
- •Отчет о лабораторном практикуме исследование полупроводникового диода и определение параметров модели диода
- •Содержание
- •Обозначения и сокращения
- •Справочные характеристики изучаемых приборов
- •Введение
- •Определение параметров модели
- •Моделирование лабораторных исследований
- •1.1.1 Расчет параметров модели диода
- •1.2 Расчет динамических параметров модели полупроводникового диода.
- •Экспериментальное исследование
- •Учебная научно исследовательская работа
- •Заключение
- •Список используемой литературы
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени
Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана
Кафедра «Радиоэлектронные системы и Устройства»
Дисциплина
“Электроника”
Отчет о лабораторном практикуме исследование полупроводникового диода и определение параметров модели диода
Выполнила ________________ Бордукова. К.С. (группа РЛ1-31)
Проверил _________________Загидулин Р.Ш.
Москва 2011 г.
Содержание
Содержание……………………………………………………………………2
Введение……………………………………………………………………
Обозначения и сокращения…………………………………..3
Справочные характеристики изучаемых приборов……………………….4
Введение………………………………………………………………………..6
Определение параметров модели………………………………………...7
Моделирование лабораторных исследований…………………….7
Экспериментальное исследование………………………………….16
Учебная научно исследовательская работа……………………………23
Заключение………………………………………………………………...26
Список используемой литературы………………………………………27
Обозначения и сокращения
MC – MathCAD 15;
MC9 – MicroCAP 9;
ВАХ – вольт-амперная характеристика;
ВФХ – вольт - фарадная характеристика;
BV – напряжение пробоя;
Cb – барьерная ёмкость диода;
CJ0 - барьерная ёмкость диода при напряжении равном нулю;
Cd - ёмкость диода при данном напряжении смещении;
Ck – ёмкость колебательного контура;
EG - ширина запрещенной зоны полупроводника;
IBV – ток пробоя;
f0 – резонансная частота;
Fc – коэффициент Cb прямо смещ. перехода;
Id – ток диода;
Is – тепловой ток(обратный ток насыщения);
Lk – индуктивность колебательного контура;
M – коэффициент аппроксимации(ёмкостный коэффициент);
N – поправочный коэффициент(коэффициент эмиссии);
RMV – сопротивление вольтметра;
RMA – сопротивление амперметра;
Rs – сопротивление базы;
TT - постоянная времени;
Ud - напряжение на диоде;
Ut – температурное напряжение;
Справочные характеристики изучаемых приборов
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
КД102б : |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|