2. Подготовительное задание

1. Изучить и законспектировать теоретическую часть работы по изучаемой теме с учетом контрольных вопросов. При конспектировании особое внимание уделить вопросам, дополняющим лекционный материал по изучаемой теме. В отчете по лабораторной работе отразить основные результаты изучения теоретического материала по теме “транзисторы”.

2. Нарисовать в отчете две схемы (рис. 11), используемые в задании 2 лабораторной работы для съема ВАХ транзисторов структуры n-р-n и р‑n‑р, соответственно, и указать параметры всех элементов. На схеме в соответствии с вариантом задания (табл. 1) представить транзисторы заданных структур и указать полярность включения источников ЭДС для заданного транзистора. Изучить методику съема ВАХ транзисторов, рассмотренную в лабораторном задании 2 и начертить в отчете две формы табл. 3.

3. Нарисовать в отчете схему включения (рис. 6) биполярного транзистора и эквивалентную схему биполярного транзистора (рис. 9) (считать, что транзистор имеет структуру n-р-n). Заменить в схеме (рис. 6) транзистор его эквивалентной схемой (в которой принять I_к0 = 0; R’_к = ; С_к = 0) и перерисовать полученную электрическую цепь, на которой указать значения параметров всех элементов в соответствии с вариантом задания.

Таблица 1

№ варианта	Еб, В	Ек, В	Rб, кОм	Rк, Ом	R’б, R’э, Ом	ст
1	1,4	5,6	6,8	220	150	30
2	1,4	4,2	5,6	270	100	20
3	2,8	4,2	12	350	91	40
4	1,4	5,6	7,5	200	110	30
5	1,4	5,6	5,6	300	100	20
6	1,4	4,2	8,2	380	120	40
7	1,4	5,6	4,7	150	130	30
8	2,8	4,2	5,1	240	150	20
9	1,4	4,2	10	300	100	40
10	1,4	5,6	9,1	300	82	30
11	1,4	5,6	4,7	240	150	20
12	2,8	4,2	16	430	100	40
13	1,4	4,2	7,5	240	91	30
14	1,4	5,6	4,3	240	160	20
15	1,4	5,6	10	300	100	40

Примечание: транзисторы типов КТ203А, КТ602Б, КТ503Г, КТ315Б, КТ805Б, КТ807Б, КТ808А, КТ817Б имеют структуру n-р-n; типов КТ342А, КТ502Б, КТ816Б, ГТ806Б, КТ837И – структуру р-n-р.

Используя методы расчета сложных электрических цепей постоянного тока, рассмотренные в первой части изучаемого курса, провести расчет составленной электрической цепи. При расчете цепи определить значения токов i_б.рт, i_к.рт и падений напряжений u_бэ.рт, u_кэ.рт, u_Rк. Полученные значения занести в табл. 4.

4. Нарисовать в отчете схему исследования электронного ключа (рис. 12) с указанием параметров элементов. Провести расчет электронного ключа на биполярном транзисторе в соответствии с лабораторным заданием 4. При расчете для заданного вариантом задания транзистора по значениям Е_к, R₂ (табл. 2), и _ст (определенного в теоретической части работы) на основании выражений (1)  (3) определить значения токов транзистора для режима насыщения i_кн, i_бн и сопротивление резистора R₁.

2