7. Полупроводниковые приборы Система обозначений полупроводниковых приборов

Разбраковка по параметрам

Русские буквы за

кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э

Материал:

Г или 1 — германий;

К или 2 — кремний;

А или 3 — соединения

галлия

(например,

арсенид

галлия);

И или 4 — соединения

индия

(например,

фосфид

индия).

Рис. 7.1. Система обозначений полупроводниковых приборов

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого изготовлен прибор.

Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) приборов.

Третий элемент в обозначении транзистора - цифра, определяющая его функциональные возможности.

Для обозначения функциональных возможностей транзисторов используются следующие цифры:

Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;

2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Третий элемент в обозначении полупроводниковых диодов может принимать следующие значения:

1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;

4 — для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;

5 — для импульсных диодов с временем восстановления более 150 нс, но не свыше 500 нс;

6 — для импульсных диодов с временем восстановления 30 … 150 нс;

7 — для импульсных диодов с временем восстановления 5 … 30 нс;

8 — для импульсных диодов с временем восстановления 1 … 5 нс;

9 — для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Маркировка отечественных транзисторов

При маркировке транзисторов малой мощности, изготавливаемых в ме­таллическом корпусе, а также при маркировке транзисторов средней и боль­шой мощности в металлических, пластмассовых и керамических корпусах ис­пользуется полное буквенно-цифровое обозначение, которое наносится на поверхность корпусов транзисторов.

Если корпус маломощного транзистора изготовлен из пластмассы, то транзисторы маркируются либо полным обозначением, либо с помощью специ­ального цветового или символьного кода. При этом цветовой код, с помощью которого марки­руется определенный тип транзистора устанавливается заводом-изготовителем или разработчиком транзистора, а его расшифровка приводит­ся в технических условиях, справочниках, на бирках и упаковочных листах.

Одновременно с идентификацией типа транзистора все­гда возникает необходимость определить назначение его выводов (цоколевку). Цоколевку транзисторов указывают в технической документации на транзистор, а также в справочниках

Для определения цоколевки надо корпус транзистора расположить в соответствии с чертежом в технической документации, найти на корпусе ключ – конструктивный элемент корпуса, определяющий расположение первого вывода. Ключ может быть выполнен в виде выступа или углубления, а также в виде среза на корпусе. После определения первого вывода нужно определить его функциональное назначение. Далее относительно первого вывода определяется назначение остальных выводов полупроводникового прибора.