2.5. Выбор компонентов гис
В качестве компонентов в ГИС могут использоваться все виды бескорпусных активных и пассивных электро-радио-элементов, имеющих жесткие и гибкие выводы. Недостатком компонентов с гибкими выводами является трудность автоматизации процессов их монтажа и сборки в составе ГИС. Применение компонентов с жесткими шариковыми выводами затрудняет процесс контроля сборки.
Способ монтажа компонентов на плату ГИС должен обеспечить фиксацию положения компонентов и их выводов, сохранение и целостность параметров и свойств, а также эффективный отвод тепла, стойкость к вибрациям и ударам.
В качестве пассивных навесных компонентов в ГИС, как правило, используют миниатюрные чип-резисторы и чип-коденсаторы типоразмеров 0201, 0402, 0603 и др.
В табл. 6 приведены параметры чип-резисторов, а в табл. 7 – их чертеж и размеры.
В ГИС наибольшее применение находят керамические и танталовые конденсаторы. Их характеристики приведены в табл. 8 … 10.
Параметры миниатюрных навесных резисторов, используемых в ГИС Таблица 6
-
Пункт
0201
0402
0603
0805
1206
1210
1812
2010
2512
Номинальная мощность
1/20W
1/16W
1/16W
1/10W
1/8W
1/4W
1/2W
1/2W
1W
Макс. рабочее напряжение
25
50
50
150
200
200
200
200
200
Макс. перегрузка по напряжению
50
100
100
300
400
400
400
400
400
Температурный коэффициент сопротивления ТКС
10 Ом <R<1МОм: ± 200ррт/˚С
1 Ом <R<10Ом,1МОм<R<10МОм:
±400ррт/˚С
10 Ом <R<1МОм: ±100ррт/˚С
1 Ом <R<10Ом,1МОм<R<10МОм: ±250ррт/˚С
Диапазон сопротивлений
1Ом - 10МОм
Е24
1 Ом - 10МОм
Е12
Допуск
±1%, ±2%,
±5%, ±10%
±20%
1Ом - 10МОм: ±1%,
±2%, ±5%, ±10%, ±20%
1 Ом - 1МОм:
±0.5%
1 Ом - 1 0 МОм: ±1%, ±2%,±5%, ±10%, ±20%
1 Ом - 1МОм: ±0.5%
±1%, ±2%, ± 5%, ± 10%, ± 20%
Диапазон рабочих температур
-55˚С- +125˚С
Размеры чип-резисторов Таблица 7
-
Типоразмер EIA
L (mm)
W (mm)
H (mm)
D (mm)
T (mm)
Чертеж
0201
0.6±0.1
0.3±0.05
0.23±0.05
013±0.1
0.2±0.1
0402
1.0±0.1
0.5±0.05
0.35±0.05
0.25±0.1
0.2±0.1
0603
1.6±0.1
0.85±0.1
0.45±0.05
0.3±0.2
0.3±0.2
0805
2.1±0.1
1.3±0.1
0.5±0.05
0.4±0.2
0.4±0.2
1206
3.1±0.1
1.6±0.1
0.55±0.05
0.5±0.25
0.5±0.25
1210
3.1±0.1
2.6±0.1
0.55±0.05
0.4±0.2
0.5±0.25
1812
4.6±0.1
3.2±0.1
0.55±0.05
0.4±0.2
0.5±0.25
2010
5.0±0.1
2.5±0.1
0.55±0.05
0.4±0.2
0.6±0.25
2512
6.35±0.1
3.2±0.1
0.55±0.05
0.4±0.2
0.6±0.25
Параметры миниатюрных навесных конденсаторов, используемых в ГИС Таблица 8
Пункт |
0201 |
0402 |
0603 |
0805 |
1206 |
1210 |
1812 |
2010 |
2512 |
||
Макс. рабочее напряжение |
16 B |
50 В |
6,3 В |
16 В |
|||||||
Температурный коэффициент емкости ТКЕ
|
NP0 |
||||||||||
Емкость |
1 pF>C<100 pF Е24 10 pF>C<1000000 pF Е12 |
100 pF>C<100000 pF Е6 0.01 μF>C<10 μF Е3 |
|||||||||
