
- •2. Полупроводниковые диоды: разновидности, их особенности функционировании, свойства, сравнительные характеристики, области применения.
- •3. Вах п./п. Диодов. Электрические модели п/п диода. Уравнение Эберса-Молла, понятие о температурном коэффициенте напряжения и температуре удвоения.
- •8. Биполярные транзисторы (бт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия, основные параметры, режимы работы бт.
- •9. 3 Схемы включения бт: сравнительные характеристики схем включения, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности.
- •10. Режимы работы бт. Способы задания режимов работы бт для каждой из 3-х схем включения (привести схемы включения)
- •11. Статические характеристики и параметры бт. Определение дифференциальных параметров бт по статическим характеристикам. Особенности реальных характеристик. Предельные характеристики и параметры.
- •12. Модели бт: т-образная (физическая модель), бт - как четырёхполюсник.
- •13. Частотные и импульсные свойства бт. Модель Джиоколлетта. Частотные свойства бт для схем включения с об и оэ. Понятие о дрейфовом транзисторе.
- •14. Составные бт (схема Дарлингтона) Примеры включения. Свойства, применение
- •15. Полевые транзисторы (пт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с управляемым р-n переходом.
- •16. Пт с изолированным затвором: условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с изолированным затвором с встроенным и индуцированным каналом.
- •1 7. Характеристики и параметры пт.
- •18. Модели пт, частотные и импульсные свойства схемы включения. Области применения.
- •19. Фотодиоды и светодиоды: режимы работы, схемы, свойства, применение.
- •20. Фототранзисторы и фототиристоры: работа, свойства, применение.
- •21.0Птопары: классификация, схемы включения, свойства, применение.
2. Полупроводниковые диоды: разновидности, их особенности функционировании, свойства, сравнительные характеристики, области применения.
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода. По функциональному назначению диоды делятся на: выпрямительные, импульсные, универсальные, стабилитроны, фотодиоды и светодиоды.
В
ыпрямительные
диоды -диоды,
предназначенные для преобразования
переменного тока в постоянный.
Благодаря
большой площади перехода прямой ток
выпрямительных диодов составляет от
единиц до тысяч ампер. Обычно к диоду
прикладывается прямое напряжение не
более 1 В, при этом плотность тока в
полупроводнике достигает 1-10 А/мм2,
что вызывает некоторое повышение
температуры полупроводника. Для
сохранения работоспособности германиевого
диода его температура не должна превышать
85°С. Кремниевые диоды могут работать
при температуре до 150°С.
Если
к диоду приложить прямое напряжение
порядка несколько десятков вольт, то
возникнет недопустимо большой прямой
ток, это вызовет интенсивный нагрев
полупроводника и подводящих проводов,
что вызовет разрушение диода.
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда через р-n-переход. При повышении температуры p-n-перехода количество неосновных носителей заряда увеличивается, поэтому обратный ток диода возрастает. В случае приложения к диоду большого обратного напряжения может произойти лавинный пробой р-n-перехода, обратный ток при этом резко увеличивается, что вызывает разогрев диода, дальнейший рост тока и, как следствие, тепловой пробой и разрушение p-n-перехода. Большинство диодов может надежно работать при обратных напряжениях, не превышающих 0,7 - 0,8 пробивного напряжения.
Основными параметрами выпрямительных диодов являются: прямое напряжение Unp, которое нормируется при определенном прямом токе Iпр; максимально допустимый прямой ток диода Iпр max; максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр max; обратный ток диода Iобр, который нормируется при определенном обратном напряжении Uобp.
С
табилитрон
- полупроводниковый
диод, напряжение на котором в области
электрического пробоя слабо зависит
от тока и который служит для стабилизации
напряжения.
В области пробоя напряжение на стабилитроне Uст лишь незначительно изменяется при больших изменениях тока стабилизации Iст. Такую характеристику стабилитрона используют для получения стабильного напряжения.
Основными параметрами стабилитрона являются: напряжение на участке стабилизации Uст; динамическое сопротивление на участке стабилизации Rд=dU/dIст; минимальный ток стабилизации Iст min; максимальный ток стабилизации Iст max
Напряжение стабилизации современных стабилитронов лежит в пределах 1 - 1000 В и зависит от толщины запирающего слоя p-n-перехода. Стабилитроны применяют в стабилизаторах напряжения, например в автоматических потенциометрах, предназначенных для измерения постоянных напряжений и токов.
Ф
отодиод
- полупроводниковый
диод, имеющий ВАХ, зависящую от освещенности
фотодиода, а также способный
преобразовывать световую энергию в
электрическую. ВАХ неосвещенного
фотодиода
такая
же, как у выпрямительного диода. При
воздействии на светодиод светового
потока прямая ветвь ВАХ изменяется
несущественно, а при обратном
напряжении на фотодиоде ток через
фотодиод зависит от светового потока.
При отсутствии светового потока
сопротивление диода велико, а ток в
цепи и напряжение на резисторе Uвых
практически равны нулю. При воздействии
на фотодиод светового потока обратное
сопротивление фотодиода уменьшается,
появляются ток и напряжение Uвых,
зависящие от освещенности фотодиода.
Фотодиоды применяют в устройствах считывания чертежей и графиков, в пылемерах, для измерения уровней жидкостей и т.д.
Светодиод - полупроводниковый диод, преобразующий электрическую энергию в световую. Излучение возникает при протекании через светодиод прямого тока. Цвет излучения (красный, оранжевый, зеленый) зависит от вида полупроводникового материала, а яркость - от значения прямого тока.
Светодиоды потребляют малую мощность, имеют большой срок службы и относительно дешевы. Они широко применяются в цифровых, буквенных и точечных индикаторах в вычислительной и измерительной технике.