Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
dz1.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
568.36 Кб
Скачать

Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени

Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана

Кафедра «Радиоэлектронные системы и Устройства»

Дисциплина

Электроника”

Отчет о лабораторном практикуме исследование полупроводникового диода и определение параметров модели диода

Выполнила ________________ Бордукова. К.С. (группа РЛ1-31)

Проверил _________________Загидулин Р.Ш.

Москва 2011 г.

Содержание

Содержание……………………………………………………………………2

Введение……………………………………………………………………

Обозначения и сокращения…………………………………..3

Справочные характеристики изучаемых приборов……………………….4

Введение………………………………………………………………………..6

  1. Определение параметров модели………………………………………...7

    1. Моделирование лабораторных исследований…………………….7

    2. Экспериментальное исследование………………………………….16

  2. Учебная научно исследовательская работа……………………………23

  3. Заключение………………………………………………………………...26

  4. Список используемой литературы………………………………………27

Обозначения и сокращения

MC – MathCAD 15;

MC9 – MicroCAP 9;

ВАХ – вольт-амперная характеристика;

ВФХ – вольт - фарадная характеристика;

BV – напряжение пробоя;

Cb – барьерная ёмкость диода;

CJ0 - барьерная ёмкость диода при напряжении равном нулю;

Cd - ёмкость диода при данном напряжении смещении;

Ck – ёмкость колебательного контура;

EG - ширина запрещенной зоны полупроводника;

IBV – ток пробоя;

f0 – резонансная частота;

Fc – коэффициент Cb прямо смещ. перехода;

Id – ток диода;

Is – тепловой ток(обратный ток насыщения);

Lk – индуктивность колебательного контура;

M – коэффициент аппроксимации(ёмкостный коэффициент);

N – поправочный коэффициент(коэффициент эмиссии);

RMV – сопротивление вольтметра;

RMA – сопротивление амперметра;

Rs – сопротивление базы;

TT - постоянная времени;

Ud - напряжение на диоде;

Ut – температурное напряжение;

Справочные характеристики изучаемых приборов

КД102б :

Тип диода

выпрямительный

Максимальное постоянное обратное напряжение,В

300

Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А

0.1

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А

0.1

Способ монтажа

в отверстие

Максимальное время восстановления ,мкс

-

Максимальное импульсное обратное напряжение ,В

300

Максимально допустимый прямой импульсный ток,А

2

Максимальный обратный ток,мкА

1

Максимальное прямое напряжение,В

1

при Iпр.,А

0.05

Рабочая частота,кГц

4

Общая емкость,Сд.пФ

-

Рабочая температура,С

-60...100

Корпус

kd30

Производитель

Россия

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]