
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
5.4.5. Застосування логічних елементів
ЛЕ застосовуються для реалізації цифрових автоматів (приклади див. в інструкціях до лабораторних робіт).
Схеми збігу або логічні ключі використовуються для комутації імпульсних послідовностей (рис. 5.13).
Р
ис.
5.13 – Схеми збігу та їх
часові
діаграми
Імпульсні формувачі. На практиці в багатьох випадках виникає задача із вхідних сигналів формувати імпульсні сигнали різної тривалості та форми. Формувачі коротких імпульсів можуть бути реалізовані на основі використання властивості ЛЕ затримувати розповсюдження імпульсних сигналів (рис. 5.14).
Для збільшення тривалості імпульсів можна використовувати послідовно сполучені ЛЕ, часові діаграми яких для різних типів ЛЕ подані на рис. 5.15.
Тільки на основі формувачів із застосуванням RC-ланок можна реалізувати імпульси необхідної тривалості або й розширити тривалість вхідного імпульсу (рис. 5.16 - рис. 5.17). Принцип формування імпульсу пристроєм рис. 5.16 полягає у використанні наявності порогів перемикання в ЛЕ (див. рис. 5.11). Для цього вхідний імпульс інвертується s подається на один вхід ЛЕ & та безпосередньо
Рис. 5.14 – Формувач коротких імпульсів на основі логічних виключне АБО-НЕ
заряджає конденсатор С, у перший момент напруга на якому рівна нулеві. Напруга на конденсаторі подається на другий вхід ЛЕ & і після досягнення нею значення порогової напруги спрацювання, ЛЕ маючи дві логічні одиниці на своїх входах перемикається в одиничний стан, який практично триває до моменту закінчення вхідного імпульсу. Тривалість імпульсу пропорційна до сталої часу RC-ланки та логарифму відношення порогової напруги ЛЕ до напруги логічного нуля.
Р
ис.
5.15
– Формувач коротких імпульсів на основі
ЛЕ різного типу
Принцип формування імпульсів у формувачі рис. 5.17 полягає в фіксації тривалості диференційованого імпульса, амплітуда якого спадає від значення напруги живлення до порогового значення логічної одиниці. При цьому імпульси від’ємної полярності шунтуються діодом, увімкненим паралельно до вхідного диференціювального резистора.
Рис. 5.16 – Формувач імпульсів із застосуванням RC-ланок
Рис.
5.17 – Формувач коротких імпульсів з
диференціювальною ланкою
Принцип дії розширювача імпульсів базується використанні ЛЕ як порогового елемента, на який подана напруга з паралельного резистора диференціювальної ланки. Тривалість імпульса визначатиметься практично сталою часу дифланки, а також в незначній мірі співвідношеннями між напругами логічної одиниці та пороговою (рис. 5.6). Для формування імпульсів великої тривалості необхідно використовувати ЛЕ, побудовані на основі КМДН-логіки, вхідний опір якої в активному режимі та в режимах логічних нуля та одиниці є дуже великий.
Р
ис.
5.18
– Спрощена схема розширювача імпульсів
На основі ЛЕ з RC-ланками можна будувати й генератори імпульсних сигналів (рис. 5.19). Робота таких генераторів розривних коливань базується на періодичному перезаряді конденсатора завдяки періодичному перемиканні елементів-інверторів, які одночасно можуть знаходитись лише в протилежних станах.
а) Узгодження рівнів між різними серіями;
б) Тристанові драйвери (рис. 5.20, рис. 5.21).
в) Шинні формувачі інтерфейсних мікросхем.
г) Мікросхеми з відкритим колектором для потужних і високовольтних навантажень Rн (рис. 5.22).
Рис. 5.19 – Спрощена схема мультивібратора
д) Розширювачі ЛЕ
Приклад: в базисі елементів 2І-НЕ реалізувати восьмивходовий ЛЕ
←
7ЛЕ
2І-НЕ+7 інверторів або 14 логічних елементів
2І-НЕ. Значні апаратні затрати (рис.
5.23).
Рис. 5.20 – Структура тристанового драйвера
Рис. 5.21 – Спрощена схема тристанового інвертора
Рис. 5.22 – Схема реалізації монтажного АБО
Правило
де Моргана:
Рис. 5.23 – Схема розширювача по І реалізована на логічних елементах
Розширювач
по I. Це пірамідальний
спосіб
об’єднання.
Паралельна
обробка всіх операндів min МЗС (рис. 5.23).
Тільки при
Y
= 0, в інших випадках, діоди відкриваються
і
(рис. 5.24). Потрібні Ge діоди ↓ завадостійкість
,
VT1 насичення →VT2 насичення → VT5 закритий.
Якщо VD1 відкривається → UVD<UбеVT3+VT4
→
VT3, VT4 закриваються.
Рис. 5.24 – Схема розширювача по І реалізована на діодах