2.13. В отличие от биполярных транзисторов, в которых управление
проводимостью осуществляется током базы и в которых используют-
ся оба носителя зарядов (дырки и электроны), в полевых (униполяр-
ных) транзисторах управление проводимостью осуществляется элек-
трическим полем, которое создается входным напряжением,
приложенным к управляющему электроду, называемому затвором.
Сопротивление затвора велико и поэтому ток затвора бесконечно мал.
Следовательно, для управления транзистором не требуется затраты
мощности управляющего сигнала. В полевых транзисторах исполь-
зуются носители зарядов только одного знака – либо дырки, либо
электроны (униполярные транзисторы).
В зависимости от того, каким образом затвор электрически от-
деляется от канала транзистора, полевые транзисторы подразделяют-
ся на транзисторы с затвором типа р–n-переход или с изолированным
затвором.
2.14. Основные параметры полевых транзисторов:
s= – крутизна переходной характеристики;
Uзиотс – напряжение отсечки;
Uсиmax , Uзиmax , Icmax , Pcmax – максимально допустимые пара-
метры.
2.15. усиление или переключение электрич. Сигналов
2.16. Полупроводниковые терморезисторы – это резисторы с нели-
нейной ВАХ, основное свойство которых заключается в способности
значительно изменять свое электрическое сопротивление при измене-
нии их температуры.
Различают терморезисторы прямого и косвенного подогрева.
У терморезисторов прямого подогрева сопротивление изменяется от
собственного подогрева проходящим через него током и от темпера-
туры окружающей среды. У терморезисторов косвенного подогрева
сопротивление изменяется от собственного подогрева проходящим
током через его термочувствительный элемент, от температуры окру-
жающей среды и от прохождения тока через специальный подогрева-
тель, расположенный вблизи термочувствительного элемента.
Сопротивление термочувствительного элемента при нагревании
может либо уменьшаться (терморезисторы с отрицательным ТКС),
либо увеличиваться (терморезисторы с положительным ТКС). В пер-
вом случае терморезисторы называются термисторами, во втором –
позисторами. На рис. 2.18 показаны условные обозначения терморе-
зисторов.
Основной характеристикой терморезисторов является темпера-
турная характеристика Rt = f (T ). На рис. 2.19 приведены темпера-
турные характеристики терморезисторов и подогревная ( ) Rt = f Iп ,
где Iп – ток через подогреватель.
2.17. Светоизлучающие диоды – это полупроводниковые приборы,
излучающие свет при пропускании через них тока в прямом направ-
лении (рис. 2.20, а).
Фотоэлектронные приборы – это фотодиоды, фототранзисторы,
фототиристоры, у которых под воздействием светового потока изменяет-
ся электрический ток или электрический потенциал (рис. 2.20, б–г).
На основе свето- и фотоприборов разработаны и выпускаются
промышленностью оптопары. Оптопары состоят из светоизлучателя
(светодиод) и фотоприемника (фотодиод, фототранзистор, фототири-
стор). Между ними установлен оптический канал, направляющий све-
товой поток от излучателя к приемнику. Все это размещено в едином
корпусе. В оптопарах полностью отсутствует электрическая и магнит-
ная связь между излучателем и приемником. Это, например, дает воз-
можность получать информацию через оптопару из силовых электриче-
ских цепей, несогласуемых с цепями управления. На рис. 2.21 показано
условное обозначение диодного оптрона (диодной оптопары).
