5. Туннельный эффект.

88. Назвать физическим процесс, которым определяется участок де (рис. 3.2):

1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

89. Назвать физическим процесс, которым определяется участок кл (рис. 3.2):

1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

90. Назвать физическим процесс, которым определяется участок мн (рис. 3.2):

1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

6. Туннельный пробой.

91. Назвать выводы полупроводникового диода:

1. коллектор, база. 2. База, эмиттер.

3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.

92. Быстродействие переключения импульсных диодов на р-п переходе определяет:

1. накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости.

3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.

93. Быстродействие переключения диодов Шотки определяется:

1. накопление и рассасывание неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости.

3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.

94. Показать выражение для ВАХ диода:

1. I=I₀(e^U/φт - 1);

2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

95. Показать выражение для прямой ветви ВАХ диода:

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}.

5. С=I_прτ/φ_{т. 6.} I=I₀e^U/φт .

96. Показать выражение для обратной ветви ВАХ диода:

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

97. Показать выражение для барьерной емкости р-n перехода:

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}.

5. С=I_прτ/φ_т.

98. Показать выражение для диффузионной емкости р-n перехода:

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}.

5. С=I_прτ/φ_т.

64. Показать ВАХ диода с учетом обьмного сопротивления области базы:

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт;

3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

Раздел 3. Биполярные транзисторы

1. Площади эмиттерного (S_эп) и коллекторного (S_кп) переходов в биполярном транзисторе связаны соотношением:

1. Sэп = Sкп. 2. Sэп .>Sкп. 3. Sэп < Sкп.

2. В транзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, Iб=100мкА. Найти Iк, α, β:

1. Iк=9,9мА, α=0,99, β=99. 2.Iк=9,9мА, α=0,9, β=100.

3. Iк=110мкА, α=0,999, β=999. 4. Iк=10,1мА, α=0,99, β=99. 5.Iк=90мА, α=0,9, β=9.

3. В транзисторе ток коллектора Iк=9.9mА, Iб=100мкА. Найти Iэ, α, β:

1. Iэ=10мА, α=0,99, β=99. 2.Iэ=9,8мА, α=0,9, β=100. 3. Iэ=110мкА, α=0,999, β=999. 4. Iэ=90мкА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.

4. В транзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, α=0.99,. Найти Iк, Iб, β:

1. Iк=10,1мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=9,9мА, Iб=100мкА , β=99.

3. Iк=110мкА, Iб =100мкА , β=999. 4. Iк=90мкА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.

5. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, Iб=1мА. Найти Iк, α, β:

1. Iк=99мА, α=0,99, β=99.

2. Iк=99мА, α=0,9, β=100. 3. Iк=110мА, α=0,999, β=999.

4. Iк=101мА, α=0,99, β=99 5.Iк=90мА, α=0,9, β=9.

6. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, Iб=1мА. Найти Iэ, α, β:

1. Iэ=100мА, α=0,99, β=99.

2. Iэ=98мА, α=0,9, β=100. 3. Iэ=110мА, α=0,999, β=999.

4. Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.

7. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, α=0.99,. Найти Iк, Iб, β:

1. Iк=101мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА , β=99.

3. Iк=110мА, Iб =1мА , β=999. 4. Iк=90мА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.

8. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, α =0.99. Найти Iэ, Iб, β:

1. Iэ=100мА, β=99. , Iб =1мА.

2.Iэ=98мА, β=100. , Iб =1мА. 3.Iэ=110мА, Iб =1мА β=999.

4.Iэ=90мА, , Iб =1,11мА , β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.

9. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, β=99. Найти Iэ, α,. Iб:

1. Iэ=100мА, α=0,99, Iб =1мА. 2.Iэ=98мА, α=0,9, Iб =1мА 3.Iэ=110мА, Iб =1мА α=0,999, 4.Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, Iб =1мА .

10. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, β=99,. Найти Iк, Iб, α:

1. Iк=100мА, Iб =1мА, α=0,99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА , α=0,99.

3. Iк=110мА, Iб =1мА , α=0,999. 4. Iк=90мА, Iб =1мА, α=0,1 5. Iк=90мА, Iб =1.1мА, α=0,9.

11. При работе транзистора в активном режиме р-n переходы смещены так:

1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.

3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении.

4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении

12. При работе транзистора в режиме отсечки р-n переходы смещены так:

1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.

3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении.

4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.

13. При работе транзистора в режиме насыщения р-n переходы смещены так:

1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.

3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.

14. При работе транзистора в инверсном режиме р-n переходы смещены так:

1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.

3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.

15. Вид входной ВАХ биполярного транзистора связан с движением:

1. основных носителей заряда.

2.неосновных носителей заряда. 3.электронов. 4. дырок.

16. Вид входной ВАХ биполярного транзистора в основном связан со свойствами р-п-перехода:

1. ЭП.

2. КП. 3. ЭК.

17. Вид выходной ВАХ биполярного транзистора в основном связан со свойствами р-п-перехода:

1. ЭП. 2. КП.

3. ЭК.

18. Вид выходной ВАХ биполярного транзистора определяет движением:

1.основных носителей заряда. 2.неосновных носителей заряда. 3.электронов. 4. дырок.

19. Биполярный транзистор- это прибор управляемый:

1.током.

2.напряжением. 3. электрически полем. 4.сопротивлением.

20. Наибольшим коэффициентом усиления по току обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:

1. с ОБ, 2.с ОЭ, 3.с ОК.

4.с ОЭ и ОК одинаково

21. Наибольшим коэффициентом усиления по мощности обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:

1. с ОБ, 2.с ОЭ,

3.с ОК 4.с ОЭ и ОК одинаково

22. Наименьшим коэффициентом усиления по току обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:

1. с ОБ,

2.с ОЭ, 3.с ОК 4.с ОЭ и ОК одинаково.

23. Показать условное обозначение n – р - n транзистора (рис. 3.1):.

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

24. Показать условное обозначение р - n - р транзистора (рис. 3.1):.

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

25. Показать (рис. 3.1).условное обозначение статически индукционного транзистора (СИТ):

1 . 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

26. П оказать (рис. 3.1).условное обозначение биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ):

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

27. Основная причина зависимости параметров биполярного транзистора от температуры связана с:

1.Изменением собственной концентрации носителей заряда полупроводника.

2.Изменением концентрации носителей зарядов, обусловленных введением примесей.

3. Изменением коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

4. Изменением напряжения питания биполярного транзистора.

5. 1 и 3.

28. Показать (рис.3.2 ) графики входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:

1. 2. 3. 4.

29. Показать (рис.3.2. ) графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:

1 . 2. 3. 4.

30. Показать (рис.3.2. ) графики входных входные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ:

1. 2. 3. 4.

31. Показать (рис.3.2. ) графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ:

1. 2. 3. 4.

32. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-п-р-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов:

1. 2. 3. 4.

33. . Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов:

1. 2. 3. 4.

34. . Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-n-р-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов:

1. 2. 3. 4.

35. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов:

1. 2. 3. 4.

36. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов:

1. 2. 3. 4.

37. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р n-р-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов:

1. 2. 3. 4.

38. Входные сопротивления биполярного и полевого транзисторов находятся в соотношении:

1. R_ВХ.БТ =R_ВХ.ПТ. 2. . R_ВХ.БТ >R_ВХ.ПТ. 3. . R_ВХ.БТ <<R_ВХ.ПТ.

4. . R_ВХ.БТ >>R_ВХ.ПТ. . R_ВХ.БТ =R_ВХ.ПТ.

39. Выводы биполярного транзистора называют:

1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер.

4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.

