
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
3.2.2 Похибки підсилювачів
Визначаються
неточністю використаних резисторів і
неідеальністю операційного підсилювача.
Із відношення (3.11) неважко одержати
наступну рівність:
,
де ∆R1,
∆R2
– відповідно абсолютно похибки
масштабувальних резисторів R1,
R2.
Таким чином, граничне значення відносної
мультиплікативної складової похибки
інвертувального підсилювача, викликане
неточністю резисторів R2
та R1,
дорівнює сумі відносних похибок цих
резисторів:
γі[∆R1, ∆R2]гр=γR2+γR1=∆R2/R2+∆R1/R1.
Для неінвертувального підсилювача відповідно одержимо
γі[∆R1,
∆R2]гр=
.
Отже, для зменшення похибок підсилювачів слід використовувати точні резистори. Особливо, бажано застосовувати резистори з однаковими (за модулем і знаком) температурними коефіцієнтами, опору.
Відносна похибка від зміни коефіцієнта підсилення ОП К може бути знайдена з формул (3.8) і (3.9). Для інвертувального і неінвертувального підсилювачів ця похибка має однакові значення
.
(3.13)
З співвідношення (3.13) випливає важливий висновок про те, що похибка підсилювача зі зворотнім зв’язком викликана нестабільністю коефіцієнта підсилення ОП, тим менша, чим більше петлеве підсилення Кβ.
Коефіцієнти
підсилення інвертувального і
неінвертувального підсилювачів менші
від коефіцієнтів підсилення застосованих
операційних підсилювачів приблизно у
(Кβ+1)
раз. Це випливає з (3.9) і (3.10). Причому для
неінвертувального підсилювача це
відношення витримується точно, а для
інвертувального воно тим точніше, чим
ближче до одиниці значення коефіцієнта
μ.
Похибка підсилювача через нестабільність
коефіцієнта К
порівняно з (3.10) також зменшується
пропорційно до значення Кβ+1.
Отже, можна вважати, що у скільки разів
коефіцієнт підсилення підсилювача з
ВЗЗ менший за коефіцієнт підсилення k,
у стільки ж разів зменшується і похибка
підсилювача, яка викликала зміну
коефіцієнта підсилення ОП:
;
.
Нехай,
наприклад, в розглянутому діапазоні
температур коефіцієнт підсилення ОП,
рівний 105,
може змінюватись на ±50%. Якщо на основі
цього ОП побудований інвертувальний
або неінвертувальний підсилювач, з
коефіцієнтом підсилення 100, то вказана
нестабільність викличе похибку
підсилювача, яка рівна ± 50
100/105
= ± 0,05 %.
3.2.3. Адитивна складова похибки
Для визначення похибок, які викликані напругою зміщення езм і вхідними струмами І-вх та І+вх ОП розглянемо схему, яка показана на рис. 3.6. Знаходимо складову вихідної напруги ΔUвих інвертувального і неінвертувального підсилювачів, зумовлену езм, І-вх та І+вх
. (3.14)
Рис. 3.6 – Cхема для визначення похибок підсилювача від напруги зміщення і вхідних струмів ОП
Резистор R3 уводиться з метою зменшення похибки від вхідних струмів ОП. З виразу (3.14) видно, що у випадку рівності струмів І-вх та І+вх повна корекція похибок від цих струмів досягається при рівності опору резистора R3 опору паралельно включених резисторів R1 і R2:
||
. (3.15)
Проте, в загальному випадку вхідні струми ОП не рівні між собою, і не рівний нулю різницевий вхідний струм ΔІ= І+вх–І-вх i+-i-. Тому враховуючи (3.15) співвідношення (3.14) можна записати у вигляді
. (3.16)
Звідси можна знайти приведену адитивну похибку інвертувального і неінвертувального підсилювачів
(3.17)
де Uвх.ном та Uвих.ном - номінальні значення вхідної і вихідної напруг підсилювача.
Якщо R2>>R1, то розглянуті приведені похибки будуть практично однакові і для інвертувального, і для неінвертувального підсилювачів
. (3.18)
В
процесі початкового регулювання
вимірювального пристрою зазвичай
проводять корекцію адитивної складової
похибки (регулювання нуля). З цією метою
можуть бути використані стандартні
кола регулювання нуля, схеми яких
приводяться в довідкових даних для
різних операційних підсилювачів. При
правильно проведеному регулюванні
адитивна складова похибка зменшується
практично до нуля. Але ця похибка потім
знову проявляється внаслідок непостійності
езм
та ΔІ.
Найбільші зміни напруги зміщення езм
і вхідних струмів
та
операційного підсилювача викликаються
переважно зміною температури навколишнього
середовища. Тому після регулювання
адитивну складову похибку підсилювача
можна приблизно описати співвідношенням
, (3.19)
де ТКезм і ТКΔІвх - температурні коефіцієнти езм та ΔІвх; ΔӨ - зміна температури навколишнього середовища по відношенню до температури, яка була під час регулювання нуля.
З
аналізу формул (3.17) та (3.19) можна зробити
висновок, що для зменшення адитивної
складової похибки підсилювача доцільно
зменшувати опори R1
та R2.
В тому числі, якщо
||
<<
,
то вхідні струми ОП практично не
впливатимуть на адитивну складову
похибки. Для ОП із вхідними каскадами,
які виконані на біполярних транзисторах,
відносний температурний коефіцієнт
напруги зміщення (ТКезм)/езм
орієнтовно може бути оцінений значеннями
(3-6)∙10-3
К-1.
Якщо для таких операційних підсилювачів
розглянути відношення ТКΔІвх
до середнього вхідного струму Івх,
то виясниться, що це відношення
характеризується приблизно такими ж
значеннями. Тому в тих випадках, коли
передбачається регулювання нуля
підсилювача і адитивної похибки в
кінцевому результаті визначається
температурною нестабільністю езм
та ΔІвх,
а також доцільно виконувати умови
||
<<
.
При дотриманні
цієї умови адитивна складова похибка
підсилювача буде визначатися переважно
температурним дрейфом напруги зміщення
і практично не буде залежати від
нестабільності вхідних струмів ОП.
Відношення езм/Івх
для більшості сучасних біполярних ОП
складає 10-50 кОм,
тобто вищевказана умова означає, що при
побудові інвертувального або
неінвертувального підсилювачів
постійного струму доцільно вибирати
R1
та R2
так, щоб
виконати нерівність R1||R2≤3-10
кОм.
Проте існують ОП, у яких відношення
езм/Івх
суттєво відрізняються від вказаних
вище типових значень. Так що задачу про
вибір опорів R1
та R2
краще вирішувати для конкретного ОП.
Для операційних підсилювачів, які використовують польові транзистори у вхідних каскадах, відношення езм/Івх значно перевищує 1 МОм. Це дає можливість у більшості випадків не враховувати вхідні струми при розрахунку адитивної похибки.
Ще одним фактором, який призводить до зміни коефіцієнта підсилення інвертувального і неінвертувального підсилювачів є нестабільність вхідного опору ОП. Проте ця складова похибки, зазвичай, не аналізується, оскільки вона нехтовно мала порівняно з іншими, наприклад, з похибками від нестабільності коефіцієнта підсилення ОП.
При аналізі похибок підсилювачів необхідно звертати увагу на характер довідникових даних, які використовуються під час розрахунку. Якщо використовуються скінченні значення допустимих параметрів, які характеризують недоліки ОП, то і знайдені значення складових похибки будуть скінченними. Це означає, що фактичні значення похибок, які характеризуються, наприклад, середнім квадратичним відхиленням, можуть виявитися достатньо меншими від знайдених із розрахунку кінцевих похибок.