Обработка результатов измерений

1. Результаты измерений по пп. 2–4 занесите в таблицу и постройте в общей системе координат ветви входной характеристики I_Б(U_БЭ) при U_КЭ = 0 и U_КЭ = 3,0 В.

2. По результатам измерений тока базы I_Б и напряжения U_БЭ (при U_КЭ = 0) вычислите значения статического входного сопротивления R_СТ для каждой точки входной характеристики по формуле:

(3)

3. По результатам вычислений постройте график зависимости R_СТ(U_БЭ).

Выходная характеристика транзистора описывает зависимость тока коллектора I_К от напряжения между коллектором и эмиттером U_КЭ. Как правило, для выходной характеристики строят несколько ветвей, соответствующих различным значениям тока базы I_Б. Выходная характеристика транзистора позволяет выбрать транзистор для работы в режимах больших сигналов и провести анализ каскада графоаналитическими методами. Для изучения выходной характеристики выполните следующие действия:

1. Отключите от цепи прибор (мультиметр или осциллограф), которым Вы пользовались для измерения напряжения база-эмиттер U_БЭ.

2. Напряжение между коллектором и эмиттером U_КЭ, а также ток коллектора I_К измеряйте с помощью соответствующих приборов, встроенных в блок питания. Ток базы I_Б измеряйте мультиметром.

3. Установите ток базы равным 0,6 мА.

4. Изменяя напряжение U_КЭ в интервале от 1 до 10 В с шагом 2 В, измеряйте соответствующие значения тока коллектора I_К. Показания приборов занесите в протокол.

5. Уменьшая ток базы на 0,1 мА, повторите пять раз измерения по п. 4. Для каждой ветви выходной характеристики заносите в протокол показания приборов. Последнюю ветвь выходной характеристики снимите при значении тока базы 0,1 мА.

6. Снимите начальный участок характеристики только для одного значения тока базы I_Б = 0,6 мА, изменяя напряжение U_КЭ в интервале от 0 до 1 В с шагом 0,2 В. Результаты измерений занесите в таблицу.

Обработка результатов измерений

1. Постройте график семейства выходных характеристик транзистора, содержащий шесть ветвей и один общий начальный участок.

2. Для каждой ветви вычислите среднее значение статического коэффициента передачи по току β, используя соотношение:

, (4)

где I_{К. СР.} – среднее значение тока коллектора каждой ветви.

3. По результатам вычислений, выполненных в предыдущем пункте, постройте график зависимости β(I_К).

Контрольные вопросы

1. Опишите состояния переходов транзистора (БЭ и БК) при снятии выходных характеристик по схеме ОЭ.

2. Объясните влияние напряжения U_КЭ на положение ветвей входной характеристики.

3. Дайте определение коэффициента передачи транзистора по току.

4. Изобразите схему цепи для снятия выходных характеристик биполярного транзистора p-n-p типа.

5. Составьте уравнения по второму закону Кирхгофа для контуров базовой и коллекторной цепей схемы.

6. Вычислите напряжение на зажимах источника Е_Б при I_Б = 0,6 мА, используя результаты, полученные при снятии входной характеристики при U_КЭ = 0.

7. Объясните назначение резистора R, установленного в цепи базы.