Допуск |
±0.5%,±1%,±5%, ±10%,±25% |
±0.5%,±1%,±5%
|
±10%, ±25% |
±5%,± 10%, ± 25% |
|||||||
Диапазон рабочих температур |
-55˚С- +125˚С |
||||||||||
Размеры чип-конденсаторов керамических Таблица 9
-
Типоразмер EIA
L (mm)
W (mm)
H (mm)
Чертеж
0201
0.6±0.1
0.3±0.05
0.23±0.05
0402
1.0±0.1
0.5±0.05
0.35±0.05
0603
1.6±0.1
0.85±0.1
0.45±0.05
0805
2.1±0.1
1.3±0.1
0.5±0.05
1206
3.1±0.1
1.6±0.1
0.55±0.05
1210
3.1±0.1
2.6±0.1
0.55±0.05
1812
4.6±0.1
3.2±0.1
0.55±0.05
2010
5.0±0.1
2.5±0.1
0.55±0.05
2512
6.35±0.1
3.2±0.1
0.55±0.05
Размеры чип-конденсаторов танталовых Таблица 10
-
Типоразмер EIA
L (mm)
W (mm)
H (mm)
D (mm)
Чертеж
А
3.2±0.1
1.6±0.1
1.6±0.1
1.2±0.25
В
3.5±0.1
2.8±0.1
1.9±0.1
2.2.=±0.2
С
6.0±0.1
3.2±0.1
2.5±0.1
2.2±0.2
D
7.3±0.1
4.3±0.1
2.9±0.1
2.4±0.2
Е
7.3±0.1
4.3±0.1
4.1±0.1
2.4±0.2
В табл. 11 даны номиналы резисторов и конденсаторов, соответствующие рядам Е3, Е6, Е12 и Е24.
В табл. 12 приведены основные параметры бескорпусных диодов, а на рис. 5 показаны конструкции и даны габаритные размеры.
На рис. 6 показаны конструкции и даны габаритные размеры транзисторов, применяемых в ГИС. Их электрические характеристики приведены в таблице 13.
На рис. 7 представлены способы крепления компонентов ГИС и присоединениях выводов.
Номинальные ряды резисторов и конденсаторов Таблица 11.
Е3 |
Е6 |
Е12 |
E24 |
1,0 |
1,0 |
1,0 |
1,0 |
|
|
|
1,1 |
|
|
1,2 |
1,2 |
|
|
|
1,3 |
|
|
1,5 |
1,5 |
|
|
|
1,6 |
|
|
1,8 |
1,8 |
|
|
|
2,0 |
2,2 |
2,2 |
2,2 |
2,2 |
|
|
|
2,4 |
|
|
2,7 |
2,7 |
|
|
|
3,0 |
|
3,3 |
3,3 |
3,3 |
|
|
|
3,6 |
|
|
3,9 |
3,9 |
|
|
|
4,3 |
4,7 |
4,7 |
4,7 |
4,7 |
|
|
|
5,1 |
|
|
5,6 |
5,6 |
|
|
|
6,2 |
|
6,8 |
6,8 |
6,8 |
|
|
|
7,5 |
|
|
8,2 |
8,2 |
|
|
|
9,1 |
Основные параметры бескорпусных диодов
Таблица 12
Тип диода |
Uпр при Iпр =50мА (В) |
Iобр (мкА) |
Iобр max (мА) |
Iпр max (мА) |
Интервал рабочих температур (°С) |
Вариант установки на подложке |
Масса, г (не более) |
КД 102 А Б |
1,0 1,0 |
0,1 1,0 |
250 300 |
100 100 |
-50 ÷ 100 |
I |
0,1 |
КД 103 А Б |
1,0 1,2 |
1,0 1,0 |
75 50 |
100 100 |
-55 ÷ 100 |
I |
0,1 |
КД 104 А |
1,0 |
3,0 |
300 |
10 |
-60 ÷ 70 |
I |
0,1 |
2Д 115 А-1 |
1,0 |
1,0 |
30 |
30 |
-60 ÷ 100 |
I |
0,05 |
КД 116 А-1 Б-1 |
0,95 |
10 |
10 |
100 |
-60 ÷ 125 |
I |
0,05 |
а) |
б) |
в) |
г) |
д) |
е) |
ж) |
з) |
и) |
к) |
Рис. 6. Габаритные чертежи миниатюрных бескорпусных транзисторов типов: а) КТ211 б) КТ307 в) КТ3132 г) КТ324 д) КТ331, КТ396 е) КТ354 ж) КТ360 з) КТ364 и) КЕ369, КТ378 к) КТ370 |
|
л) |
м) |
н) |
о) |
п) |
р) |
Рис. 6. (Продолжение): л) КТ384, КТ385 м) КТ388 н) КТ397 о) КТ607 п) ГТ387 р) КП308
|
|
Электрические характеристики транзисторов Таблица 14.
