
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
Є дуже багато параметрів ОП, які характеризують його якість, основними із яких є:
Коефіцієнт
підсилення к
– відношення зміни вихідної напруги
до зміни диференціальної вхідної
напруги, яка викликала цю зміну при
роботі підсилювача на лінійній ділянці
характеристики
(рис. 3.3), де
.
Інтегральні ОП мають коефіцієнт підсилення, який лежить в діапазоні 103…107.
Напруга зміщення езм – значення диференціальної вхідної напруги (е+-е-), при якій вихідна напруга підсилювача рівна нулю. Максимальне за модулем значення езм для підсилювачів, вхідні каскади яких виконані на біполярних транзисторах, переважно складають 1-10 мВ. В тих ОП, в яких вхідний каскад будується на польових транзисторах, напруга зміщення зазвичай на порядок більша, 10-100 мВ.
Середній
вхідний струм Івх
– середньоарифметичне значення струмів
Н-
та
І - входів підсилювача, виміряних при
такій вхідній напрузі Uвх,
при якій вихідна напруга Uвих=0
рівна нулю. На еквівалентній схемі (рис.
3.2) вхідні струми подані у вигляді джерела
струму і+
та і-.
Значення середніх вхідних струм
інтегральних підсилювачів з вхідними
каскадами на біполярних транзисторах
лежить в діапазоні 0,01-1 мкА.
Такі малі значення Івх
забезпечуються завдяки роботі вхідних
транзисторів ОП в режимі дуже малих
колекторних струмів (мікрострумів).
Подальше зниження вхідних струмів (до
1 нА
і менше) досягається при використанні
польових транзисторів у вхідних каскадах
ОП.
Різниця вхідних струмів ΔІвх – абсолютне значення різниці струмів двох входів підсилювача |i+-i-|, виміряних тоді, коли напруга на виході підсилювача рівна нулю. Цей різницевий струм в значній мірі говорить проте, наскільки велика несиметрія вхідного каскаду ОП. Якщо значення Δiвх близьке до нуля, то вплив вхідних струмів і+ та і- на вхідну напругу ОП можна значно зменшити, встановлюючи однакові еквівалентні провідності зовнішніх кіл, приєднаних до Н- та І-входів ОП. Зазвичай Δівх складає 20-50% від значення івх.
Вхідний опір Rвх – опір зі сторони одного із входів ОП, причому другий заземлений. В деяких випадках цей опір називають вхідним опором для дифереціального сигналу, для того щоб відрізнити його від вхідного опору для синфазного сигналу. Значення вхідного опору ОП може складати 103-106 Ом і більше.
Вхідний опір для синфазного сигналу Rcф визначають як відношення приросту синфазної напруги до приросту середнього струму підсилювача. Значення опору Rcф, як правило, на 1-2 порядки і більше перевищує значення опору Rвх.
На
еквівалентній схемі (рис. 3.2) вхідний
опір Rвх
показаний у вигляді опору включеного
між входами підсилювача, а опір Rсф
- у вигляді двох опорів включених
паралельно джерелам струмів
та
.
Коефіцієнт
послаблення синфазного сигналу Мсф
– відношення коефіцієнта підсилення
к
до коефіцієнта передачі синфазного
сигналу. Коефіцієнт послабленого
синфазного сигналу при цьому визначається
як відношення зміни вихідної напруги
до зміни синфазної вхідної напруги, яка
викликала цю зміну. Коефіцієнт послаблення
синфазного сигналу може бути визначений
по-іншому : як відношення синфазного
сигналу до викликаної цим сигналом
зміни напруги зміщення підсилювача.
Часто використовується логарифмічна
міра для визначення коефіцієнта
послаблення синфазного сигналу
.
Зазвичай, для інтегральних ОП величина
дБ.
Тракт передачі синфазного сигналу на еквівалентній схемі (рис. 3.2) показаний у вигляді суматора вхідних сигналів е+ та е- та безінерційної ланки з коефіцієнтом передачі 0,5/Мсф, напруга з виходу якої рівна обумовленій синфазним сигналом зміні напруги зміщення, подається на другий суматор на вхід основної підсилювальної ланки.
Коефіцієнт
впливу нестабільності джерела живлення
– відношення зміни напруги зміщення
до викликаної нею зміною однієї з джерел
напруги ΔUn(іноді
вплив нестабільності джерел позитивної
і негативної напруг живлення
характеризуються окремими коефіцієнтами
впливу). Цей коефіцієнт, як правило,
рівний 2∙10-5-2∙10-4,
що відповідає 20–200 мкВ/В.
Вихідний опір ОП (rвих) – визначається так само, як і для будь-якого іншого підсилювача і складає переважно величину, яка лежить в діапазоні від декількох десятків до декількох сотень ом.
Динамічні властивості ОП визначаються, зазвичай, двома параметрами : частотною смугою і швидкістю зміни вихідного сигналу.
Частотна смуга ОП визначається, як правило, частотою одиничного підсилення f1, тобто частотою, на якій коефіцієнт підсилення ОП зменшується до одиниці. Значення f1 у більшості інтегральних ОП лежить в діапазоні від десятих частин мегагерц до декількох десятків мегагерц.
Максимальна швидкість наростання вихідної напруги ОП (υ) визначається при подачі на його вхід імпульсу напруги прямокутної форми. Для типових інтегральних ОП максимальна швидкість наростання знаходиться в діапазоні 0,3–50 В/мкс. Так як найбільша швидкість зміни синусоїдального сигналу пропорційна амплітуді і частоті цього сигналу, то обмеження швидкості зміни вихідного сигналу ОП призводить до обмеження амплітуди вихідного неспотвореного гармонічного сигналу на високих частотах.
Параметри ОП залежать від температури навколишнього середовища.
Температурний
дрейф напруги зміщення
для інтегральних ОП з вхідними каскадами
на біполярних транзисторах складає
зазвичай 1–20 мкВ/К.
Для підсилювачів, вхідні каскади яких
побудовані на польових або на складених
біполярних транзисторах, температурний
дрейф напруги зміщення лежить в діапазоні
0,2–100 мкВ/К.
Температурні
зміни вхідних струмів
ОП
мають різний характер в залежності від
типу транзисторів, які використовуються
у вхідних каскадах. В ОП з вхідними
каскадами на біполярних транзисторах
вхідний струм зменшується при збільшенні
температури (це пояснюється тим, що
коефіцієнт підсилення транзистора
збільшується, в той час, як колекторний
струм залишається сталим). При збільшенні
температури від +20 до +125
ºС
вхідний струм ОП на біполярних транзисторах
зменшується майже у три рази і приблизно
в стільки ж разів зростає при зменшенні
температури від +20 до -60
ºС.
В підсилювачах, вхідні каскади яких
виконані на польових транзисторах,
вхідний струм зростає зі збільшенням
температури. В цьому випадку вхідний
струм – це в основному струм закритого
p-n-переходу,
який, як відомо, збільшується приблизно
у 2 рази при збільшенні температури на
10 К.
Температурна зміна різниці вхідних струмів носить такий же характер, як і температурна зміна середнього вхідного струму: в ОП з вхідними каскадами на біполярних транзисторах різниця вхідних струмів зменшується зі збільшенням температури, а в ОП з вхідними каскадами на польових транзисторах – зростає. Внаслідок неідентичності параметрів транзистора вхідного каскаду різниця вхідних струмів ОП може змінюватися з відносним температурним коефіцієнтом, в 1,5-2 більшим, від відносного ТК середнього вхідного струму ОП.
Температурний коефіцієнт коефіцієнта підсилення ОП може бути як додатнім, так і від’ємним в залежності від температури і типу ОП. В повному діапазоні допустимих температур навколишнього середовища коефіцієнт підсилення ОП змінюється, зазвичай, не більше, ніж в 3-5 раз.
Значення
еквівалентної вхідної напруги
реального ОП можна визначити за
співвідношенням
(3.4)
де
-
зміна вихідної напруги ОП;
-
значення синфазної вхідної напруги;
-
еквівалентна напруга зміщення;
-
еквівалентна напруга шумів;
-
еквівалентний струм шумів;
-
еквівалентний опір вхідного кола ОП;
-
часовий дрейф еквівалентної напруги
зміщення;
-
час, який пройшов після встановлення
нульового рівня ОП (коригування).
Значення адитивної складової похибки (еквівалентної напруги зміщення, зведеної до входу ОП) визначається за співвідношенням
(3.5)
де
,
- еквівалентні значення опорів, що
під’єднані до інвертувального та
неінвертувального входів ОП;
-
відхилення температури від номінального
робочого значення.
,
(3.6)
,
(3.7)
де
,
-
еквівалентна спектральна густина шумів
за напругою та струмом відповідно;
,
- частоти спряження флікер-та білих
шумів відповідно за напругою та струмом.