4) Основные особенности электропроводности полупроводников. Прямое и обратное включение электронно-дырочных переходов.

П/п занимают среднее положение между проводниками и диэлектриками. Их особенностью явл сильная зависимость от температуры. С её повышением сопротивление увеличивается, а ток – уменьшается. Основные вещества – германий, кремний. Сущ 2 вида проводимостей: электронная и дырочная. При -273°, проводник явл идеальным диэлектриком. При изм температуры, электроны могут отбрасываться от атомов, это наз. генерацией; обратный процесс – регенерация. В атоме при потере электрона, остается вакантное место, оно наз дыркой. Дырки двигаются к «-», а электроны к «+». Движение электронов (n) образует электрическая проводимость, а дырок (p) – дырочная. При соединении этих элементов, произойдет диффузия. В результате образуется слой из положит и отр ионов, обладающих большим сопротивлением («запирающий слой»). Чтобы ток мог пройти, необх этот слой разрушить. Запирающий слой создает эл поле (от + к -). Под действием этого поля, возникает 2 тока: диффузионный и дрейфовый. Диф. явл. осн. током, который обр. основными зарядами. Дрейф. – не осн. зарядами. Диф. ток компенсирует дрейф. и результир. ток равен нулю. Прямое включение: есть внешний источник питания подключить + к «п» и – к «н», диф. поле частично скомпенсировано полем внешнего источника. Барьер п-н перехода уменьш., ув. колич. электронов и дырок, проникающих в противоположную область. Толщина запирающего слоя ум., R перехода ум., создаются условия для движения зарядов. Обратное: При этом поле ист и диф. напр. в одну сторону, что вызовет увеличение запирающего слоя. Прохождения тока не будет. Будет обр. ток, образованный не осн. носителями. Т.к. этих носителей мало – ток мал. (диодная хар-ка).

5) Классификация полупроводниковых приборов и полупроводниковых резисторов.

П/п приборы: резисторы, фотоэлектрические приборы, микросхемы, диоды, биполярные транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры, комбинированные п/п приборы.

П/п резисторы являются двухэлектродные. Транзисторы – трех электродные. Тиристоры – от двух до трех электродные.

П/п резисторы: линейные (терморезисторы, термисторы, позисторы); варисторы (тензорезисторы, фоторезисторы, магниторезисторы).

6) Характеристики, условные графические обозначения, маркировка полупроводниковых резисторов.

п /п резистором наз прибор, выполненный на основе п/в с двумя выводами, в которых исп зависимость эл. сопротивления от напряжения , температуры, освещенности, деформации и др. Линейный резистор – п/п резистор, в котором применяют слаболегированный метериал кремния или арсилида галлия. В таком резисторе удельное эл. сопротивление практически не зависит от напряженности эт поля и тока. Широко исп и инт микросхемах. Терморезистор – п/п резистор, в котором исп зависимость эл. сопротивления от температуры. Подразделяется: термистор (при пов т, R ум) позистор (при пов т, R ув). Для позистора характерно в начале плавное уменьшение, а после резкое повышение сопротивления. Точка Кюри – темп, при которой вещество изм свои свойства. Варистор – п/п прибор, стержневой или дисковой формы, с двумя выводами, сопротивление которого зависит от напряжения, проложенного к его выводам. При ув напряжения, ток растет, сопротивление уменьшается. При достижении рабочего напряжения, сопротивление варистора практически падает до нуля. Тензорезистор – п/п резистор, в котором исп. зависимость эл. сопротивления от мех деформации. Тензочувствительность зависит от вещества п/п, типа электропроводности, удельного сопротивления, напряжения деформации. У п/п при ув. давления, R ум.

М агниторезисторы – п/п резисторы, R которых зависит от м. поля. регулируется напряжением цепи, где создается ток, порождающий м. поле. исп. в ВЧ радиоаппаратуре. Фоторезистор – п/п резистор, R которого зависит от освещенности.