9) Разновидности транзисторов. Устройство, маркировка и схемы включения биполярных транзисторов.

Бывают 2 типа: биполярные (БП) и полевые. Особенностью БПТ явл зависимость выходного тока от входного. В полевых, движение зарядов осущ эл. полем. БПТ наз электропреобразовательный прибор, имеющий 2 п-н перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Т имеют 3 вывода. В Т в качестве п/проводника исп кремний или германий. Переход между Э и Б наз эмиттерным, между К и Б наз. коллекторным. Через Т протекают 2 прямых тока. Через БЭ – прямой базовый ток, КЭ – коллекторный, усиленный в n-е количество раз, по сравнению с базовым. Ki=Ik/Iб. К ток протекает через ЭК: Iэ=Iб+Iк. Поскольку ток Б значительно меньше тока К, в расчетах обычно: Iк=Iэ.

Схемы соединения с общей базой, эмиттером, коллектором:

ОЭ: Rвх на 2 порядка больше, чем у ОБ; Ku>1; Ki>1; Kp-наиб. зн-е. ОБ: Rвх мало; Ku<1; Ki>1; Kp-мал. ОК: Ku<1 (нет усиления); Ki>наибольший; Kp= Ki.

10) Режимы работы и основные характеристики биполярных транзисторов.

Существует 3 режима включения БПТ, которые применяются в зависимости от выполняемых функций в режиме усиления. 1 – активный режим (усиления). При это на Б подается Uпр, на К – Uобр. В соответствии с этим ставим знаки.

Существует ещё 2 режима: насыщения и отсечки. Режим насыщения получается тогда, когда на Б Uбэ и на К Uкэ подается прямое напряжение.

В режиме насыщения, Iк, достигает максимального значения тока насыщения. При это все напряжение источника сосредотачивается на Rк. При режиме насыщения, все переходы обладают для основных зарядов минимальное сопротивление. Этот режим широко исп в качестве ключа.

Р ежим отсечки, возникает тогда, когда на Б и К подаются обратные напряжения.

В этом режиме текут обратные токи, однако, отрицательное напряжение является для неосновных зарядов – ускоряющим. Общий коллекторный ток при режиме отсечки: .

0 – озн обратный ток. В режиме отсечки, усиления практически нет.

О сновные характеристики БПТ. По статическим характеристикам определяется режим работы транзисторов. Они делятся на 2 типа: входная и выходная. Входная (1) определяет зависимость тока Б от Uбэ.

Выходная характеристика (2) показывает, что при одном и том же напряжении, ток К будет больше, при большем значении тока Б. При чрезмерном увеличении К напряжения, происходит пробой К, сопровождающий резким ув тока, нагревом транзистора и выхода его из строя.

11) Общие параметры и малосигнальные h-параметры биполярных транзисторов.

1.

2.

3.

Iвх=Iб; Uвх=Uбэ; Iвых=Iк; Uвых=Uкб.

4.

Параметры h11 и h12 определяются по входным характеристикам, h21 и h22 – по выходным.

В схемах с общ. Э и Б существует зависимость малосигнальных параметров: