Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методические указания Гибридные интегральные ми...doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
1.69 Mб
Скачать

3. Разработка топологии гис

Разработка топологической структур ГИС включает последовательное выполнение комплекса работ по расчету пленочных элементов и их компоновке вместе с навесными элементами на подложке заданных размеров. Этот комплекс работ можно разделить на следующие основные этапы:

1.Определение минимальных размеров подложки и выбор типоразмера корпуса.

2. Разработка коммутационной схемы соединений элементов на подложке.

3. Расчет геометрических размеров и выбор формы пленочных элементов.

4. Разработка окончательного варианта топологии. При выполнении каждого из этапов необходимо руководствоваться следующими принципами:

- минимизация площади, занимаемой элементами и схемой в целом;

- минимальное число межэлементных соединений;

- равномерность расположения элементов по площади подложки;

- минимальное число материалов для получения пленочных элементов;

- повышение степени интеграции элементов и технологических процессов их получения.

3.1. Рекомендации по проектированию топологической структуры

Площадь подложки, необходимую для размещения топологической структуры ГИС; определяет исходя из того, что площадь, занижаемая элементами, несколько меньше ее полной площади, что обусловлено технологическими требованиями и ограничениями.

Площадь подложки вычисляют из, соотношения:

50

где Ks - коэффициент использования платы (от 0,4 до 0,6);

Sr - суммарная площадь, занимаемая резисторами;

Sc - общая площадь, занимаемая конденсаторами;

Sk - общая площадь занимаемая контактными;

Sh - общая площадь, занимаемая навесными элементами.

По данным расчета выбирают подложки с размерами, согласно таблицы 2, а также определяют ориентировочно конструкцию корпуса ГИС.

На втором этапе проектирования преобразуют исходную электрическую схему с целью составления схематического плана размещения элементов и их соединений. При этом:

- упрощают схему таким образом, чтобы получить минимальное число пересечений;

- выделяют на схеме пленочные и навесные элементы, коммутационные проводники и контактные площадки.

В качестве примера, на рис. 8 показана исходная и преобразованная электрические схемы. На прообразованной схеме отсутствуют пересечения коммутационных проводников, расположение периферийных контактактных площадок отвечает двухстороннему расположению выводов корпуса ГИС. Пассивные элементы и внутрисхемные соединения выделены утолщенными линиями.

Разработку топологии производят в два этапа: сначала эскизный вариант, затем оригинал.

Пленочные элементы вычерчивают на миллиметровой бумаге в масштабе 10:1, 20:1 или 30:1 в соответствии со схемой соединений, обычно начиная с одного из углов платы. Грани всех элементов располагают вдоль осей координатной сетки.

Навесные компоненты изображают с соблюдением порядка расположения выводов. Все элементы снабжают контактными площадками, расположение и размеры, которых должны соответствовать конструктивным технологическим требованиям и ограничениям. После окончательного размещения элементов производят раскраску (штриховку) каждого слоя.

Разработанная топология должна соответствовать электрической схеме, удовлетворять всем конструктивно-тхнологическим и электрическим требованиям, обеспечивать возможность контроля каждого элемента, обеспечивать требуемый тепловой режим и уровень надежности. Затем проводится тепловой расчет и оценка проектной надежности ГИС. Эти расчеты могут сопровождаться уточнением топологической структуры. В результате этого разрабатывается окончательный вариант топологии - оригинал, по которому изготавливают чертежи каждого слоя топологической структуры (формирование каждого слоя осуществляется из одного материала, за один технологический цикл). После этого уточняют конструкцию ГИС и формируются требования к технологии её изготовления и сборки в корпусе.

Завершающий этап проектирования разработка комплекта конструкторской документации, в который входят:

1. Принципиальная электрическая схема.

2. Перечень - элементов.

З. Сборочный чертеж ГИС в корпусе,

4. Топологический чертеж.

5. Топологические чертежи слоев.

6. Таблицы координат конфигурации элементов каждого слоя.

7. Технические условия.

В приложении I приведен пример расчета отдельных элементов тонкопленочной гибридной интегральной микросхемы и примеры выполнения чертежей конструкторской документации. Кроме того, в литературе рассмотрены правила и даны примеры оформления конструкторской документации на гибридные интегральные схемы, которые регламентируются соответствующими ГОСТами. Спецификация составляется в соответствии с ГОСТ 2.108-68. Сборочный чертеж ГИС оформляется по общим правила) установленным ГОСТ 2.109-73. Схема электрическая принципиальная выполняется в соответствии с ГОСТ 2.701-76, 2.702-75, 2.708-72, 2.721-74, 2.728-74, 2.730-73 и 2.743-72. Топологический чертеж платы выполняется в соответствии с ГОСТ 2.417-68. Чертежу присваивается наименование "Плата", в графе 3 основной надписи указывается материал подложки или обозначение чертежа заготовки подложки.