3. Заключение

Полученные результаты близки к ожидаемым. Характеристики близки к модельным , т. е. отражают реально происходящие процессы. По своей форме характеристики диода имеют экспоненциальный характер.

Из расчётов видно что с уменьшением напряжения на диоде его сопротивление растёт. Ёмкость же диода с уменьшением напряжения уменьшается.

Таким образом, из приведенных результатов экспериментального исследования ВАХ модели диода следует, что данная модель диода КД2997А достаточно хорошо отражает его основные статические параметры. Результаты моделированию близки к паспортным данным диода.

На экспериментально полученной ВАХ стабилитрона мы видим что напряжение стабилизации слабо изменяется начиная с некоторого начального значения при достаточно большом изменении тока.

В режиме малого сигнала для удобства вычисления можно нелинейную характеристику диода заменить касательной в рабочей точке(т.е прямой) используя дифференциальное сопротивление в рабочей точке(или дифференциальную проводимость).

Любой диод имеет барьерную ёмкость неравную нулю. У этой ёмкости есть и плохая и хорошая сторона: плохая – она ограничивает частотный диапазон работы диода; хорошая – её очень удобно использовать для настройки колебательных контуров(диод ёмкость которого можно менять в больших пределах называют варикапом).

Список используемой литературы

1. Пасынков В.В. , Чиркин Л.К. “Полупроводниковые приборы ” , Спб “Лань” , 2003.

2. Макаров Е.Г. “ Инженерные расчеты в Math Cad.Учебный курс “ ,

Спб Питер, 2005.

3. Уильих Титце , Кристоф Шенк, “Полупроводниковая схемотехника” , ДМК Пресс, 2008