40. Входная ВАХ биполярного транзистора с ОБ при обратном смещении КП смещается влево, вследствие:

1. сужения базы. 2. Расширения базы.

3. Учета падения напряжения на переходе БЭ от тока коллектора.

41. Входная ВАХ биполярного транзистора с ОЭ при обратном смещении КП смещается вправо, вследствие:

1. сужения базы. 2. Расширения базы.

3. Учета падения напряжения на переходе БЭ от тока коллектора.

42. Пробоем транзистора называют:

1. резкое возрастание коллекторного тока.

2. Сужение базы. 3. Расширение коллекторного перехода.

43. Усилительные параметры α и β при увеличении напряжения на коллекторном переходе:

1. возрастают. 2. Убывают. 3. Имеют максимум при определенном значении напряжения.

44. Усилительные параметры α и β при увеличении величины коллекторного тока:

1. возрастают. 2. Убывают. 3. Имеют максимум при определенном значении тока.

45. Инерционные свойства биполярного транзистора связаны с:

1. Перезарядом емкости ЭП и КП. 2. Конечным временем пролета области базы.

3. 1 и 2.

4. Конечным временем пролета коллекторного перехода.

46. Выходной ток при работе биполярного транзистора в активном режиме равен:

1. Iк=КIвх +Iко.

2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.

47. Выходной ток при работе биполярного транзистора в режиме отсечки равен:

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко.

3. Iк=Iнас. 4. Iэ=КIвх +Iко.

48. Выходной ток при работе биполярного транзистора в режиме насыщения равен:

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.

4. Iэ=КIвх +Iко.

49. Выходной ток при работе биполярного транзистора в инверсном режиме равен:

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.

50. Эффект связанный с модуляцией ширины базы называют:

1. эффект Эрли.

2. Инжекция . 3. Экстракция. 4. Рекомбинация.

50. Эффект в результате которого, основные носители проходя через р-n-переход становятся неосновными называется:

1.Эрли. 2. Инжекция.

3. Экстракция. 4. Рекомбинация.

51. Эффект в результате которого, неосновные носители проходя через р-n- переход становятся основными называется:

1. Эрли. 2. Инжекция . 3. Экстракция.

4. Рекомбинация.

52. Носители заряда, определяющие тепловой ток коллекторного перехода возникают за счет:

1. эффекта Эрли. 2. Инжекции . 3. Экстракции. 4. Рекомбинации. 5. Термогенерации.

53. Инжекция связана с движением носителей заряда:

1. основных. 2. Неосновных. 3. Электронов. 4. дырок.

54. Экстракция связана с движением носителей заряда:

1. основных. 2. Неосновных. 3. Электронов. 4. дырок.

55. Формальную схему замещения транзистора составляют:

1. по физической модели транзистора. 2. По основным уравнениям четырехполюсника.

3. По математической модели транзистора.

56. Физическую схему замещения транзистора составляют:

1. по физической модели транзистора.

2. По основным уравнениям четырехполюсника. 3. По математической модели.

57. П оказать на выходных биполярного транзистора ВАХ (рис.3.10 ) область насыщения.

1. 2. 3.

58. Показать на выходных ВАХ биполярного транзистора (рис.3.10 ) активную (линейную) область.

1. 2. 3.

59. Показать на выходных биполярного транзистора ВАХ (рис.3.10 ) область пробоя.

1. 2. 3.

60. Показать малосигнальную физическую схему замещения биполярного транзистора с ОБ:

1. 2. 3. 4.

61. Показать малосигнальную физическую схему замещения биполярного транзистора с ОЭ:

1. 2. 3. 4..

62. Показать малосигнальную формальную схему замещения биполярного транзистора с ОБ:

1. 2.. 3.. 4..

63. Показать малосигнальную формальную схему замещения биполярного транзистора с ОЭ:

1. 2.. 3.. 4.

64. Показать схему замещения биполярного транзистора Эберса-Молла:

1 . 2. 3. 4.