меньше сопротивлений переходов. Нетрудно убедиться, что приведенные на рисунке полярности напряжений (uЭБ<0; uКБ>0) обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора.
С хема с ОЭ.
В схеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь коллектора. В схеме ОЭ напряжение uБЭ>0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение uКЭ распределяется между обоими переходами: uКЭ = uКБ + uБЭ . Для того, чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо uКБ = uКЭ – uБЭ > 0 , что обеспечивается при uКЭ > uБЭ > 0.
Схема с ОК.
В схеме с общим коллектором входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь эмиттера.