Тип транзистора или матрицы |
Структура |
fТ, МГц |
Uкб max , В |
Iк max , mA |
Cк, пФ |
Рк max , мВт |
h 21е |
Интервал рабочих температур |
Масса, г. (не более) |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
КТ120А-В |
p-n-p |
1 |
30-60 |
10 |
50 |
10 |
20-200 |
-10 - +55 |
20 |
КТ202А-Г |
p-n-p |
5 |
15-30 |
10 |
25 |
15 |
15-160 |
-60 - +85 |
12 |
КТ301А-Г |
p-n-p |
250 |
10 |
20 |
6 |
15 |
20-80 |
-60 - +85 |
12 |
КТ317-В |
n-p-n |
100 |
5 |
15 |
11 |
15 |
25-250 |
-60 - +85 |
10 |
КТ318А-Е |
n-p-n |
350-430 |
10 |
20 |
3,5-4,5 |
15 |
30-280 |
-60 - +85 |
10 |
КТ319А-В |
n-p-n |
100 |
5 |
15 |
15 |
15 |
15-40 |
-60 - +80 |
- |
КТ324А-Е |
n-p-n |
600-800 |
10 |
20 |
2,5 |
15 |
20-250 |
-55 - +85 |
2 |
КТ331А-Г |
n-p-n |
250-400 |
15 |
20 |
5 |
15 |
20-220 |
-60 - +125 |
3 |
КТ332А-Д |
n-p-n |
250-500 |
15 |
20 |
5 |
15 |
20-220 |
-60 - +125 |
3 |
КТ333А-Е |
n-p-n |
350-450 |
10 |
20 |
3,5-4,5 |
15 |
30-280 |
-60 - +85 |
10 |
КТ336А-Е |
n-p-n |
250-450 |
10 |
20 |
5 |
50 |
20-120 |
- |
- |
КТ348А-Е |
n-p-n |
100 |
5 |
15 |
11 |
15 |
20-250 |
-40 - +85 |
10 |
КТ354А-В |
n-p-n |
900-1300 |
10 |
20 |
1,5 |
30 |
40-400 |
-60 - +85 |
1 |
КТ359А-В |
n-p-n |
300 |
15 |
20 |
5 |
15 |
30-280 |
-50 - +85 |
10 |
КТ360А-В |
p-n-p |
300-400 |
20-25 |
20 |
5 |
10 |
20-240 |
-40 - +55 |
5 |
КТ364А-В |
p-n-p |
250 |
25 |
220 |
15 |
30 |
20-240 |
-60 - +85 |
6 |
КТЗ69А-Г |
n-p-n |
200 |
45 |
250 |
15 |
50 |
20-200 |
-60 - +85 |
20 |
КТ370А,Б |
p-n-p |
800-1200 |
15 |
15 |
2 |
15 |
20-120 |
-40 - +55 |
- |
КТ377А-I-B-I |
n-p-n |
- |
30 |
300 |
- |
50 |
20-220 |
-60 - +125 |
- |
КТ385А |
n-p-n |
- |
60 |
300 |
- |
300 |
20-200 |
-45 - +85 |
- |
КТ625А |
n-p-n |
- |
60 |
1000 |
- |
1000 |
20-200 |
-45 - +85 |
15 |
КТ607А |
n-p-n |
700 |
40 |
150 |
4 |
1000 |
- |
-55 - +100 |
- |
ГТ612А |
n-p-n |
1500 |
12 |
120 |
3,5 |
360 |
5,0-6,3 |
-50 - +70 |
- |
ГТ353А-В |
n-p-n |
100 |
10 |
20 |
2,5 |
30 |
15-400 |
-60 - +70 |
- |
ГТ109А-И |
p-n-p |
1-5 |
10 |
20 |
30 |
30 |
20-250 |
-30 - +55 |
- |
ГТ310А-Е |
p-n-p |
80 |
12 |
10 |
4-5 |
20 |
20-180 |
-40 - +55 |
- |
Рис. 7. Способы крепления компонентов ГИС к плате и присоединение их выводов.
а, б – микросварка;
в, г – пайка;
д – комбинированный способ;
е – крепление компонента
(1 - подложка, 2 - контактная площадка,
3 – гибкий вывод, 4 – компонент ГИС).