2. Содержание программы

Учебная дисциплина "ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА"

Раздел 1. Пассивные элементы

1.1. Резисторы, конденсаторы

Конденсаторы постоянной и переменной емкости Общая характеристика конденсатора. Основные параметры конденсаторов: номинальная величина емкости, класс точности, рабочее напряжение. Конденсаторы постоянной емкости: бумажные, металлобумажные, пленочные, слюдяные, керамические, электролитные. Их маркировка, основные характеристики, изготовление, назначение. Конденсаторы переменной емкости: подстроечные, секционные, прямоемкостные, прямочастотные, логарифмической и показательной зависимости.

1.2. Катушки индуктивности, трансформаторы, реле

Назначение и основные характеристики. Требования, предъявляемые к материалам для изготовления катушек индуктивности. Технология изготовления катушек без сердечника и с магнитными сердечниками (низко и высокочастотных). Материалы для изготовления сердечников и обмоток трансформаторов. Материалы для изготовления реле. Понятие о герконах.

1.3. Коммутационные устройства

Назначение, классификация и основные показатели коммутационных устройств. Требования, предъявляемые к устройствам коммутации. Характеристика отдельных видов переключателей.

Раздел 2. Физические основы полупроводников

2.1. Электрофизические свойства полупроводников.

Структура электронных оболочек атома. Энергетическая структура атома. Энергетическая диаграмма твердых тел. Типы электропроводности полупроводников. Структура собственных полупроводников. Виды носителей зарядов в полупроводниках. Структура и энергетическая диаграмма примесных полупроводников. Основные и неосновные носители заряда Генерация электронно-дырочных пар. Рекомбинация носителей заряда. Генерация и рекомбинация носителей через ловушки. Устройства p-n перехода. Прямое и обратное включение p-n перехода. Его свойства.

Раздел 3. Полупроводниковые приборы

3.1. Полупроводниковые резисторы

Классификация полупроводниковых приборов. Основные виды приборов. Их назначения и области применения. Классификация полупроводниковых резисторов. Устройство, назначение, параметры и характеристики варисторов, терморезисторов и фоторезисторов.

3.2. Полупроводниковые диоды

Структура полупроводниковых диодов. Классификация и система обозначений диодов. Характеристики (вольт-амперная и вольт-омная) диодов. Температурная зависимость проводимости диода. Параметры диодов в номинальном и предельном режимах. Частотная зависимость параметров. Выпрямительные диоды, столбы и блоки. Назначение, устройство, параметры выпрямительных диодов. Выпрямительные диоды Шоттки. Маркировка, графическое изображение в схемах. Стабилитроны и стабисторы. Понятие о стабилизации напряжения. Вольтамперная характеристика. Простейшая схема стабилизации напряжения и ее анализ. Графическое изображение в схемах, области применения.

3.3. Транзисторы

Общие сведения о биполярных транзисторах. Классификация и система условных обозначений транзисторов. Схемы включения и принцип работы транзистора. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора для схемы включения с ОЭ и ОБ. Физические параметры транзисторов (дифференциальные сопротивления и емкости эмиттерного и коллекторного переходов, объемное сопротивление и модуляция ширины базы).

Внешние малосигнальные параметры транзисторов. Транзистор как четырехполюсник. Системы h и Y -параметров. Определение параметров по статическим характеристикам.

Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом. Структура. Принцип действия. Статические характеристики. Параметры. Промышленные образцы. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП- и МОП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом).