Министерство образования российской Федерации

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА

Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Д.В. ПОГОДИН

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И электроника

Учебное пособие для самоподготовке к экзамену

(тестированию) по дисциплине Э и Э, часть 2 - ЭЛЕКТРОНИКА

Для студентов заочного и дневного отделения

Казань 2007

Раздел 1.

Электрофизические свойства полупроводников. P-n переход.

1. Собственный (чистый) полупроводник имеет электропроводность:

1. Смешанную. 2. n-типа. 3. p-типа. 4. i-типа.

2. При изготовлении полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов) применяются полупроводниковые материалы:

1. Примесные. 2. Чистые. 3. только n-типа. 4. только p-типа. 5. только i-типа.

3. Полупроводник n-типа имеет электропроводность:

1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную

4. Полупроводник р-типа имеет электропроводность:

1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную.

5. Донорной называется примесь, которая создает:

1. Электроны. 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Вакансии.

6. Акцепторной называется примесь, которая создает:

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.

7. Примесь, создающая электроны называется

1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.

8. Примесь, создающая дырки называется

1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.

9. Процесс образования свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:

1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.

10. Процесс исчезновения свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:

1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.

11. В примесном полупроводнике основными свободными носители заряда называют:

1. Электроны.

2. Дырки.

3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой.

4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.

12. В примесном полупроводнике неосновными свободными носителями заряда называют:

1. Электроны.

2. Дырки.

3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой.

4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.

13. В полупроводнике р-типа основными свободными носителями заряда являются:

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации. 5. Ионы примесей.

14. В полупроводнике n-типа основными свободными носителями заряда являются:

1. Электроны. 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.5. Ионы примесей.

15. В полупроводнике n-типа, каждый атом примеси создает:

1. Электроны . 2. Дырки.

3. Электроны и ионы донорной примеси.

4. Электрон и ион акцепторной примеси.

16. В полупроводнике р-типа, каждый атом примеси создает:

1. Электроны . 2. Дырки.

3. Электроны и ионы донорной примеси.

4. Дырку и ион акцепторной примеси.

17. Дырки являются основными носителями заряда в полупроводнике:

1. n-типа.

2. р-типа.

3. i-типа.

18. Электроны являются основными носителями заряда в полупроводнике:

1. n-типа.

2.р-типа.

3. i-типа.

19. Движение зарядов под действием сил электрического поля называется:

1. Дрейфом.

2. Диффузией.

3. Инжекцией.

4. Экстракцией.

20. В полупроводниках возможно два механизма движения зарядов:

1. Дрейф и диффузия.

2. Диффузия и инжекция.

3. Диффузия и эксракция.

4. Экстракция и инжекция.

21. Электрический ток под действием градиента концентрации называется:

1. Диффузионным.

2. Дрейфовым.

3. Инжекционным.

4. Экстракционным.

22. Электрический ток под действием сил электрического поля называется:

1. Диффузионным.

2. Дрейфовым.

3. Инжекционным.

4. Экстракционным.

23. Движение зарядов под действием градиента концентрации называется:0000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

1. Дрейфом. 2. Диффузией. 3. Инжекцией. 4. Эксракцией.

24. Диффузионную емкость в p-n переходе создают:

1. заряды ионов примеси. 2. Электроны.

3. Неосновных носители зарядов, накопленные при протекании прямого тока.

4. Дырки.

25. Барьерную емкость в p-n- переходе создают:

1. Заряды ионов примеси.

2. Электроны.

3. неосновных носители зарядов, накопленные при протекании прямого тока.

4. Дырки.

26. Величина диффузионной емкости зависит от:

1. величины прямого тока. 2. Величины обратного напряжения. 3. величины прямого напряжения.

4. величины обратного тока.

27. Величина барьерной емкости зависит от:

1. величины прямого тока. 2. Величины обратного напряжения.

3. От величины прямого напряжения. 4. От величины обратного тока.

28. В изолированном (равновесном) р-n- переходе выполняется соотношение:

1. Iдиф  Iдр 2. Iдиф  Iдр 3. Iдиф = Iдр. 4. Iдиф = 0. 5. Iдр =0.

29. При прямом смещении р-n- перехода выполняется соотношение:

1. Iдиф  Iдр 2. Iдиф  Iдр . 3. Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0. 5. Iдр =0.

30. При обратном смещении р-n- перехода выполняется соотношение:

1. Iдиф  Iдр 2. . Iдиф  Iдр 3. . Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0. 5. Iдр = 0.

31. При прямом смещение р-n- перехода ток создают:

1. основные носители заряда.

2. неосновные носители заряда. 3. дырки. 4. электроны.

32. При обратном смещение р-n перехода ток создают:

1. основные носители заряда 2. неосновных носители заряда.

3. дырки 4. электроны.

33. Прямые токи р-n перехода могут достигать больших величин:

1. Из за высокой концентрации основных носителей заряда.

2. Из за большой площади р-n перехода.

3. Из за низкой концентрации основных носителей заряда.

4. Из за низкой концентрации неосновных носителей заряда.

5. 1 и 2.

34. Обратные токи р-n перехода имеют малую величину:

1. Из за высокой концентрации основных носителей заряда.

2. Из за большой площади р-n перехода.

3. Из за низкой концентрации основных носителей заряда.

4. Из за низкой концентрации неосновных носителей заряда.

35. Для барьерной и диффузионной емкостью р-n перехода справедливо соотношение:

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

36. Между барьерной и диффузионной емкостью, при прямом смещение р-n перехода, справедливо соотношение:

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

37. Между барьерной и диффузионной емкостью при обратном смещение р-n перехода справедливо соотношение:

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

38. Пробоем р-n перехода называют:

1. Резкое возрастание обратного тока, при больших обратных напряжениях.

2. Резкое возрастание прямого тока, при больших прямых напряжениях.

3. Практически постоянная величина обратного тока, при малых обратных напряжениях.

4. Малая величина прямого тока, при небольших прямых напряжениях.

39. В полупроводниковых приборах используют следующие виды пробоя:

1. Электрический для стабилизации напряжения.

2. Туннельный для стабилизации напряжения.

3. Туннельный, для выпрямления переменного тока.

4. Тепловой для выпрямления.

5. Электрический для стабилизации напряжения, туннельный, для выпрямления переменного тока.