П ример 2 (для вариантов 15-30)

Дано: схема 9.1.1. в, г, U_m=0,1 B; R_i =45,0 кОм; =500 Ом; Q_o=150; R_Э=1,0 кОм; Q_э=5; f_о = f_р=159 кГц; S=10 ма/В; U_о= 0,2 В; I_о=13*10^-3А.

Рассчитаем амплитуду гармонического напряжения на переходе база-эмиттер транзистора U_пm.

При принятых обозначениях эквивалентная добротность равна:

,

,

Следовательно

Индуктивность контура равна:

Емкость контура С_к:

Коэффициент включения можно определить из равенства на частоте резонанса:

, с учетом

,

Следовательно, напряжение на переходе к частоте резонанса будет равно:

Нормированная амплитудно-частотная характеристика последовательного резонансного контура может быть рассчитана по следующим формулам:

где

Без учета сопротивления нагрузки R_Э и сопротивления генератора R_Г:

При расчете можно учесть приближенные равенства, записанные в предыдущем примере.

Расчетное задание 1.3 Задание по вариантам 1-14

Полагая, что уменьшение эквивалентной добротности контура Q_э за счет влияния сопротивления источника R_i и сопротивления нагрузки R_H примерно одинаково (таблица 1.3.1), расчитать параметры контура на выходе усилителя (рисунок 1.1.1а), где р₁- коэффициент включения источника в контур, р₂- коэффициент включения нагрузки в контур, L₁, L₂- индуктивности, С₁, С₂- емкости, L_k- индуктивность контура, С_к- емкость контура.

Рассчитать коэффициент усиления усилителя в линейном режиме, полагая, что рабочая точка выбрана в середине линейного участка проходной характеристики транзистора.

Рассчитать и построить график нормированной АЧХ устройства.

Данные для расчета в таблице 4.3.1. Частота резонанса совпадает со входной.

Таблица 1.3.1 Исходные данные для расчета резонансной системы усилителя на полевом транзисторе

NB	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14
Ri, кОм	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1,0	1,1	1,2	1,3	1,4
р, Ом	50	100	200	300	50	100	120	200	300	50	100	200	300	400
Q0	50	100	200	100	50	100	120	200	100	50	100	200	100	100
RH,Ом	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50
Qэ	25	50	50	50	10	50	50	50	50	10	50	50	50	10
fp, кГц	159	159	159	159	159	159	159	159	159	159	159	159	159	159

Где R_i- сопротивление канала полевого транзистора;

 – характеристическое сопротивление контура;

Q₀- собственная добротность резонансного контура, определяемая активными потерями индуктивности контура L₁ и L₂;

R_H- сопротивление нагрузки;

Q_э- эквивалентная добротность контура;

f_p- частота резонанса.